MOSFETның ике төп төре бар: бүленгән чишелеш тибы һәм изоляцияләнгән капка тибы. MOSFET чишелеше (JFET) дип атала, чөнки аның ике PN тоташуы һәм изоляцияләнгән капкасы барMOSFET(JGFET) исемләнгән, чөнки капка бүтән электродлардан тулысынча изоляцияләнгән. Хәзерге вакытта MOSFET изоляцияләнгән капка арасында иң еш кулланыла торган MOSFET (MOSFET) дип атала (металл-оксид-ярымүткәргеч MOSFET); моннан тыш, PMOS, NMOS һәм VMOS көче MOSFETлар, шулай ук күптән түгел эшләтеп җибәрелгән πMOS һәм VMOS көч модуллары һ.б.
Төрле канал ярымүткәргеч материаллары буенча, тоташу тибы һәм изоляцион капка тибы канал һәм P каналына бүленә. Condткәрүчәнлек режимы буенча бүленсә, MOSFET тузу төренә һәм көчәйтү төренә бүленергә мөмкин. MOSFET чишелеше - барысы да бетү тибы, һәм изоляцияләнгән капка MOSFETлар бетү тибы һәм көчәйтү төре.
Кыр эффекты транзисторларын тоташу кыры эффект транзисторларына һәм MOSFETларга бүлеп була. MOSFETлар дүрт категориягә бүленәләр: N-каналның бетү төре һәм көчәйтү төре; П-каналның бетү төре һәм көчәйтү төре.
MOSFET характеристикалары
MOSFET өчен характеристика - көньяк капка көчәнеше UG; аның дренаж ток таныклыгын контрольдә тота. Гади биполяр транзисторлар белән чагыштырганда, MOSFETлар югары кертү импедансының, түбән тавышның, зур динамик диапазонның, аз энергия куллануның һәм җиңел интеграциянең үзенчәлекләренә ия.
Тискәре көчәнешнең (-UG) абсолют кыйммәте артканда, бетү катламы арта, канал кими, һәм дренаж токы кими. Тискәре көчәнешнең (-UG) абсолют кыйммәте кимегәндә, бетү катламы кими, канал арта, һәм дренаж ток таныклыгы арта. Күрергә була, дренаж токы ID капка көчәнеше белән идарә ителә, шуңа күрә MOSFET - көчәнеш белән идарә итүче җайланма, ягъни чыгу токының үзгәрүе кертү көчәнешенең үзгәрүе белән контрольдә тотыла, көчәйтүгә ирешү өчен һәм бүтән максатлар.
Биполяр транзисторлар кебек, MOSFET көчәйтү кебек схемаларда кулланылганда, аның капкасына ике як көчәнеше дә кушылырга тиеш.
Килеш кыр кыры эффект трубасы капкасы кире көчәнеш көчәнеше белән кулланылырга тиеш, ягъни N канал трубасына тискәре капка көчәнеше һәм P-канал трубасына уңай капка тырмасы кулланылырга тиеш. Көчле изоляцияләнгән капка MOSFET алга капка көчәнешен кулланырга тиеш. MOSFET изоляцияләнгән тузган режимның капка көчәнеше уңай, тискәре яки "0" булырга мөмкин. Тиешлелек өстәү ысулларына тотрыклы икейөзлелек ысулы, үз-үзен тәэмин итү ысулы, туры кушылу ысулы һ.б. керә.
MOSFETбик күп параметрлары бар, шул исәптән DC параметрлары, AC параметрлары һәм лимит параметрлары, ләкин гадәти куллануда сезгә түбәндәге төп параметрларга игътибар итергә кирәк: туендырылган дренаж чыганагы ток IDSS чыбыклы көчәнеш Up, (тоташу трубасы һәм бетү режимы изоляцияләнгән капка трубасы, яисә кабызылган көчәнеш UT (ныгытылган изоляцияләнгән капка трубасы), транскондүткәргеч гм, дренаж чыганагы өзелү көчәнеше BUDS, максималь энергия тарату PDSM һәм максималь дренаж чыганагы агым IDSM.
