N-каналны арттыру режимының эш принцибы MOSFET

(1) VGSның ID һәм каналга контроль эффекты

V vGS очрагы = 0

Күрергә була, дренаж д һәм көчәйтү режимының чыганаклары арасында ике арткы PN тоташуы бар.MOSFET.

Капка чыганагы көчәнеше vGS = 0 булганда, дренаж чыганагы көчәнеше vDS кушылса да, һәм vDS полярлыгына карамастан, кире яклы хәлдә һәрвакыт PN тоташуы була. Дренаж белән чыганак арасында үткәргеч канал юк, шуңа күрә бу вакытта дренаж токы ID≈0.

V vGS очрагы> 0

VGS> 0 булса, SiO2 капка белән субстрат арасында изоляцион катламда электр кыры барлыкка килә. Электр кырының юнәлеше капкадан ярымүткәргеч өслегендәге субстратка юнәлтелгән электр кырына перпендикуляр. Бу электр кыры тишекләрне кире кага һәм электроннарны җәлеп итә. Тишекләрне кире кагу: Капка янындагы P тибындагы субстраттагы тишекләр кире кайтарыла, күчемсез аккредитация ионнары (тискәре ионнар) бетү катламын барлыкка китерә. Электроннарны җәлеп итегез: P тибындагы субстраттагы электроннар (азчылык йөртүчеләре) субстрат өслегенә тартыла.

2) үткәргеч канал формалаштыру:

VGS кыйммәте кечкенә булганда һәм электроннарны җәлеп итү сәләте көчле булмаганда, дренаж белән чыганак арасында үткәргеч канал юк. VGS арта барган саен, П субстратының өслек катламына күбрәк электроннар тартыла. VGS билгеле бер кыйммәткә җиткәч, бу электроннар капка янындагы P субстрат өслегендә N тибындагы нечкә катлам ясыйлар һәм ике N + регионга тоташалар, дренаж һәм чыганак арасында N тибындагы үткәргеч канал ясыйлар. Аның үткәрүчәнлеге төре P субстратына капма-каршы, шуңа күрә ул инверсия катламы дип тә атала. VGS зуррак булса, ярымүткәргеч өслегендә эшләүче электр кыры көчлерәк булса, P субстрат өслегенә электроннар күбрәк тартыла, үткәргеч канал калынрак була, һәм канал каршылыгы кечерәк. Канал формалаша башлагач капка чыганагы көчәнеше ВТ белән күрсәтелгән кабызу көчәнеше дип атала.

.Әр сүзнеңN-канал MOSFETюгарыда каралган vGS <VT, һәм труба өзелгән хәлдә үткәргеч канал булдыра алмый. VGS≥VT булганда гына канал барлыкка килергә мөмкин. МондыйMOSFETvGS≥VT көчәйтү режимы дип аталганда, бу үткәргеч канал формалаштырырга тиешMOSFET. Канал барлыкка килгәннән соң, дренаж һәм чыганак арасында алга көчәнеш vDS кулланылганда, дренаж токы барлыкка килә. VDSның ID-ка тәэсире, vGS> VT булганда һәм билгеле бер кыйммәт булганда, дренаж чыганагы көчәнеш vDSның үткәргеч каналга һәм агымдагы ID тәэсире тоташу кыры эффект транзисторына охшаш. Канал буендагы дренаж токы ID ярдәмендә барлыкка килгән көчәнеш төшүе каналдагы һәр нокта белән капка арасындагы көчәнешне тигез итми. Чыганакка якын булган көчәнеш иң зуры, анда канал иң калын. Дренаж очындагы көчәнеш иң кечкенә, һәм аның бәясе VGD = vGS-vDS, шуңа күрә канал монда иң нечкә. Ләкин vDS кечкенә булганда (vDS