Кечкенә агым MOSFET Холдинг схемасы җитештерү кушымтасы

R1-R6 резисторлары, C1-C3 электролитик конденсаторлар, конденсатор C4, PNP триоды VD1, D1-D2 диодлары, арадаш эстафета K1, көчәнеш чагыштыручысы, икеле база интеграль чип NE556, һәм MOSFET Q1, MOSFET тоту схемасы. сигнал кертү ролен үти торган NE556 икешәр вакыт базасы интеграль чипның No. 6 пины белән, һәм R1 резисторының бер очын бер үк вакытта тоташтыралар. Сигнал кертү рәвешендә NE556 икеләтә интеграль чипның 6 пинына кулланыла, R1 резисторның бер очын ике тапкыр база интеграль чип NE556, R2 резисторның бер очын, R4 резисторның бер очын тоташтыра. , PNP транзистор VD1 эмитенты, MOSFET Q1 дренаҗы, һәм электр энергиясе белән тәэмин итү, һәм R1 резисторның икенче очлары икеләтә интеграль чипның 1 кадакына тоташтырылган. NE556, ике тапкыр база интеграль чипның 2 пины, C1 конденсаторның уңай электролитик сыйдырышлыгы һәм арадаш эстафета. К1 гадәттә ябык контакт K1-1, К1 арада эстафетаның икенче очында гадәттә ябык контакт K1-1, электролитик конденсаторның тискәре полюсы һәм C3 конденсаторның бер очын электр белән тәэмин итү җиренә тоташтыралар, C3 конденсаторның икенче очын. икеләтә вакыт базасы интеграль чипның 3 пинына тоташтырылган, NE556 икеләтә вакыт базының интеграль чипының 4 пины электролитик конденсаторның уңай полюсына һәм резисторның икенче очына тоташтырылган. R2 бер үк вакытта, һәм электролитик конденсаторның тискәре полюсы электр белән тәэмин итү җиренә тоташтырылган, һәм C2 электролитик конденсаторның тискәре полюсы электр белән тәэмин итү җиренә тоташтырылган. С2 тискәре полюсы электр белән тәэмин итү җиренә тоташтырылган, икеле база интеграль чипның 5 пины R3 резисторның бер очына тоташтырылган, R3 резисторның икенче очын көчәнеш чагыштыргычының уңай фаза кертүенә тоташтырылган. , көчәнеш чагыштыргычының тискәре фаза кертүе D1 диодының уңай полюсына һәм R4 резисторының икенче очына тоташтырылган, D1 диодының тискәре полюсы электр белән тәэмин итү җиренә тоташтырылган, һәм көчәнеш чагыштыргычының чыгышы R5 резистор ахырына, R5 резисторның икенче очын PNP триплексына тоташтырылган. Вольт чагыштыргычының чыгышы R5 резисторның бер очына, Р5 резисторының икенче очын PNP транзистор VD1 нигезенә тоташтыралар, PNP транзистор VD1 коллекторы диодның уңай баганасына тоташтырылган. D2, диодның тискәре полюсы R6 резистор ахырына, C4 конденсатор ахырына һәм бер үк вакытта MOSFET капкасына тоташтырылган, Р6 резисторның икенче очын, конденсаторның икенче очын, һәм К1 арадаш эстафетаның икенче очын барысы да электр белән тәэмин итү җиренә тоташтырылган, һәм К1 арадаш эстафетаның икенче очын чыганакка тоташтыралар. чыганагыMOSFET.

MOSFET тоту схемасы, А түбән триггер сигналын биргәндә, бу вакытта икеле база интеграль чип NE556 җыелмасы, ике тапкыр база интеграль чип NE556 пин 5 чыгару югары дәрәҗә, көчәнеш чагыштыргычының уңай фаза кертүенә югары дәрәҗә, тискәре Р4 резисторы һәм D1 диод көчәнеш чагыштыргычының фаз кертү, белешмә көчәнешне тәэмин итү өчен, бу вакытта көчәнеш чагыштыручысы югары дәрәҗә, VD1 триоды үткәрү өчен югары дәрәҗә, ток VD1 триоды коллекторыннан D2 диоды аша конденсатор корылмасы агып тора, һәм шул ук вакытта MOSFET Q1 үткәрә, бу вакытта K1 арадаш эстафетасы кәтүге үзләштерелә, һәм K1 арадаш эстафета гадәттә K 1-1 контактны ябалар. өзелгән, һәм K1 арада эстафета гадәттә ябылган K 1-1 контакт өзелгәннән соң, ике тапкыр база интеграль чипның 1 һәм 2 футына электр энергиясе белән тәэмин итү. NE556 тәэмин итү көчәнешен тәэмин итә, ике тапкыр база интеграль чипның 1 һәм 2 пиндагы көчәнеш тәэмин итү көчәнешенең 2/3 өлешенә корылганчы, ике тапкыр база интеграль чип NE556 автоматик рәвештә торгызыла, һәм пин Ике тапкыр база интеграль чип NE556 автоматик рәвештә түбән дәрәҗәгә кайтарыла, һәм аннан соңгы схемалар эшләми, бу вакытта C4 конденсаторы MOSFET Q1 үткәрүне ахырга кадәр саклап калу өчен җибәрелә. сыйдырышлык C4 агызу һәм арадаш эстафета K1 кәтүк чыгару, K1 арадаш эстафета K 11 ябык контакт ябык, бу вакытта ябык арада Эстафета K1 гадәттә ябык контакт K 1-1 икеләтә вакыт базасы интеграль чип NE556 1 аяк һәм 2 фут көчәнеш чыгарыла, киләсе тапкыр икеле база интеграль чип NE556 пин 6 өчен түбән триггер сигналын тәэмин итү өчен, ике тапкыр база интеграль чип NE556 әзерләү өчен.