(1) Тозылган дренаж чыганагы
Туенган дренаж чыганагы токы IDSS дренаж чыганагы токына карый, капка көчәнеше UGS = 0 тоташкан урында яки MOSFET изоляцияләнгән капкада.
(2) Чыгарылган көчәнеш
Чистарту көчәнеше UP капка көчәнешен аңлата, дренаж чыганагы тоташуы MOSFET чишелешендә яки тузган типтагы изоляцияләнгән капкада өзелгәндә. N-канал трубасының UGS-ID сызыгы өчен 4-25 күрсәткәнчә, IDSS һәм UP мәгънәсе ачык күренә.
3) кабызу көчәнеше
Күчерелгән көчәнеш UT капка көчәнешен аңлата, дренаж чыганагы тоташуы MOSFET ныгытылган изоляцияләнгән капкада ясалганда. 4-27 нче рәсемдә N-канал трубасының UGS-ID сызыгы күрсәтелгән, һәм UT мәгънәсе ачык күренә.
(4) Транскондүткәргеч
Транскондүткәргеч gm капка чыганагы көчәнеш UGSның дренаж агымының ID-ен контрольдә тоту сәләтен күрсәтә, ягъни дренаж токы ID үзгәрүенең капка-чыганак көчәнеше UGS үзгәрүенә мөнәсәбәте. 9м - көчәйтү сәләтен үлчәү өчен мөһим параметрMOSFET.
(5) Дренаж чыганагы өзелү көчәнеше
Дренаж чыганагы өзелү көчәнеше BUDS максималь дренаж чыганагы көчәнешен аңлата, капка чыганагы көчәнеше UGS даими булганда кабул итә ала. Бу чикләү параметры, һәм MOSFET өчен кулланылган эш көчәнеше BUDSдан ким булырга тиеш.
(6) Көчнең максималь таралуы
Максималь энергия тарату PDSM шулай ук лимит параметры, ул MOSFET җитештерүчәнлеген бозмыйча рөхсәт ителгән максималь дренаж чыганагы көчен таратуны аңлата. Кулланылганда, MOSFETның реаль куллану PDSMдан ким булырга һәм билгеле бер маржаны калдырырга тиеш.
(7) Максималь дренаж чыганагы
Максималь дренаж чыганагы IDSM - тагын бер лимит параметры, ул MOSFET нормаль эшләгәндә дренаж белән чыганак арасында узарга рөхсәт ителгән максималь токны аңлата. MOSFETның эш токы IDSMдан артмаска тиеш.
1. MOSFET көчәйтү өчен кулланылырга мөмкин. MOSFET көчәйткечнең кертү импеденциясе бик югары булганлыктан, тоташтыргыч конденсатор кечкенә булырга мөмкин һәм электролитик конденсаторларны кулланырга кирәк түгел.
2. MOSFET-ның югары кертү импедициясе импеданс трансформациясе өчен бик яраклы. Күп этаплы көчәйткечләрнең кертү этабында импеданс трансформациясе өчен еш кулланыла.
3. MOSFET үзгәрүчән резистор буларак кулланылырга мөмкин.
4. MOSFET даими агым чыганагы буларак уңайлы кулланылырга мөмкин.
5. MOSFET электрон ачкыч буларак кулланылырга мөмкин.
MOSFET түбән эчке каршылык, югары чыдамлы көчәнеш, тиз күчү һәм көчле кар көчләре үзенчәлекләренә ия. Дизайнланган ток озынлыгы 1А-200А, көчәнеш озынлыгы 30В-1200В. Электр параметрларын клиентның куллану кырлары һәм клиент планнары буенча көйли алабыз, продуктның ышанычлылыгын, конверсия эффективлыгын һәм продукт бәясенең көндәшлелеген күтәрү.
MOSFET vs Транзистор чагыштыру
(1) MOSFET - көчәнеш белән идарә итү элементы, ә транзистор - агымдагы контроль элемент. Сигнал чыганагыннан аз күләмдә ток алырга рөхсәт ителгәч, MOSFET кулланылырга тиеш; сигнал көчәнеше түбән булганда һәм сигнал чыганагыннан күп күләмдә ток алырга рөхсәт ителгәч, транзистор кулланылырга тиеш.
