MOSFETның дүрт төбәге нинди?

N-каналны арттыру MOSFETның дүрт төбәге

(1) resistanceзгәрешле каршылык өлкәсе (туенмаган төбәк дип тә атала)

Ucs "Ucs (th) (кабызу көчәнеше), uDs" UGs-Ucs (th), канал кабызылган фигурада алдан эзнең сул ягында урнашкан төбәк. Бу төбәктә UD-ларның кыйммәте кечкенә, һәм каналга каршы тору нигездә UG-лар белән идарә ителә. UG билгеле булганда, ip һәм uDлар сызыклы бәйләнештә, регион туры сызыклар җыелмасы итеп якынлаша. Бу вакытта, көчәнеш UGS эквиваленты арасында D, S кыр эффект трубасы

Вольтлы UGS үзгәрүчән каршылык белән идарә ителә.

(2) даими агым өлкәсе (туендыру өлкәсе, көчәйтү өлкәсе, актив төбәк дип тә атала)

Ucs ≥ Ucs (h) һәм Ubs ≥ UcsUssth), чимал алдыннан трекның уң ягы фигурасы өчен, ләкин әле төбәктә, төбәктә, uG булырга тиеш булганда, ib юк диярлек. UD белән үзгәрү, даими-агым характеристикасы. i UG белән генә идарә ителә, аннары MOSFETD, S агымдагы чыганакның көчәнеш uG контроленә тиң. MOSFET көчәйтү схемаларында кулланыла, гадәттә MOSFET D эшендә, S көчәнеш uG контроле ток чыганагына тиң. Көчләндерү схемаларында кулланылган MOSFET, гадәттә, төбәктә эшли, шулай ук ​​көчәйтү өлкәсе дип атала.

(3) Киселгән мәйдан (шулай ук ​​киселгән мәйдан дип атала)

Төбәкнең горизонталь күчәре янындагы фигура өчен "Ues" белән очрашу өчен киселгән мәйдан (шулай ук ​​киселгән өлкә дип тә атала), канал барысы да кысылган, тулы клип дип атала, io = 0 , труба эшләми.

(4) ватылу зонасы урнашуы

Бозылу өлкәсе фигураның уң ягында төбәктә урнашкан. UD арту белән, PN тоташуы артык кире көчәнешкә һәм өзелүгә дучар була, ip кискен арта. Труба ватылу өлкәсендә эшләмәс өчен эшләргә тиеш. Күчерүнең характеристик сызыгы чыгу характеристик сызыгыннан алынырга мөмкин. Табу өчен график буларак кулланылган ысул буенча. Мисал өчен, Ubs = 6V вертикаль сызык өчен 3-нче рәсемдә, аның i белән туры килгән төрле кәкреләр белән кисешүе, Иб-координаталардагы кыйммәтләр, кәкрегә тоташкан, ягъни күчерү характеристик сызыгын алу өчен.

ПараметрларыMOSFET

MOSFETның күп параметрлары бар, шул исәптән DC параметрлары, AC параметрлары һәм лимит параметрлары, ләкин гомуми куллануда түбәндәге төп параметрлар гына борчылырга тиеш: туендырылган дренаж чыганагы ток IDSS чыбыклы көчәнеш Up, (тоташу трубалары һәм бетү) - изоляцияләнгән капка трубалары, яисә кабызылган көчәнеш UT (ныгытылган изоляцияләнгән капка трубалары), транс үткәргеч гм, агып чыгу чыганагы өзелү көчәнеше BUDS, максималь таралган көч PDSM, һәм максималь дренаж чыганагы IDSM.

(1) Тозылган дренаж токы

Туендырылган дренаж токы IDSS - тоташудагы дренаж агымы яки капка көчәнеше UGS = 0 булганда MOSFET изоляцияләнгән капка.

(2) Клип-көчәнеш

Чыгарылган көчәнеш UP - чишелеш тибындагы яки тузган типтагы изоляцияләнгән капкадагы MOSFET капка көчәнеше, ул дренаж белән чыганак арасында гына киселә. N-канал трубасы UGS өчен 4-25 күрсәткәнчә, ID сызыгы, IDSS һәм UP мәгънәсен аңлау өчен аңларга мөмкин

МОСФЕТ дүрт төбәк

3) кабызу көчәнеше

Күчерелгән көчәнеш UT - ныгытылган изоляцияләнгән капкадагы MOSFET капка көчәнеше, ул дренажара чыганакны үткәргеч итә.

(4) Транскондүткәргеч

Транскондүткәргеч gm - капка чыганагы көчәнешенең UGS-ның дренаж ток ID-ендә идарә итү сәләте, ягъни дренаж токының үзгәрүенең капка чыганагы көчәнеше UGS үзгәрүенә мөнәсәбәте. 9м - көчәйтү сәләтен үлчәү өчен мөһим параметрMOSFET.

(5) Чыганакның өзелү көчәнеше

Дренаж чыганагының өзелү көчәнеше BUDS капка чыганагы көчәнешен күрсәтә UGS билгеле, MOSFET нормаль эш максималь дренаж чыганагы көчәнешен кабул итә ала. Бу лимит параметры, MOSFET эш көчәнешенә кушылган BUDSдан ким булырга тиеш.

(6) Максималь көч тарату

Максималь көч тарату PDSM шулай ук ​​лимит параметрыMOSFETмаксималь рөхсәт ителгән чыганак чыганагы көче таралгач, эш начарланмый. MOSFET кулланганда практик энергия куллану PDSMдан ким булырга һәм билгеле бер маржаны калдырырга тиеш.

(7) Дренаж максимумы

Максималь агым IDSM - тагын бер лимит параметры, MOSFETның нормаль эшләвен аңлата, MOSFETның эш токы аша үтәргә рөхсәт ителгән максималь ток чыганагы IDSMдан артмаска тиеш.

MOSFET операция принцибы

MOSFET (N-каналны арттыру MOSFET) эш принцибы - "индуктив корылма" күләмен контрольдә тоту, бу "индуктив корылма" формалашкан үткәргеч каналның торышын үзгәртү, аннары максатка ирешү. дренаж токын контрольдә тоту. Максат - дренаж агымын контрольдә тоту. Трубалар җитештергәндә, изоляцион катламда күп санлы уңай ионнар ясау процессы аша, шуңа күрә интерфейсның икенче ягында тискәре корылмалар булырга мөмкин, бу тискәре корылмалар китереп чыгарырга мөмкин.

Капка көчәнеше үзгәргәндә, каналда китерелгән корылма күләме дә үзгәрә, үткәргеч каналның киңлеге дә үзгәрә, һәм шулай итеп дренаж ток таныклыгы капка көчәнеше белән үзгәрә.

MOSFET роле

I. MOSFET көчәйтү өчен кулланылырга мөмкин. MOSFET көчәйткеченең югары кертү импеденциясе булганлыктан, кушылу конденсаторы электролитик конденсаторлар кулланмыйча, кечерәк сыйдырышлык булырга мөмкин.

Икенчедән, MOSFETның югары кертү импедициясе импеданс конверсиясе өчен бик яраклы. Импеданс конверсиясе өчен гадәттә күп этаплы көчәйткеч кертү этабында кулланыла.

MOSFET үзгәрүчән резистор буларак кулланылырга мөмкин.

Дүртенчедән, MOSFET даими агым чыганагы буларак җиңел кулланыла ала.

Бишенче, MOSFET электрон ачкыч буларак кулланылырга мөмкин.