Күчергеч электр тәэминаты яки мотор йөртүче схемасын эшләгәндәMOSFETs, каршылык, максималь көчәнеш, MOS максималь ток кебек факторлар карала.
MOSFET трубалары - FET төре, ул көчәйтү яки бетү төре, P-канал яки N-канал барлыгы 4 төргә ясалырга мөмкин. NMOSFET-ны арттыру һәм PMOSFET-ны арттыру гадәттә кулланыла, һәм бу икесе гадәттә искә алына.
Бу икесе еш кулланыла NMOS. сәбәбе - үткәргеч каршылык кечкенә һәм җитештерү җиңел. Шуңа күрә, NMOS гадәттә электр тәэминаты һәм мотор йөртүче кушымталарын күчерүдә кулланыла.
MOSFET эчендә дренаж белән чыганак арасында тиристор урнаштырыла, бу моторлар кебек индуктив йөкләрне йөртүдә бик мөһим, һәм бер MOSFETта гына бар, гадәттә интеграль челтәрдә түгел.
Паразитик сыйдырышлык MOSFETның өч кадак арасында бар, безгә кирәк түгел, ә җитештерү процессының чикләнүе аркасында. Паразитик сыйдырышлыкның булуы шофер схемасын проектлаганда яки сайлаганда аны катлаулырак итә, ләкин моны булдырып булмый.
Төп параметрларыMOSFET
1, ачык көчәнеш ВТ
Ачык көчәнеш (бусага көчәнеше дип тә атала): шулай итеп капка көчәнеше S чыганагы һәм D дренажы арасында үткәргеч канал формалаштыра башлау өчен кирәк; стандарт N-канал MOSFET, VT якынча 3 ~ 6В; процессны яхшырту аша MOSFET VT бәясе 2 ~ 3Вка кадәр киметелергә мөмкин.
2, DC кертү каршылыгы RGS
Капка чыганагы баганасы белән капка токы арасында кушылган көчәнешнең нисбәте Бу характеристика кайвакыт капка аша агып торган капка токы белән күрсәтелә, MOSFET RGS җиңел 1010Ωтан артып китә ала.
3. БВДС көчәнешенең чыганак өзелүе.
VGS = 0 (көчәйтелгән) шартларында, дренаж чыганагы көчәнешен арттыру процессында, VDS дренаж чыганагы өзелү көчәнеше BVDS дип аталганда, ID кискен арта, ике сәбәп аркасында таныклык кискен арта: (1) кар көчәнеше дренаж янындагы тузган катламның өзелүе, (2) дренаж һәм чыганак баганалар арасына үтеп керү, кыскарак озынлыктагы кайбер MOSFETлар VDSны арттыралар, шулай итеп дренаж өлкәсендәге дренаж катламы чыганак өлкәсенә кадәр киңәя, Канал озынлыгын нульгә әйләндерү, ягъни дренаж чыганагына үтеп керү, үтеп керү өчен, чыганак төбәгендәге күпчелек йөртүчеләр тузган катламның электр кыры белән турыдан-туры дренаж өлкәсенә тартылачак, нәтиҗәдә зур ID .
4, BVGS капка чыганагы өзелү көчәнеше
Капка көчәнеше артканда, ИГ нульдән артканда VGS капка чыганагы өзелү көчәнеше BVGS дип атала.
5、Түбән ешлыклы транскондукция
VDS тотрыклы кыйммәт булганда, дренаж токының микровариациясенең капка чыганагы көчәнешенең микровариациясенә мөнәсәбәте транскондукция дип атала, ул капка чыганагы көчәнешенең дренаж токын контрольдә тоту сәләтен чагылдыра, һәм көчәйтү сәләтен характерлаучы мөһим параметрMOSFET.
6, каршылыклы RON
Каршылыклы RON VDS-ның ID-ка тәэсирен күрсәтә, билгеле бер вакытта дренаж характеристикасының тангенс сызыгының кире ягы, туену өлкәсендә, ID VDS белән үзгәрми диярлек, RON бик зур кыйммәт, гадәттә дистәләрчә кило-Охмнан йөзләгән кило-Омска кадәр, чөнки санлы схемаларда MOSFETлар еш үткәргеч VDS = 0 торышында эшлиләр, шуңа күрә бу вакытта каршылыклы RON белән якынлашырга мөмкин ROS-ның килеп чыгышы, якынча MOSFET өчен, RON бәясе берничә йөз охм эчендә.
7, полярара сыйдырышлык
Интерполяр сыйдырышлык өч электрод арасында бар: капка чыганак сыйдырышлыгы CGS, капка дренаж сыйдырышлыгы CGD һәм дренаж чыганагы сыйдырышлыгы CDS-CGS һәм CGD якынча 1 ~ 3pF, CDS якынча 0,1 ~ 1pF.
8、Түбән ешлыклы тавыш факторы
Тавыш үткәргечтә йөртүчеләр хәрәкәтендәге тәртип бозулар аркасында килеп чыга. Аның булуы аркасында, көчәйткеч җибәргән сигнал булмаса да, тәртипсез көчәнеш яки ток үзгәрүләре килеп чыга. Көчле эш гадәттә NF тавыш факторы ягыннан күрсәтелә. Unitайланма десибель (dB). Кыйммәт никадәр аз булса, труба азрак тавыш чыгара. Түбән ешлыклы тавыш факторы - аз ешлык диапазонында үлчәнгән тавыш факторы. Кыр эффект трубасының шау-шу факторы берничә дБ тирәсе, биполяр триодныкыннан азрак.
Пост вакыты: 24-2024 апрель
