MOSFETлар (металл оксид ярымүткәргеч кыр эффект транзисторлары) көчәнеш белән идарә итүче җайланмалар дип атала, чөнки аларның эш принцибы, нигездә, капка көчәнешен (Vgs) дренаж токы (Id) белән идарә итүгә таяна, аны контрольдә тоту өчен токка таянмыйча, биполяр транзисторларда (мәсәлән, BJT). Түбәндә көчәнеш белән идарә итүче җайланма буларак MOSFETның җентекле аңлатмасы:
Эш принцибы
Капка көчәнешен контрольдә тоту:MOSFET йөрәге аның капкасы, чыганагы һәм дренаж структурасы, һәм капка астындагы изоляцион катлам (гадәттә кремний диоксиды) арасында. Капкага көчәнеш кулланылганда, изоляцион катлам астында электр кыры барлыкка килә, һәм бу кыр чыганак белән дренаж арасындагы мәйданның үткәрүчәнлеген үзгәртә.
Uctткәргеч канал формалашуы:N-канал MOSFETлар өчен, капка көчәнеше Vgs җитәрлек булганда (бусага көчәнеше Vt дип аталган билгеле кыйммәттән югары), капка астындагы P тибындагы субстраттагы электроннар изоляцион катламның аскы ягына тартыла, N- формалаштыра. Чыганак белән дренаж арасында үткәрүчәнлеккә мөмкинлек бирүче үткәргеч канал тибы. Киресенчә, Vgs Vt-тан түбән булса, үткәргеч канал формалашмый һәм MOSFET өзелә.
Агымдагы контрольне агызыгыз:Дренаж токының зурлыгы, нигездә, капка көчәнеше Vgs белән идарә ителә. Vgs никадәр югары булса, үткәргеч канал киңрәк формалаша, һәм дренаж токы зуррак. Бу бәйләнеш MOSFETка көчәнеш белән идарә итүче ток җайланмасы булып эшләргә мөмкинлек бирә.
Пиезо характеристика өстенлекләре
Inputгары кертү импедансы:MOSFET-ның кертү импеденциясе капка һәм чыганак-дренаж өлкәсен изоляция катламы белән изоляцияләү аркасында бик югары, һәм капка токы нульгә диярлек, бу аны югары кертү импеденциясе кирәк булган схемаларда файдалы итә.
Түбән тавыш:MOSFETлар эш вакытында чагыштырмача түбән тавыш чыгаралар, күбесенчә аларның югары кертү импедансы һәм бер поляр йөртүче үткәрү механизмы аркасында.
Тиз күчү тизлеге:MOSFETлар көчәнеш белән идарә ителә торган җайланмалар булганлыктан, аларның күчү тизлеге гадәттә биполяр транзисторларга караганда тизрәк, алар күчү вакытында зарядны саклау һәм чыгару процессын үтәргә тиеш.
Түбән энергия куллану:Штатта, MOSFETның дренаж чыганагына каршы тору (RDS) чагыштырмача түбән, бу энергия куллануны киметергә ярдәм итә. Шулай ук, өзелгән хәлдә, статик энергия куллану бик түбән, чөнки капка токы нульгә диярлек.
Йомгаклап әйткәндә, MOSFETлар көчәнеш белән идарә ителә торган җайланмалар дип атала, чөнки аларның эш принцибы капка көчәнеше белән дренаж токын контрольдә тотуга таяна. Бу көчәнеш белән идарә ителә торган характеристика MOSFETларны электрон схемаларда куллану өчен вәгъдә бирә, аеруча югары кертү импеденциясе, аз тавыш, тиз күчү тизлеге һәм аз энергия куллану таләп ителгән урында.
Пост вакыты: 16-2024 сентябрь
