MOSFETsкиң кулланыла. Хәзер кайбер зур масштаблы интеграль схемалар MOSFET кулланыла, төп функция һәм BJT транзисторы күчү һәм көчәйтү. Нигездә BJT триоды кайда кулланылырга мөмкин, һәм кайбер урыннарда спектакль триодка караганда яхшырак.
MOSFET көчәйтү
MOSFET һәм BJT триоды, ярымүткәргеч көчәйткеч җайланмасы булса да, ләкин триодка караганда өстенлекләр, югары керү каршылыгы кебек, сигнал чыганагы ток юк диярлек, кертү сигналының тотрыклылыгына ярдәм итә. Бу кертү этап көчәйткече буларак идеаль җайланма, шулай ук түбән тавыш һәм яхшы температураның тотрыклылыгы өстенлекләренә ия. Бу еш аудио көчәйтү схемалары өчен алдан күчергеч буларак кулланыла. Ләкин, ул көчәнеш белән идарә итүче ток җайланмасы булганлыктан, дренаж токы капка чыганагы арасындагы көчәнеш белән идарә ителә, аз ешлыклы транскондүткәргечнең көчәйтү коэффициенты гадәттә зур түгел, шуңа күрә көчәйтү сәләте начар.
MOSFETның күчү эффекты
Электрон ачкыч буларак кулланылган MOSFET, полион үткәрүчәнлегенә генә таянганга, төп ток һәм корылма саклау эффекты аркасында BJT триоды юк, шуңа күрә MOSFETның күчү тизлеге триодка караганда тизрәк, күчү трубасы кебек. еш югары ешлыктагы югары токлы очракларда кулланыла, мәсәлән, эшнең югары ешлыгында MOSFETта кулланылган электр тәэминатын күчү. BJT триод ачкычлары белән чагыштырганда, MOSFET ачкычлары кечерәк көчәнешләрдә һәм агымнарда эшли ала, һәм кремний вафаларга интеграцияләү җиңелрәк, шуңа күрә алар зур масштаблы интеграль схемаларда киң кулланыла.
Кулланганда нинди саклык чаралары барMOSFETs?
MOSFETлар триодларга караганда нечкә һәм дөрес булмаган куллану аркасында җиңел зыян китерергә мөмкин, шуңа күрә аларны кулланганда аеруча игътибарлы булырга кирәк.
(1) Төрле куллану очраклары өчен тиешле MOSFET төрен сайларга кирәк.
.
(3) MOSFET чишелешенең капка чыганагы көчәнешен кире кайтарып булмый, ләкин ачык схемада саклап калырга мөмкин.
(4) MOSFETның югары кертү импеденциясен саклап калу өчен, труба дымнан сакланырга һәм куллану шартларында коры булырга тиеш.
(5) MOSFET белән контактта зарядланган әйберләр (мәсәлән, тимер, сынау кораллары һ.б.) трубага зыян китермәс өчен җиргә салынырга тиеш. Бигрәк тә MOSFET изоляцияләнгән капкасын эреткәндә, чыганак буенча - эретеп ябыштыру тәртибе, капкадан соң эретеп ябыштыру яхшырак. 15 ~ 30W эретеп ябыштыручы тимернең көче урынлы, эретеп ябыштыру вакыты 10 секундтан артмаска тиеш.
. Чыгарылганда, электродларны кыска схемага чыгарырга кирәк, капка үзгәрмәсен өчен.
(7) куллангандаMOSFETsсубстрат корычлары белән, субстрат корычлары дөрес тоташырга тиеш.
Пост вакыты: 23-2024 апрель
