MOSFETларга карагыз

MOSFETлар MOSFETларны интеграль схемаларда изоляциялиләр. MOSFETлар, иң төп җайланмаларның берсе буларакярымүткәргеч кыр, такта дәрәҗәсендәге схемаларда, шулай ук ​​IC дизайнында киң кулланыла. Дренаж һәм чыганакMOSFETs алышынырга мөмкин, һәм N тибындагы регион белән P тибындагы капкада формалашырга мөмкин. Гомумән алганда, ике чыганак алышынып тора, икесе дә N тибындагы төбәкне формалаштыраларР тибындагы арткы капка. Гомумән, бу ике зона бер үк, һәм бу ике бүлек алыштырылса да, җайланманың эшенә тәэсир ителмәячәк. Шуңа күрә җайланма симметрияле санала.

Принцип:

MOSFET VGS куллана, дренаж агымын контрольдә тоту өчен, бу "индуктив корылмалар" формалашкан үткәргеч каналның торышын үзгәртү өчен "индуктив корылма" күләмен контрольдә тоту өчен. MOSFETлар җитештерелгәч, махсус процесслар ярдәмендә изоляцион катламда күп санлы уңай ионнар барлыкка килә, шулай итеп интерфейсның икенче ягында тискәре корылмалар сизелә, һәм югары үткәрүчәнлек пычракларының N-регионы тоташкан. бу тискәре корылмалар, һәм үткәргеч канал барлыкка килә, һәм чагыштырмача зур дренаж токы, ID, VGS 0 булса да барлыкка килә. Капка көчәнеше үзгәрсә, каналдагы индуктив корылма күләме дә үзгәрә, киңлеге үткәргеч каналның шул ук дәрәҗәдә үзгәрүе. Капка көчәнеше үзгәрсә, каналдагы индуктив корылма күләме дә үзгәрәчәк, һәм үткәргеч каналның киңлеге дә үзгәрәчәк, шуңа күрә дренаж ток таныклыгы капка көчәнеше белән бергә үзгәрәчәк.

Роль:

1. Аны көчәйткеч схемасына кулланырга мөмкин. MOSFET көчәйткечнең югары кертү импеденциясе булганлыктан, кушылуның сыйдырышлыгы кечерәк булырга мөмкин һәм электролитик конденсаторлар кулланылмый.

Inputгары кертү импедансы импеданс конверсиясе өчен яраклы. Күп этаплы көчәйткечләрнең кертү этабында импеданс конверсиясе өчен еш кулланыла.

3 variable Аны үзгәрүчән резистор итеп кулланырга мөмкин.

4, электрон ачкыч буларак кулланырга мөмкин.

MOSFETлар хәзер бик күп кушымталарда кулланыла, шул исәптән телевизордагы югары ешлыклы башлар һәм электр тәэминатларын күчү. Хәзерге вакытта биполяр гади транзисторлар һәм MOS бергә кушылып IGBT (изоляцияләнгән капка биполяр транзистор) формалаштыралар, ул югары көчле өлкәләрдә киң кулланыла, һәм MOS интеграль схемалар аз энергия куллану характеристикасына ия, һәм хәзер үзәк эшкәрткеч җайланмалар киң кулланыла. MOS схемалары.