(2) MOSFET күпчелек йөртүчеләрне электр үткәрү өчен куллана, шуңа күрә ул бер поляр җайланма дип атала, ә транзисторларда күпчелек йөртүче дә, азчылык йөртүче дә бар. Бу биполяр җайланма дип атала.
(3) Кайбер MOSFETларның чыганагы һәм дренажы бер-берсен кулланырга мөмкин, һәм капка көчәнеше уңай яки тискәре булырга мөмкин, бу транзисторларга караганда сыгылучан.
(4) MOSFET бик кечкенә ток һәм бик аз көчәнеш шартларында эшли ала, һәм аны җитештерү процессы бик күп MOSFETларны кремний вафасына берләштерә ала. Шуңа күрә MOSFETлар зур масштаблы интеграль схемаларда киң кулланылды.
MOSFETның сыйфатын һәм полярлыгын ничек бәяләргә
Мультиметр диапазонын RX1K белән сайлагыз, кара сынау корычын D полюсына тоташтырыгыз, кызыл сынау S полюсына алып барыгыз. G һәм D баганаларына кулыгыз белән бер үк вакытта кагылыгыз. MOSFET тиз арада үткәрү халәтендә булырга тиеш, ягъни метрның энәсе кечерәк каршылык белән позициягә күчә. , аннары G һәм S полюсларына кулларыгыз белән кагылыгыз, MOSFET җавап бирергә тиеш түгел, ягъни метрлы энә нульгә кире кайтмас. Бу вакытта MOSFET яхшы труба дип бәяләргә кирәк.
Мультиметрның RX1K диапазонын сайлагыз, һәм MOSFETның өч кадак арасындагы каршылыкны үлчәгез. Әгәр бер кадак белән калган ике кадак арасындагы каршылык чиксез булса, һәм ул сынау корылмаларын алыштырганнан соң да чиксез булса, бу пин G полюсы, калган ике кадак S полюсы һәм D полюсы. Аннары S полюсы белән D полюсы арасындагы каршылык бәясен үлчәү өчен мультиметр кулланыгыз, сынау әйберләрен алыштырыгыз һәм кабат үлчәгез. Кечкенә каршылык бәясе кара. Сынау корпусы S полюсына тоташтырылган, һәм кызыл сынау корпусы D полюсына тоташтырылган.
MOSFET ачыклау һәм куллану чаралары
1. MOSFETны ачыклау өчен күрсәткеч мультиметр кулланыгыз
1) MOSFET тоташу электродларын ачыклау өчен каршылык үлчәү ысулын кулланыгыз
MOSFETның PN кушылмасының алга һәм кире каршылык кыйммәтләре төрле булган күренеш буенча, MOSFET тоташуының өч электроды ачыкланырга мөмкин. Конкрет ысул: Мультиметрны R × 1k диапазонына куегыз, теләсә нинди ике электродны сайлагыз һәм алга һәм кире каршылык кыйммәтләрен үлчәгез. Ике электродның алга һәм кире каршылык кыйммәтләре тигез булганда һәм берничә мең ох булганда, ике электрод тиешенчә D дренажы һәм S чыганагы. МОСФЕТ чишелеше өчен, дренаж һәм чыганак алышынырга мөмкин, калган электрод Г. капкасы булырга тиеш. Сез шулай ук мультиметрның кара сынау корычына (кызыл сынау корпусы да кабул ителә) теләсә нинди электродка кагыла аласыз, һәм башка сынау алып бара. Каршылык бәясен үлчәү өчен калган ике электродка эзлеклелектә кагылыгыз. Ике тапкыр үлчәнгән каршылык кыйммәтләре якынча тигез булганда, кара сынау корпусы белән контакттагы электрод капка, калган ике электрод тиешенчә дренаж һәм чыганак. Ике тапкыр үлчәнгән каршылык кыйммәтләре икесе дә бик зур булса, бу PN чишелешенең кире юнәлеше, ягъни икесе дә кире каршылык дигән сүз. Бу N-канал MOSFET, һәм кара сынау корпусы капкага тоташтырылган; ике тапкыр үлчәнгән каршылык кыйммәтләре Каршылык кыйммәтләре бик кечкенә булса, бу алга PN чишелешен күрсәтә, ягъни алга каршылык, һәм ул P-канал MOSFET булырга тәвәккәл. Кара сынау корпусы капкага тоташтырылган. Әгәр дә югарыдагы хәл килеп чыкмаса, сез кара һәм кызыл тестны алыштыра аласыз һәм челтәрне ачыклаганчы тестны югарыдагы ысул буенча үткәрә аласыз.
