Төрле төрләре барMOSFETs, нигездә, MOSFET чишелешенә һәм MOSFET изоляцияләнгән капкага ике категориягә бүленәләр, һәм барысында да N-канал һәм P-канал нокталары бар.
Металл-оксид-ярымүткәргеч кыр-эффект транзисторы, MOSFET дип атала, тузган MOSFET төренә һәм MOSFET көчәйтү төренә бүленә.
MOSFETлар шулай ук бер капкалы һәм ике капкалы трубаларга бүленәләр. Ике капкалы MOSFETның ике бәйсез G1 һәм G2 капкасы бар, бер-бер артлы тоташкан ике капкалы MOSFET эквивалентыннан, һәм аның чыгу токы ике капка көчәнеш контроле белән үзгәрә. Ике капкалы MOSFETларның бу характеристикасы югары ешлыклы көчәйткечләр, контроль көчәйткечләр, миксерлар һәм демодуляторлар буларак кулланылганда зур уңайлыклар китерә.
1, MOSFETтөре һәм структурасы
MOSFET - FETның бер төре (бүтән төре - JFET), көчәйтелгән яки бетү төренә, P-каналга яки N-каналга барлыгы дүрт төрдә җитештерелергә мөмкин, ләкин көчәйтелгән N-канал MOSFET һәм көчәйтелгән P- теоретик куллану. MOSFET каналы, гадәттә NMOS, яки PMOS дип аталган бу ике төргә карый. Ни өчен MOSFET-ларның бетү төрен кулланмаска, төп сәбәпне эзләргә киңәш итмәгез. Ике көчәйтелгән MOSFET-ка килгәндә, иң еш кулланыла торган NMOS, сәбәбе - каршылык кечкенә, һәм җитештерү җиңел. Шулай итеп, электр белән тәэмин итү һәм мотор йөртүче кушымталарын күчү, гадәттә NMOS кулланыгыз. түбәндәге цитата, ләкин тагын да күбрәк NMOS нигезендә. өч кадак арасында MOSFET паразитик сыйдырышлыгы бар, бу безнең ихтыяҗ түгел, җитештерү процессы чикләүләре аркасында. Берникадәр вакытны саклап калу өчен саклагыч схемасын проектлауда яки сайлауда паразитик сыйдырышлыкның булуы, ләкин моннан качу мөмкинлеге юк, аннары җентекләп кертү. MOSFET схематик схемасында паразитик диод арасындагы дренаж һәм чыганакны күрергә мөмкин. Бу тән диоды дип атала, рациональ йөк йөртүдә бу диод бик мөһим. Әйткәндәй, тән диоды бер MOSFETта гына бар, гадәттә интеграль челтәр эчендә түгел.
2, MOSFET үткәрү үзенчәлекләре
Conductткәрүнең мәгънәсе, коммутаторның ябылуына тиң булган коммутатор кебек. 4V яки 10V.PMOS характеристикаларында, Vgs билгеле бер кыйммәттән азрак үткәрәчәк, чыганак VCC (югары диск) белән тоташкан очракта куллану өчен яраклы.
Ләкин, әлбәттә, PMOS югары драйвер буларак куллану бик җиңел булырга мөмкин, ләкин каршылык аркасында, кыйммәт, аз алмашу төрләре һәм башка сәбәпләр аркасында, югары драйверда, гадәттә, NMOS кулланалар.
3, MOSFETюгалту
NMOS яки PMOS булсын, каршылык булганнан соң, ток бу каршылыкта энергия кулланыр өчен, кулланылган энергиянең бу өлеше каршылык югалту дип атала. Кечкенә каршылыклы MOSFET сайлау каршылык югалтуын киметәчәк. Гадәттәге түбән көчле MOSFET каршылык гадәттә дистәләрчә миллиохмда, анда берничә миллиохм. MOS вакытында һәм өзелгәндә, MOS аша көчәнешнең тиз арада тәмамлануында булырга тиеш түгел, төшү процессы бар, ток күтәрелү процессы аша агып тора, бу вакыт эчендә MOSFET югалту. көчәнеш һәм ток продукты күчү югалту дип атала. Гадәттә, күчү югалту үткәрү югалтуыннан күпкә зуррак, һәм күчү ешлыгы тизрәк, югалту зуррак. Conductткәрү мизгелендә көчәнешнең һәм токның зур продукты зур югалту тәшкил итә. Күчерү вакытын кыскарту һәр үткәрүдә югалтуны киметә; күчү ешлыгын киметү берәмлек вакытына ачкычлар санын киметә. Ике алым да күчү югалтуын киметергә мөмкин.