Бу кушымтаның схема структурасы гади һәм роман, ике вакыт базасы интеграль чип NE556 пин 1 һәм тәэмин итү көчәнешенең 2/3 өлешенә зарядланган вакытта, икеле база интеграль чип NE556 автоматик рәвештә яңадан урнаштырыла ала, икеле база интеграль чип NE556 пин 5 автоматик рәвештә түбән дәрәҗәгә кайта, алдагы схемалар эшләмәсен өчен, C4 конденсаторын зарядлауны автоматик рәвештә туктатыр өчен, һәм MOSFET Q1 белән сакланган C4 конденсатор корылмасын туктатканнан соң. үткәргеч, бу кушымта өзлексез саклый алаMOSFETQ1 үткәргеч 3 секунд.

Бу үз эченә R1-R6 резисторлары, C1-C3 электролитик конденсаторлар, C4 конденсатор, PNP транзистор VD1, диодлар D1-D2, арадаш эстафета K1, көчәнеш чагыштыручысы, икеле база интеграль чип NE556 һәм MOSFET Q1, икешәр вакыт базасы интегралланган 6 пин. чип NE556 сигнал кертү рәвешендә кулланыла, һәм R1 резисторның бер очын икеләтә вакыт базасы интеграль чипның 14 пинына тоташтыралар. NE556, Р2 резистор, ике вакыт базасы интеграль чипның 14 пины һәм NE556 икеләтә вакыт базасы интеграль чипның 14 пины, һәм R2 резисторы икеле база интеграль чипның 14 пинына тоташтырылган. Ике тапкыр база интеграль чипның 14 пины NE556, Р2 резисторның бер оч, Р4 резисторның бер оч, PNP транзистор

Нинди эш принцибы?

А түбән триггер сигналын биргәндә, ике тапкыр база интеграль чип NE556 җыелмасы, ике тапкыр база интеграль чип NE556 пин 5 чыгару югары дәрәҗә, көчәнеш чагыштыручының уңай фаза кертүенә югары дәрәҗә, тискәре фаз кертү белешмә көчәнешне тәэмин итү өчен R4 резисторы һәм D1 диод көчәнеш чагыштыручысы, бу юлы көчәнеш чагыштыручысы югары дәрәҗә, транзистор VD1 үткәрүнең югары дәрәҗәсе, ток коллекторыннан агым. транзистор VD1 диод аша C4 конденсаторына зарядка, бу вакытта, K1 кәтүк аракы эстафетасы, арадаш эстафета K1 индуктивлык кәтүге. VD1 транзистор коллекторыннан агым C2 конденсаторына D2 диоды аша корылган, һәм шул ук вакытта,MOSFETQ1 үткәрә, бу вакытта, K1 арадаш эстафета кәтүге сорала, һәм K1 арада ябылган Эстафета K 1-1 өзелә, һәм K1 арада эстафетадан соң K 1-1 контакт өзелә, көч өзелә. Электр энергиясе чыганагы белән тәэмин ителгән көчәнеш NE556 икешәр вакыт базасының интеграль чипының 1 һәм 2 футына тәэмин ителә, ике тапкыр база интеграль чипның 1 һәм 2 пиндагы көчәнеш булганчы саклана. NE556 тәэмин итү көчәнешенең 2/3 өлешенә корылган, ике тапкыр база интеграль чип NE556 автоматик рәвештә яңадан торгызыла, һәм NE556 икеле база интеграль чипның 5 пины автоматик рәвештә түбән дәрәҗәгә кайтарыла, һәм алдагы схемалар юк. эшләгез, һәм бу вакытта C4 конденсатор MOSFET Q1 үткәрүне саклап калу өчен, C4 конденсатор агызу ахырына кадәр җибәрелә, һәм K1 арадаш эстафета кәтүге чыгарыла, һәм арадаш эстафета K1 гадәттә ябык контакт K 1-1 өзелгән. Эстафета K1 гадәттә ябык контакт К 1-1 ябык, бу юлы ябык арадаш эстафета аша K1 гадәттә ябык контакт K 1-1 ике тапкыр база интеграль чип NE556 көчәнеш чыгарылышында 1 фут һәм 2 фут булачак, киләсе тапкыр икеләтә база интеграль чип NE556 пин 6 түбән куярга триггер сигналын тәэмин итү өчен, ике тапкыр база интеграль чип NE556 җыелмасына әзерләнү өчен.