Бу пакетланганMOSFETпироэлектрик инфракызыл сенсор. Турыпочмаклы рам - сизү тәрәзәсе. G пин - җир терминалы, D пин - эчке MOSFET дренаҗы, S пин - эчке MOSFET чыганагы. Схемада G җиргә тоташтырылган, D уңай электр тәэминатына тоташтырылган, инфракызыл сигналлар тәрәзәдән, электр сигналлары С.дан чыга.
Г.
MOS драйверы, нигездә, дулкын формасын формалаштыру һәм йөртү көчәйтү ролен башкара: Әгәр G сигнал дулкын формасыMOSFETҗитәрлек текә түгел, күчү стадиясендә күп күләмдә көч югалтуга китерәчәк. Аның ягы - схеманы әйләндерүнең эффективлыгын киметү. MOSFET каты кызышуга китерәчәк һәм җылылык белән җиңел зыян күрәчәк. MOSFETGS арасында билгеле сыйдырышлык бар. , G сигналын йөртү мөмкинлеге җитмәсә, ул дулкын формасының сикерү вакытына җитди йогынты ясар.
Кыска схема GS полюсы, мультиметрның R × 1 дәрәҗәсен сайлагыз, кара сынау корычын S полюсына тоташтырыгыз, кызыл сынау D полюсына алып бара. Каршылык берничә Ω - уннан артык булырга тиеш. Әгәр дә билгеле бер пинның һәм аның ике кадакының каршылыгы чиксез икәнлеге ачыкланса, һәм ул сынау корылмаларын алыштырганнан соң да чиксез булса, бу пинның G полюсы булуы раслана, чөнки ул калган ике кадактан изоляцияләнгән.
S чыганагын билгеләгез һәм D агызыгыз
Мультиметрны R × 1k итеп куегыз һәм өч кадак арасындагы каршылыкны үлчәгез. Каршылыкны ике тапкыр үлчәү өчен алмашу сынау курсы ысулын кулланыгыз. Түбән каршылык бәясе булган (гадәттә берничә мең Ω ун меңнән артык Ω) алга каршылык. Бу вакытта кара сынау корпусы S полюсы һәм кызыл сынау корпусы D полюсына тоташтырылган. Төрле сынау шартлары аркасында, үлчәнгән RDS (on) бәясе кулланмада бирелгән типик кыйммәттән югарырак.
ТурындаMOSFET
Транзисторда N тибындагы канал бар, шуңа күрә ул N-канал дип аталаMOSFET, якиNMOS. P-канал MOS (PMOS) FET шулай ук бар, ул PMOSFET, җиңелчә кабатланган N тибындагы КАРАШ һәм P тибындагы чыганак һәм дренаж.
N-тип яки P-MOSFET нинди булуына карамастан, аның эш принцибы бер үк. MOSFET чыгу терминалының дренажындагы токны кертү терминалы капкасына кулланылган көчәнеш белән контрольдә тота. MOSFET - көчәнеш белән идарә итүче җайланма. Ул җайланманың үзенчәлекләрен капкага кулланылган көчәнеш аша контрольдә тота. Транзистор күчү өчен кулланылганда, ул төп ток аркасында корылма саклау эффектын китерми. Шуңа күрә, кушымталарны күчерүдә,MOSFETsтранзисторларга караганда тизрәк күчәргә тиеш.
FET шулай ук аның исемен кертү (капка дип атала) транзистор аша агып торган токка тәэсир итә, электр кырын изоляцион катламга юнәлтә. Чынлыкта, бу изолятор аша бернинди ток та агып чыкмый, шуңа күрә FET трубасының GATE токы бик кечкенә.
Иң еш очрый торган FET капка төбендә изолятор буларак кремний газының нечкә катламын куллана.
Бу төр транзистор металл оксиды ярымүткәргеч (MOS) транзистор, яки, металл оксиды ярымүткәргеч кыр эффект транзисторы (MOSFET) дип атала. MOSFETлар кечерәк һәм көчлерәк булганга, алар күп кушымталарда биполяр транзисторларны алыштырдылар.
Пост вакыты: 10-2023 ноябрь
