Бу югары эффектив электрон компонентларны эффектив куллану өчен MOSFETларның (металл-оксид-ярымүткәргеч кыр-эффект транзисторлары) оператив принципларын аңлау бик мөһим.MOSFETлар электрон җайланмаларда алыштыргысыз элементлар, һәм аларны аңлау җитештерүчеләр өчен бик мөһим.
Гамәлдә, җитештерүчеләр бар, алар куллану вакытында MOSFETларның функцияләрен тулысынча бәяли алмыйлар.Шуңа да карамастан, электрон җайланмалардагы MOSFETларның эш принципларын һәм аларның тиешле рольләрен аңлап, стратегик яктан уникаль MOSFETны сайлап була, аның уникаль характеристикаларын һәм продуктның үзенчәлекләрен исәпкә алып.Бу ысул продуктның эшләвен көчәйтә, базардагы көндәшлелеген ныгыта.
WINSOK SOT-23-3 MOSFET пакеты
MOSFET эш принциплары
MOSFETның капка-чыганак көчәнеше (VGS) нуль булганда, хәтта дренаж чыганагы көчәнеше (VDS) кулланылса да, кире якка PN тоташуы була, нәтиҗәдә үткәргеч канал юк (һәм ток юк). дренаж һәм MOSFET чыганагы.Бу халәттә MOSFETның дренаж токы (ID) нуль.Капка белән чыганак арасында уңай көчәнеш куллану (VGS> 0) SiO2 изоляцион катламында MOSFET капкасы белән кремний субстрат арасында капкадан P тибындагы кремний субстратына юнәлтелгән электр кыры барлыкка китерә.Оксид катламы изоляцияләнгәнен исәпкә алып, капкага кулланылган көчәнеш VGS MOSFETта ток чыгара алмый.Киресенчә, ул оксид катламы аша конденсатор формалаштыра.
VGS әкренләп арта барган саен, конденсатор зарядка ала, электр кырын барлыкка китерә.Капкадагы уңай көчәнеш белән җәлеп ителгән, күп электроннар конденсаторның икенче ягында җыелалар, дренаждан MOSFET чыганагына N тибындагы үткәргеч канал ясыйлар.VGS бусага көчәнешеннән артканда (гадәттә 2В тирәсе), MOSFETның N-каналы дренаж агымының ID агымын башлап җибәрә.Канал формалаша башлаган капка чыганагы көчәнеше VT бусагасы көчәнеше дип атала.VGS зурлыгын контрольдә тотып, һәм шуның нәтиҗәсендә электр кыры, MOSFETтагы дренаж токының ID зурлыгы модуляцияләнергә мөмкин.
WINSOK DFN5x6-8 MOSFET пакеты
MOSFET кушымталары
MOSFET искиткеч күчү характеристикалары белән данлыклы, электрон ачкычларны таләп итүче схемаларда киң кулланылышка китерә, мәсәлән, күчү режимы электр белән тәэмин итү.5В электр тәэминаты ярдәмендә аз көчәнешле кушымталарда традицион структураларны куллану биполяр тоташу транзисторының төп эмитеры аша көчәнешнең төшүенә китерә (якынча 0,7В), соңгы көчәнеш өчен 4,3В гына кала. MOSFET.Мондый сценарийларда 4,5В номиналь капка көчәнеше булган MOSFET сайлау кайбер куркынычларны китерә.Бу проблема шулай ук 3В яки башка аз көчәнешле электр белән тәэмин итү кушымталарында күрсәтелә.
Пост вакыты: 27-2023 октябрь