4, MOSFET диск
Биполяр транзисторлар белән чагыштырганда, гадәттә MOSFET үткәрү өчен бернинди ток кирәк түгел, GS көчәнеше билгеле бер кыйммәттән югарырак дип уйланыла. Моны эшләү җиңел, ләкин безгә шулай ук тизлек кирәк. MOSFET структурасында GS, GD арасында паразитик сыйдырышлык барлыгын күрә аласыз, һәм MOSFET йөртү теоретик яктан сыйдырышлыкны зарядлау һәм җибәрү. Конденсаторны зарядлау ток таләп итә, һәм конденсаторны тиз арада зарядлау кыска схема итеп карала алганлыктан, мизгел ток югары булачак. MOSFET саклагычын сайлау / дизайны иң беренче игътибарга лаек нәрсә - тиз арада кыска схема токының күләме. Икенче игътибарга лаек нәрсә, гадәттә, югары дәрәҗәдәге NMOS саклагычта кулланыла, таләп буенча капка көчәнеше чыганак көчәнешеннән зуррак. Endгары очлы MOS труба үткәрү чыганагы көчәнеше һәм дренаж көчәнеше (VCC) бер үк, шуңа күрә капка көчәнеше VCC 4V яки 10V белән чагыштырганда. Шул ук системада, VCC-тан зуррак көчәнеш алу өчен, безгә махсус көчәйтү схемасы кирәк. Күпчелек мотор йөртүчеләре интеграль корылма насосы, MOSFET йөртү өчен җитәрлек кыска схема алу өчен, тиешле тышкы конденсаторны сайларга кирәк. Aboveгарыда әйтелгән 4V яки 10V гадәттә көчәнештә MOSFET кулланыла, әлбәттә, дизайны, билгеле бер маржа кирәк. Вольт никадәр югары булса, дәүләт тизлеге тизрәк һәм дәүләт каршылыгы түбәнрәк. Гадәттә, төрле категорияләрдә кулланылган кечерәк көчәнеш MOSFETлар да бар, ләкин 12В автомобиль электроника системаларында гади 4В штаты җитә.
MOSFETның төп параметрлары түбәндәгечә:
1. капка чыганагы өзелү көчәнеше BVGS - капка чыганагы көчәнешен арттыру процессында, капка токы ИГ нульдән VGS кискен артуны башлар өчен, капка чыганагы өзелү көчәнеше BVGS дип атала.
2. ВТ кабызу көчәнеше - кабызу көчәнеше (бусага көчәнеше дип тә атала): S чыганагын ясарга һәм үткәргеч канал башы арасындагы D агызуны капка көчәнешен тәшкил итә; - стандартлаштырылган N-канал MOSFET, VT якынча 3 ~ 6В; - камилләштерү процессыннан соң, MOSFET VT кыйммәтен 2 ~ 3Вка кадәр ясарга мөмкин.
3. Дренаж ватылу көчәнеше BVDS - VGS = 0 (ныгытылган) шартларында, дренаж көчәнешен арттыру процессында, VDS дренаж ватылу көчәнеше BVDS дип аталгач, ID кискен арта башлый - ID аркасында кискен артты. түбәндәге ике аспект:
(1) дренаж электроды янындагы тузган катламның кар көчәнеше
. , шулай итеп каналның озынлыгы нуль, ягъни дренаж чыганагына үтеп керү, үтеп керү, күпчелек йөртүчеләрнең чыганак төбәге, чыганак өлкәсе, электр кырының үзләштерү катламына каршы торыр өчен, зур таныклыкка китергән агып чыккан төбәктә килеп җитү.
4. DC кертү каршылыгы RGS, ягъни капка чыганагы белән капка токы арасында кушылган көчәнешнең нисбәте, бу характеристика кайвакыт MOSFETның RGS капкасы аша агып торган капка токы белән күрсәтелә, җиңел 1010Ωтан артып китә ала. 5.
5. ВДСта аз ешлыклы транскондуктив гм шартларның тотрыклы кыйммәте, дренаж токының микровариансы һәм бу үзгәреш аркасында килеп чыккан капка чыганагы көчәнеш микровариансы транскондуктив гм дип атала, капка чыганагы көчәнешенең контролен чагылдыра. дренаж токы - мөһим параметрның MOSFET көчәйтүен күрсәтү, гадәттә берничә мА / V диапазонында. MOSFET җиңел 1010Ωтан артып китә ала.
Пост вакыты: 14-2024 май
