MOSFETs (кыр эффект трубалары) гадәттә өч кадакка ия, капка (кыскача G), чыганак (кыскача S) һәм дренаж (кыскача D). Бу өч кадакны түбәндәгечә аерып була:
I. Пин идентификация
Капка (G):Бу гадәттә "G" дип язылган яки бүтән ике кадакка каршы торуны үлчәп билгеле була, чөнки капка көчсез хәлдә бик югары импеденциягә ия һәм калган ике кадак белән сизелерлек бәйләнмәгән.
Чыганак (S)：Гадәттә "S" яки "S2" дип язылган, ул хәзерге агым пины һәм гадәттә MOSFET тискәре терминалына тоташтырылган.
Дренаж (D)：Гадәттә "D" дип язылган, ул хәзерге агым пины һәм тышкы схеманың уңай терминалына тоташтырылган.
II. Функция
Капка (G):Бу MOSFETның күчүен контрольдә тоту өчен, капкадагы көчәнешне контрольдә тотып, MOSFETны кабызу белән идарә итүче төп пин. Көчсез хәлдә, капка импедансы, гадәттә, бик югары, калган ике кадак белән мөһим бәйләнеш юк.
Чыганак (S)：хәзерге агым пины һәм гадәттә MOSFET тискәре терминалына тоташтырылган. NMOSда чыганак гадәттә җиргә салынган (GND); PMOSда чыганак уңай тәэмин итүгә тоташырга мөмкин (VCC).
Дренаж (D)：Бу агымдагы чыгу пины һәм тышкы схеманың уңай терминалына тоташтырылган. NMOSда дренаж уңай тәэмин итүгә (VCC) яки йөккә тоташтырылган; PMOSда дренаж җиргә (GND) яки йөккә тоташтырылган.
III. Asлчәү ысуллары
Мультиметр кулланыгыз:
Мультиметрны тиешле каршылык көйләүләренә куегыз (мәсәлән, R x 1k).
Теләсә нинди электродка тоташкан мультиметрның тискәре терминалын кулланыгыз, калган каләм үз чиратында калган ике баганага мөрәҗәгать итегез, каршылыгын үлчәү өчен.
Ике үлчәнгән каршылык кыйммәте якынча тигез булса, капка (G) өчен тискәре каләм контакт, чөнки капка һәм каршылык арасындагы калган ике кадак гадәттә бик зур.
Алга таба, мультиметр R × 1 җиһазына, чыганакка (S) тоташтырылган кара ручка, дренажга тоташтырылган кызыл каләм, үлчәнгән каршылык бәясе дистәләгән охмга берничә ох булырга тиеш, бу күрсәтә Конкрет шартлар арасындагы чыганак һәм дренаж үткәрү була ала.
Пин тәртибен күзәтегез:
Яхшы билгеләнгән пин аранжировкасы булган MOSFETлар өчен (кайбер пакет формалары кебек), һәр пинның урнашу урыны һәм функциясе пин аранж схемасына яки мәгълүматлар таблицасына карап билгеле була.
IV. Саклык
MOSFETларның төрле модельләрендә төрле пин аранжировкалары һәм маркировкалары булырга мөмкин, шуңа күрә куллану алдыннан билгеле бер модель өчен мәгълүматлар таблицасы яки пакет рәсеме белән киңәшләшү яхшырак.
Пинкларны үлчәгәндә һәм тоташтырганда, MOSFETка зыян китермәс өчен, статик электр саклауга игътибар итегез.
MOSFETлар - тиз күчү тизлеге булган көчәнеш белән идарә итүче җайланмалар, ләкин практик кушымталарда MOSFET дөрес һәм ышанычлы эшли алсын өчен, саклагыч схемасын проектлау һәм оптимизацияләүгә игътибар итергә кирәк.
Йомгаклап әйткәндә, MOSFETның өч кадакны пин идентификацияләү, пин функциясе һәм үлчәү ысуллары кебек төгәл аерып була.
Пост вакыты: сентябрь-19-2024
