MOSFETлар өчен нинди сценарийлар бар?

MOSFETлар аналог һәм цифрлы схемаларда киң кулланыла һәм безнең тормыш белән тыгыз бәйләнештә. MOSFETларның өстенлекләре: саклагыч схемасы чагыштырмача гади. TTL йөртүче схемалары. Икенчедән, MOSFETлар тизрәк күчә һәм югары тизлектә эшли ала, чөнки корылма саклау эффекты юк. Моннан тыш, MOSFETларның икенчел өзелү механизмы юк. Температура никадәр югары булса, еш кына чыдамлылык көчлерәк булса, җылылык өзелү мөмкинлеге түбәнрәк, шулай ук ​​яхшырак җитештерү өчен киң температура диапазонында. MOSFETлар күп кушымталарда, кулланучылар электроникасында, сәнәгать продуктларында, электромеханикада кулланылган. equipmentиһазлар, акыллы телефоннар һәм башка санлы санлы электрон продуктларны бөтен җирдә дә табып була.

MOSFET кушымтасы анализы

1 power Электр белән тәэмин итү кушымталарын күчү

Аңлатма буенча, бу кушымта MOSFETлардан вакыт-вакыт үткәрүне һәм ябуны таләп итә. Шул ук вакытта, электр белән тәэмин итүне күчерү өчен дистәләгән топология кулланыла ала, мәсәлән, төп чиләк конвертерында еш кулланыла торган DC-DC электр белән тәэмин итү күчү функциясен башкару өчен ике MOSFETка таяна, бу ачкычлар индуктивлык кәтүгендә саклану өчен; энергия, аннары энергияне йөккә ач. Хәзерге вакытта дизайнерлар ешлыкны йөзләгән кГц һәм хәтта 1МГцдан да ешрак сайлыйлар, ешлык никадәр югары булса, магнит компонентлары кечерәк һәм җиңелрәк. Электр белән тәэмин итүне күчерүдә икенче мөһим MOSFET параметрларына чыгу сыйдырышлыгы, бусага көчәнеше, капка импедансы һәм кар көчләре керә.

2, мотор белән идарә итү кушымталары

Мотор белән идарә итү кушымталары - көч өчен тагын бер куллану өлкәсеMOSFETs. Типик ярым күпер белән идарә итү схемалары ике MOSFET куллана (тулы күпер дүрт куллана), ләкин ике MOSFET вакыты (үлгән вакыт) тигез. Бу кушымта өчен кире торгызу вакыты (trr) бик мөһим. Индуктив йөкне контрольдә тотканда (мотор двигателе кебек), контроль схема күпер схемасындагы MOSFETны сүндерелгән хәлгә күчерә, шул вакытта күпер чылбырындагы тагын бер ачкыч MOSFET тән диоды аша токны вакытлыча кире бора. Шулай итеп, ток кабат әйләнә һәм двигательне эшләвен дәвам итә. Беренче MOSFET кабат үткәргәндә, бүтән MOSFET диодында сакланган корылма беренче MOSFET аша чыгарылырга һәм чыгарылырга тиеш. Бу энергия югалту, шуңа күрә трр кыскарак, югалту кечерәк.

3, автомобиль кушымталары

Соңгы 20 елда автомобиль кушымталарында MOSFET-ларны куллану тиз үсә. КөчMOSFETсайланган, чөнки ул гомуми автомобиль электрон системалары аркасында килеп чыккан югары көчәнешле күренешләргә каршы тора ала, мәсәлән, йөк ташу һәм система энергиясенең кинәт үзгәрүе, һәм аның пакеты гади, нигездә TO220 һәм TO247 пакетларын кулланып. Шул ук вакытта күпчелек автомобильләрдә электр тәрәзәләре, ягулык салу, арада сөртүчеләр, круиз контроле кебек кушымталар акрынлап стандартлаша бара, һәм дизайнда шундый ук электр җайланмалары кирәк. Бу чорда автомобиль көче MOSFETлар моторлар, соленоидлар, ягулык инжекторлары популярлашкач үсә.

Автомобиль җайланмаларында кулланылган MOSFETлар көчәнешнең, агымның һәм каршылыкның киң диапазонын үз эченә ала. Мотор белән идарә итү җайланмалары 30V һәм 40V ватылу көчәнеш модельләрен кулланып күпер конфигурацияләрен, 60В җайланмалары йөкне йөртү өчен кулланыла, анда кинәт йөкне бушату һәм башлау шартлары контрольдә тотылырга тиеш, һәм тармак стандарты 42В батарея системасына күчерелгәндә 75В технология кирәк. Vгары ярдәмче көчәнеш җайланмалары 100V - 150V модельләрен куллануны таләп итә, һәм 400V-тан югары MOSFET җайланмалары двигатель йөртүче агрегатларында һәм югары интенсивлык (HID) фаралар өчен контроль схемаларда кулланыла.

Автомобиль MOSFET йөртүче агымнары 2A-dan 100A-га кадәр, каршылык 2mΩ-100mΩ арасында. MOSFET йөкләренә двигательләр, клапаннар, лампалар, җылыту компонентлары, сыйдырышлы пиезоэлектрик җыюлар һәм DC / DC электр тәэминаты керә. Күчерү ешлыклары гадәттә 10кГцтан 100 кГцга кадәр, мотор белән идарә итү 20кГцдан артык ешлыкларны күчү өчен яраксыз. Башка төп таләпләр - UIS җитештерүчәнлеге, тоташу температурасы чикләрендә эш шартлары (-40 градустан 175 градуска, кайвакыт 200 градуска кадәр) һәм машина гомереннән тыш югары ышанычлылык.

4, LED лампалар һәм фонарь йөртүчесе

LED лампалар һәм фонарьлар дизайнында еш MOSFET кулланалар, LED даими ток йөртүчесе өчен, гадәттә NMOS кулланыгыз. көче MOSFET һәм биполяр транзистор гадәттә төрле. Аның капка сыйдырышлыгы чагыштырмача зур. Конденсатор үткәрү алдыннан зарядланырга тиеш. Конденсатор көчәнеше бусага көчәнешеннән артканда, MOSFET үткәрә башлый. Шуңа күрә, проектлау вакытында шуны әйтергә кирәк: капка йөртүченең йөк сыйдырышлыгы система таләп иткән вакыт эчендә эквивалент капка сыйдырышлыгын (CEI) зарядлау тәмамлансын өчен җитәрлек зур булырга тиеш.

MOSFETның күчү тизлеге зарядка һәм кертү сыйдырышлыгыннан бик нык бәйле. Кулланучы Cin кыйммәтен киметә алмаса да, капка саклагыч цикл чыганагының эчке каршылыгын Rs бәясен киметә ала, шулай итеп капка әйләнешен зарядлау һәм вакыт тотрыклылыгын киметү, күчү тизлеген тизләтү өчен, гомуми IC диск мөмкинлеге. нигездә монда чагыла, сайлау дип әйтәбезMOSFETтышкы MOSFET саклагычның даими токлы IC-ларына карый. урнаштырылган MOSFET IC-ларын карарга кирәк түгел. Гомумән алганда, тышкы MOSFET 1Адан арткан агымнар өчен каралачак. Зуррак һәм сыгылмалы LED энергия мөмкинлеген алу өчен, тышкы MOSFET - IC-ны сайлау өчен бердәнбер ысул, тиешле мөмкинлек белән идарә ителергә тиеш, һәм MOSFET кертү сыйдырышлыгы төп параметр.