MOSFETларны сайлау өчен дөрес юл

Пост вакыты: 20-2024 май

Район драйверы өчен дөрес MOSFET сайлау - аның бик мөһим өлешеMOSFET сайлау яхшы түгел, бөтен схеманың эффективлыгына һәм проблема бәясенә турыдан-туры тәэсир итәчәк, түбәндә без MOSFET сайлау өчен акыллы почмак әйтәбез.

1, N-канал һәм P-канал сайлау
(1), Гомуми схемаларда, MOSFET җиргә салынгач һәм йөк магистраль көчәнешенә тоташканда, MOSFET түбән көчәнеш ягы ачкычын тәшкил итә. Түбән көчәнешле як ачкычта, N-канал MOSFET кулланылырга тиеш, җайланманы сүндерергә яки кабызырга кирәк булган көчәнешне исәпкә алып.

(2), MOSFET автобуска тоташканда һәм йөк җиргә төшкәч, югары көчәнешле як ачкыч кулланылырга тиеш. П-каналMOSFETs гадәттә бу топологиядә кабат көчәнеш саклагычлары өчен кулланыла.

2, дөрес сайларга телимMOSFET, көчәнеш рейтингын йөртү өчен кирәк булган көчәнешне, шулай ук тормышка ашыруның иң җиңел ысулын билгеләргә кирәк. Бәяләнгән көчәнеш зуррак булганда, җайланма табигый рәвештә зуррак бәя таләп итә. Көчле конструкцияләр өчен түбән көчәнешләр еш очрый, сәнәгать конструкцияләре өчен югары көчәнешләр кирәк. Практик тәҗрибәгә таянып, бәяләнгән көчәнеш магистраль яки автобус көчәнешеннән зуррак булырга тиеш. Бу MOSFET уңышсыз калмасын өчен җитәрлек куркынычсызлык тәэмин итәчәк.

3, аннан соң схема структурасы, хәзерге рейтинг максималь ток булырга тиеш, ул барлык шартларда да түзә ала, бу шулай ук кирәкле аспектларның куркынычсызлыгына нигезләнә.

4. Ниһаять, MOSFETның күчү эше билгеләнде. Күчерү эшенә тәэсир итүче бик күп параметрлар бар, ләкин иң мөһиме - капка / дренаж, капка / чыганак һәм дренаж / чыганак сыйдырышлыгы. Бу сыйдырышлык җайланмада күчү югалтуларын тудыра, чөнки алар һәр ачкыч вакытында зарядланырга тиеш.