MOSFET һәм транзисторларның параллель теориясе

Пост вакыты: Июль-05-2024

Параллель транзисторлар һәм MOSFETларның төп теориясе турында: Беренчедән, транзисторларның тискәре экспоненциаль температура кыйммәте бар, ягъни транзистор температурасы үзе күтәрелгәч, каршылык кечерәячәк. Икенчедән, MOSFETлар транзисторлардан аермалы буларак, уңай экспоненциаль температура кыйммәтенә ия, димәк, температура күтәрелгәч, каршылык әкренләп артачак.

Транзисторлар белән чагыштырганда, MOSFETлар токны параллель электр схемаларында тигезләү өчен кулайрак. Шуңа күрә электр белән тәэмин итү челтәрендәге ток чагыштырмача зур булганда, без гадәттә параллель MOSFETларны шант өчен кулланырга киңәш итәбез. Токны тигезләү өчен MOSFETларны сайлаганда, һәм ток MOSFET токыннан икенче юлдан артып киткәндә, MOSFET токы зур MOSFET җылылыгы аркасында килеп чыга, бу каршылыкка китерәчәк. , токның төшүен киметү; MOSFETлар токның аермасына нигезләнеп, гел көйләнергә, һәм ниһаять, икесе арасындагы агымдагы балансны тормышка ашырыргаMOSFETs.

Игътибар итәргә кирәк булган әйберләрнең берсе: транзисторлар шулай ук параллель рәвештә югары ток товарлары агымын тәмамлау өчен тоташырга мөмкин, ләкин соңыннан сезгә һәрберсенең хәзерге балансы белән эш итәр өчен серияле резистор нигезенә нигезләнергә кирәк. проблема уртасында параллель транзистор.

Транзистор параллель тоташуның гомуми проблемалары:

(2), һәр транзистор белән идарә итү(MOSFET)эзлеклелекне саклау өчен ачык вакыт һәм якын вакыт, чөнки эзлекле булмаса, беренче торбаны ачу яки торбаны ябу, артык күп ток үтеп керү аркасында юкка чыгачак.

(3), һәм, ниһаять, без тигезләүче резистор белән бер-бер артлы һәр транзистор чыганагына ирешергә теләр идек, әлбәттә, моны эшләргә кирәк түгел.

Олуеки агрессив базар үсеше һәм ресурсларны эффектив интеграцияләү аша Азиядә иң яхшы һәм тиз үсә торган агентларның берсе булды. Дөньяда иң кыйммәтле агент булуолукимаксат.