2) MOSFET сыйфатын билгеләр өчен каршылык үлчәү ысулын кулланыгыз
Каршылыкны үлчәү ысулы - MOSFET чыганагы белән дренаж, капка һәм чыганак, капка һәм дренаж, G1 капкасы һәм G2 капкасы арасындагы каршылыкны үлчәү өчен мультиметр куллану, аның MOSFET кулланмасында күрсәтелгән каршылык бәясенә туры килү-килмәвен ачыклау. Идарә итү яхшы яки начар. Конкрет ысул: Беренчедән, мультиметрны R × 10 яки R × 100 диапазонына куегыз, һәм S чыганагы белән D дренажы арасындагы каршылыкны үлчәгез, гадәттә дистәләрчә охм диапазонында берничә мең охм (моны күреп була) төрле модель трубалар, аларның каршылык кыйммәтләре төрле булган кулланма), үлчәнгән каршылык бәясе гадәти кыйммәттән зуррак булса, бу эчке контактның начар булуы аркасында булырга мөмкин; үлчәнгән каршылык бәясе чиксез булса, ул эчке өзелгән багана булырга мөмкин. Аннары мультиметрны R × 10k диапазонына куегыз, аннары G1 һәм G2 капкалары арасында, капка белән чыганак арасында, капка белән дренаж арасында каршылык кыйммәтләрен үлчәгез. Resistanceлчелгән каршылык кыйммәтләре барысы да чиксез булганда, бу трубаның нормаль булуын аңлата; югарыдагы каршылык кыйммәтләре бик кечкенә булса яки юл булса, бу трубаның начар булуын аңлата. Әйтергә кирәк, трубада ике капка ватылса, компонентны алыштыру ысулы ачыклау өчен кулланылырга мөмкин.
3) MOSFET көчәйтү мөмкинлеген бәяләү өчен индукция сигнал кертү ысулын кулланыгыз
Конкрет ысул: Мультиметр каршылыкның R × 100 дәрәҗәсен кулланыгыз, кызыл сынау корычын S чыганагына тоташтырыгыз, һәм кара сынау D дренажына китерә. MOSFETка 1,5В электр белән тәэмин итү көчәнешен өстәгез. Бу вакытта дренаж белән чыганак арасындагы каршылык бәясе счетчик энә белән күрсәтелә. Аннары MOSFET чишелешенең G капкасын кулыгыз белән кысып, капкага кеше тәненең көчәнеш сигналын өстәгез. Шул рәвешле, трубаның көчәйтү эффекты аркасында, дренаж чыганагы көчәнеше VDS һәм дренаж токы үзгәрәчәк, ягъни дренаж белән чыганак арасындагы каршылык үзгәрәчәк. Моннан, метрның энә зур күләмдә селкенүен күзәтергә мөмкин. Әгәр дә кулда тотылган челтәрле энә аз гына селкенсә, бу трубаның көчәйтү сәләте начар дигән сүз; энә зур селкенсә, бу трубаның көчәйтү сәләте зур дигән сүз; энә хәрәкәтләнмәсә, бу трубаның начар булуын аңлата.
Aboveгарыдагы ысул буенча, без MOSFET 3DJ2F чишелешен үлчәү өчен мультиметрның R × 100 шкаласын кулланабыз. Башта трубаның G электродын ачып, дренаж чыганагына каршы торуны RDS 600Ω итеп үлчәгез. G электродын кулыгыз белән тотканнан соң, счетчик инне сул якка борыла. Күрсәтелгән каршылык RDS 12kΩ. Әгәр дә счетчик энә зуррак селкенсә, бу трубаның яхшы булуын аңлата. , һәм зуррак көчәйтү мөмкинлегенә ия.
