1. Вольт белән идарә итү
Агымдагы контроль җайланмалар булган биполяр узышлы транзисторлардан аермалы буларак, MOSFET көче көчәнеш белән идарә ителә. Бу төп характеристика берничә мөһим файда тәкъдим итә:
- Гадиләштерелгән капка йөртү таләпләре
- Контроль схемада түбән энергия куллану
- Тизрәк күчү мөмкинлекләре
- Икенчел өзелү проблемалары юк
Рәсем 1: BJT белән чагыштырганда MOSFETларның гадиләштерелгән капка йөртү таләпләре
2. Supгары күчү
Күч MOSFETлар югары ешлыктагы күчү кушымталарында өстенлек бирәләр, традицион BJTларга караганда күп өстенлекләр тәкъдим итәләр:
Рәсем 2: MOSFET һәм BJT арасында тизлекне чагыштыру
| Параметр | Көч MOSFET | BJT |
|---|---|---|
| Тизлекне күчү | Бик тиз (нс диапазоны) | Уртача (ranges диапазоны) |
| Lгалтуларны күчү | Түбән | Биек |
| Максималь күчү ешлыгы | > 1 МГц | ~ 100 кГц |
3. Rылылык характеристикалары
Күч MOSFETлар ышанычлылыгына һәм эшләвенә ярдәм итүче өстен җылылык үзенчәлекләрен күрсәтәләр:
Рәсем 3: MOSFET-ларда RDS температурасы коэффициенты
- Позитив температура коэффициенты җылылык кача
- Параллель операциядә яхшырак агымдагы бүлешү
- Higherгары җылылык тотрыклылыгы
- Киңрәк куркынычсыз эш өлкәсе (SOA)
4. Түбән дәүләт каршылыгы
Заманча MOSFETлар бик түбән дәүләт каршылыгына ирешәләр (RDS (on)), бу берничә өстенлеккә китерә:
Рәсем 4: MOSFET RDS-та тарихи камилләштерү
5. Параллель мөмкинлек
Көч MOSFETлары параллель рәвештә югары агымнарны эшкәртү өчен җиңел тоташырга мөмкин, аларның уңай температура коэффициенты аркасында:
Рәсем 5: Параллель бәйләнгән MOSFETларда хәзерге бүлешү
6. Көчлелек һәм ышанычлылык
Көч MOSFETлар искиткеч ныклык һәм ышанычлылык үзенчәлекләрен тәкъдим итәләр:
- Икенчел өзелү күренеше юк
- Кире көчәнешне саклау өчен эчке тән диоды
- Искиткеч кар көчлеге
- Dгары dV / dt мөмкинлеге
Рәсем 6: MOSFET һәм BJT арасында куркынычсыз эш өлкәсе (SOA) чагыштыру
7. Чыгым-эффективлык
Индивидуаль MOSFETларның башлангыч бәясе BJT белән чагыштырганда югарырак булырга мөмкин, ләкин аларның гомуми система дәрәҗәсендәге өстенлекләре еш чыгымнарны экономияләүгә китерә:
- Гадиләштерелгән саклагыч схемалар компонент санын киметә
- Efficiencyгары эффективлык суыту таләпләрен киметә
- Higherгары ышанычлылык хезмәт күрсәтү чыгымнарын киметә
- Кечкенә зурлык компакт конструкцияләргә мөмкинлек бирә
8. Киләчәк тенденцияләр һәм камилләштерүләр
Көч MOSFETларның өстенлекләре технологик казанышлар белән яхшыруны дәвам итәләр:
Рәсем 7: MOSFET технологиясендә эволюция һәм киләчәк тенденцияләр
