Позитив металл металл оксиды ярымүткәргеч дип аталган PMOSFET - MOSFETның махсус төре. Түбәндә PMOSFETларның җентекле аңлатмасы:
I. Төп структура һәм эш принцибы
1. Төп структура
PMOSFETларның n тибындагы субстратлары һәм p-каналлары бар, һәм аларның структурасы нигездә капка (G), чыганак (S) һәм дренаж (D) тәшкил итә. N тибындагы кремний субстратында ике P + регион бар, алар чыганак һәм дренаж булып хезмәт итәләр, һәм алар p-канал аша бер-берсенә тоташалар. Капка канал өстендә урнашкан һәм каналдан металл оксиды изоляцион катлам белән изоляцияләнгән.
2. Эш принциплары
PMOSFETлар NMOSFETларга охшаш, ләкин капма-каршы ташучылар белән. PMOSFETта төп йөртүчеләр тишекләр. Чыганакка карата тискәре көчәнеш кулланылганда, капка астындагы n тибындагы кремний өслегендә p тибындагы кире катлам барлыкка килә, ул чыганак белән дренажны тоташтыручы окоп булып хезмәт итә. Капка көчәнешен үзгәртү каналдагы тишекләрнең тыгызлыгын үзгәртә, шуның белән каналның үткәрүчәнлеген контрольдә тота. Капка көчәнеше җитәрлек түбән булганда, каналдагы тишекләрнең тыгызлыгы чыганак белән дренаж арасында үткәрү өчен җитәрлек дәрәҗәгә җитә; киресенчә, канал өзелә.
II. Характеристика һәм кулланмалар
1. Характеристика
Түбән хәрәкәтчәнлек: P-канал MOS транзисторлары чагыштырмача түбән тишек хәрәкәтенә ия, шуңа күрә PMOS транзисторларының транскондуктивлыгы шул ук геометрия һәм эш көчәнеше астында NMOS транзисторларына караганда кечерәк.
Түбән тизлек, аз ешлыклы кушымталар өчен яраклы: Түбән хәрәкәтчәнлек аркасында, PMOS интеграль схемалар түбән тизлектә, аз ешлыклы өлкәләрдә куллану өчен кулайрак.
Condткәрү шартлары: PMOSFETларның үткәрү шартлары NMOSFETларга капма-каршы, чыганак көчәнешеннән түбән капка көчәнешен таләп итә.
- Кушымталар
Sideгары якка күчү: PMOSFETлар гадәттә югары якта күчү конфигурацияләрендә кулланыла, анда чыганак уңай тәэмин итүгә, дренаж йөкнең уңай очына тоташкан. PMOSFET үткәргәндә, ул йөкнең уңай очын уңай тәэмин итүгә тоташтыра, токны йөк аша үткәрергә мөмкинлек бирә. Бу конфигурация энергия белән идарә итү һәм двигательләр кебек өлкәләрдә бик еш очрый.
Кире саклау схемалары: PMOSFETлар кире саклау схемаларында кулланылырга мөмкин, кире электр белән тәэмин итү яки ток агымын йөкләү аркасында килеп чыккан схемага зыян китермәс өчен.
III. Дизайн һәм уйланулар
1. Капка тавышын контрольдә тоту
PMOSFET схемаларын эшләгәндә, дөрес эшләүне тәэмин итү өчен капка көчәнешен төгәл контрольдә тоту таләп ителә. PMOSFETларның үткәрү шартлары NMOSFET шартларына капма-каршы булганлыктан, капка көчәнешенең полярлыгына һәм зурлыгына игътибар ителергә тиеш.
2. Йөкләү
Йөкне тоташтырганда, токның PMOSFET аша дөрес агымын тәэмин итү өчен, йөкнең полярлыгына игътибар ителергә тиеш, һәм йөкнең PMOSFET эшенә йогынтысы, көчәнеш төшүе, энергия куллану һ.б. , шулай ук карарга кирәк.
3. Температураның тотрыклылыгы
PMOSFETларның эшләве температурага бик нык тәэсир итә, шуңа күрә схемаларның проектлаганда температураның PMOSFET эшенә тәэсирен исәпкә алырга кирәк, һәм схемаларның температурасы тотрыклылыгын яхшырту өчен тиешле чаралар күрелергә тиеш.
4. Саклау схемалары
Эш вакытында PMOSFETларның артык һәм артык көчәнеш аркасында зарарланмасын өчен, схемага артык артык саклау һәм артык көчәнештән саклау кебек саклау схемалары урнаштырылырга тиеш. Бу саклау схемалары PMOSFETны эффектив саклый һәм хезмәт срогын озайта ала.
Йомгаклап әйткәндә, PMOSFET - махсус структурасы һәм эш принцибы булган MOSFET төре. Аның түбән хәрәкәтчәнлеге һәм аз тизлектәге, аз ешлыклы кушымталар өчен яраклылыгы аны махсус өлкәләрдә киң куллана. PMOSFET схемаларын эшләгәндә, капка көчәнешен контрольдә тотуга, йөк тоташуларына, температураның тотрыклылыгына һәм схеманың дөрес эшләвен тәэмин итүгә игътибар бирергә кирәк.
Пост вакыты: 15-2024 сентябрь