Бу ысулны кулланганда игътибарга лаек берничә пункт бар: Беренчедән, MOSFETны сынап, капкагызны кулыгыз белән тотканда, мультиметрлы энә уңга (каршылык бәясе кими) яки сул якка борылырга мөмкин (каршылык бәясе арта) . Бу кеше организмы китергән көчәнешнең чагыштырмача югары булуы белән бәйле, һәм төрле MOSFETларның каршылык диапазоны белән үлчәнгәндә төрле эш нокталары булырга мөмкин (туенган зонада яки туенмаган зонада). Тестлар күрсәткәнчә, күпчелек трубаларның RDS арта. Ягъни, сәгать кулы сул якка борыла; берничә трубаның RDS кими, сәгать кулы уңга борыла.
Ләкин сәгать кулы нинди юнәлештә булуына карамастан, сәгать кулы зуррак селкенгәндә, бу трубаның көчәйтү сәләтенә ия булуын аңлата. Икенчедән, бу ысул MOSFETлар өчен дә эшли. Ләкин әйтергә кирәк, MOSFET кертү каршылыгы югары, һәм G капкасының рөхсәт ителгән көчәнеше артык зур булырга тиеш түгел, шуңа күрә капканы турыдан-туры кулыгыз белән кысмагыз. Капкага тимер таяк белән кагылыр өчен, винтовка изоляцияләнгән тоткасын кулланырга кирәк. , кеше организмы китергән зарядка капкага турыдан-туры кушылмасын өчен, капка ватылуга китерә. Өченчедән, һәр үлчәүдән соң GS полюслары кыска әйләнешле булырга тиеш. Чөнки VGS көчәнешен булдыручы GS тоташу конденсаторында аз күләмдә корылма булачак. Нәтиҗәдә, счетчикның куллары кабат үлчәгәндә хәрәкәтләнергә мөмкин түгел. Корылманы җибәрүнең бердәнбер ысулы - корылманы GS электродлары арасында кыска схемага күчерү.
4) Билгесез MOSFETларны ачыклау өчен каршылык үлчәү ысулын кулланыгыз
Беренчедән, каршылык үлчәү ысулын кулланыгыз, каршылык кыйммәте булган ике кадакны табыгыз, ягъни S чыганагы һәм D дренажы. Калган ике кадак - беренче капка G1 һәм икенче капка G2. Ике чыганак белән үлчәнгән S чыганагы белән D дренаҗы арасындагы каршылык кыйммәтен языгыз. Тест лидерларын алыштырыгыз һәм кабат үлчәгез. Resistedлчелгән каршылык кыйммәтен языгыз. Ике тапкыр үлчәнгән зуррак каршылык бәясе - кара сынау. Бәйләнгән электрод - D дренаҗы; кызыл сынау корыч С. чыганагына тоташтырылган, бу ысул белән билгеләнгән S һәм D полюслары шулай ук трубаның көчәйтү сәләтен бәяләп тикшерелергә мөмкин. Ягъни, зур көчәйтү мөмкинлеге булган кара сынау корпусы D полюсына тоташтырылган; кызыл сынау корыч җиргә 8 полюска тоташтырылган. Ике ысулның да тест нәтиҗәләре бер үк булырга тиеш. Дренаж һәм S чыганагы позицияләрен билгеләгәннән соң, схеманы D һәм S.ның тиешле позицияләре буенча урнаштырыгыз Гомумән, G1 һәм G2 шулай ук эзлеклелектә тигезләнәчәк. Бу G1 һәм G2 ике капкаларның торышын билгели. Бу D, S, G1, G2 кадакларының тәртибен билгели.
5) Транскондүткәргеч күләмен билгеләү өчен кире каршылык кыйммәтенең үзгәрүен кулланыгыз
VMOSN каналын арттыру MOSFETның транскондуктивлык күрсәткечләрен үлчәгәндә, сез кызыл чыганакны S чыганагын тоташтыру өчен куллана аласыз, һәм кара сынау D дренажына китерә. Бу чыганак белән дренаж арасында кире көчәнеш өстәүгә тиң. Бу вакытта капка ачык схема, һәм трубаның кире каршы бәясе бик тотрыксыз. Мультиметрның ох диапазонын R × 10kΩ югары каршылык диапазонына сайлагыз. Бу вакытта счетчиктагы көчәнеш югарырак. G челтәренә кулыгыз белән кагылгач, трубаның кире каршы бәясе сизелерлек үзгәрүен күрерсез. Theзгәреш никадәр зур булса, трубаның транскондуктив кыйммәте шулкадәр югары; сынау астында торбаның транскондуктивлыгы бик кечкенә булса, кире каршылык аз үзгәргәндә, бу ысулны кулланыгыз.
MOSFET куллану өчен саклык чаралары
1) MOSFETны куркынычсыз куллану өчен, трубаның таралган көче, максималь дренаж чыганагы көчәнеше, максималь капка чыганагы көчәнеше һәм максималь ток схема конструкциясендә чикләнми.
2) Төрле MOSFET-ларны кулланганда, алар схемага кирәкле тәртип буенча тоташтырылган булырга тиеш, һәм MOSFET тигезлегенең полярлыгы күзәтелергә тиеш. Мәсәлән, MOSFET капкасы чыганагы белән дренаж арасында PN чишелеше бар, һәм N-канал трубасы капкасы уңай яклы була алмый; П-канал трубасы капкасы тискәре яклы була алмый һ.б.
3) MOSFET кертү импеденциясе бик югары булганга, кадаклар ташу һәм саклау вакытында кыска әйләнештә булырга тиеш, һәм тышкы индуктив потенциал капка ватылмасын өчен металл калкан белән төрелергә тиеш. Аерым алганда, зинһар, MOSFETны пластик тартмага урнаштырып булмый. Аны металл тартмада саклау иң яхшысы. Шул ук вакытта, трубаның дымсыз булуына игътибар итегез.
4) MOSFET капкасының индуктив өзелүен булдырмас өчен, барлык сынау кораллары, эш урыннары, эретү үтүкләре, схемалар үзләре яхшы нигезләнергә тиеш; кадакларны эреткәндә, башта чыганакны эретегез; схемага тоташканчы, труба Барлык корыч очлары бер-берсенә кыска әйләнештә булырга тиеш, һәм эретеп ябыштырганнан соң кыска схема материалын чыгарырга кирәк; трубканы компонент стенасыннан чыгарганда, кеше организмының җиргә төшүен тәэмин итү өчен тиешле ысуллар кулланылырга тиеш, мәсәлән, грунт боҗрасын куллану; әлбәттә, алга киткән булса, газ белән җылытылган тимер MOSFETларны эретеп ябыштыру өчен уңайлырак һәм куркынычсызлыкны тәэмин итә; Труба электр сүнгәнче кертелергә тиеш түгел. MOSFET кулланганда югарыдагы куркынычсызлык чараларына игътибар ителергә тиеш.
5) MOSFET урнаштырганда, урнаштыру позициясенә игътибар итегез һәм җылыту элементына якын булмаска тырышыгыз; торба җиһазларының тибрәнүен булдырмас өчен, труба кабыгын кысарга кирәк; кадаклар бөкләнгәндә, алар тамыр зурлыгыннан 5 мм зуррак булырга тиеш, кадакларны бөкләүдән һәм һава агып чыгудан сакланыгыз.
Көч MOSFETлар өчен яхшы җылылык тарату шартлары кирәк. Көч MOSFETлар югары йөк шартларында кулланылганга, җайланма озак вакыт тотрыклы һәм ышанычлы эшли алсын өчен, эш температурасы бәяләнгән бәядән артмасын өчен җитәрлек җылыткычлар эшләнергә тиеш.
Кыскасы, MOSFET'ларны куркынычсыз куллануны тәэмин итү өчен, игътибарга лаек әйберләр күп, һәм төрле куркынычсызлык чаралары да бар. Профессиональ һәм техник персоналның күпчелеге, аеруча электрон энтузиастларның күпчелеге, үзләренең хәлләренә карап, MOSFETларны куркынычсыз һәм эффектив куллануның практик ысулларын кулланырга тиеш.
Пост вакыты: 15-2024 апрель
