MOSFET автобуска һәм йөкләнгән җиргә тоташканда, югары көчәнеш ягы күчергеч кулланыла. Еш кына П-каналMOSFETsбу топологиядә кабат көчәнеш саклагычлары өчен кулланыла. Хәзерге рейтингны билгеләү Икенче адым - MOSFETның хәзерге рейтингын сайлау. Схема структурасына карап, бу агымдагы рейтинг барлык шартларда да түзә ала торган максималь ток булырга тиеш.
Вольт көчәнешенә охшаган, дизайнер сайланганны тәэмин итәргә тиешMOSFETсистема агым токларын барлыкка китергәндә дә бу агымдагы рейтингка каршы тора ала. Каралган ике агым очраклары - өзлексез режим һәм импульс. Бу параметр FDN304P DATASHEET белән күрсәтелә, монда MOSFET өзлексез үткәрү режимында тотрыклы, җайланма аша ток өзлексез агып торганда.
Пульс очкычлары җайланма аша агып торган зур ток булганда. Бу шартларда максималь ток билгеләнгәннән соң, бу максималь токка каршы тора алырлык җайланманы турыдан-туры сайлау гына тора.
Рейтингланган токны сайлаганнан соң, үткәрү югалтуын да исәпләргә кирәк. Гамәлдә, MOSFETлар идеаль җайланмалар түгел, чөнки үткәрү процессы вакытында көч югалу бар, ул үткәрү югалту дип атала.
MOSFET җайланманың RDS (ON) белән билгеләнгәнчә, "кабызылганда" үзгәрә торган резистор булып эшли, һәм температура белән сизелерлек үзгәрә. Deviceайланманың көчен тарату Iload2 x RDS (ON) белән исәпләнергә мөмкин, һәм каршылык температурасы белән үзгәргәнгә, көчнең таралуы пропорциональ рәвештә үзгәрә. MOSFET өчен кулланылган көчәнеш VGS никадәр югары булса, RDS (ON) кечерәк булыр; киресенчә, RDS (ON) югарырак булачак. Система дизайнеры өчен, монда система көчәнешенә карап сәүдә нәтиҗәләре уйный. Көчле конструкцияләр өчен түбән көчәнешләрне куллану җиңелрәк (һәм ешрак), сәнәгать конструкцияләре өчен югары көчәнешләр кулланырга мөмкин.
Игътибар итегез, RDS (ON) каршылыгы ток белән бераз күтәрелә. RDS (ON) резисторының төрле электр параметрлары буенча үзгәрешләрне җитештерүче биргән техник мәгълүматлар таблицасында табарга мөмкин.
Rылылык таләпләрен билгеләү MOSFET сайлауда чираттагы адым - системаның җылылык таләпләрен исәпләү. Дизайнер ике төрле сценарийны карарга тиеш, иң начар очрак һәм чын очрак. Иң начар сценарий өчен исәпләү кулланырга киңәш ителә, чөнки бу нәтиҗә куркынычсызлыкның зур күләмен тәэмин итә һәм системаның эшләмәвен тәэмин итә.
Моннан тыш, белергә тиешле кайбер үлчәүләр дә барMOSFETмәгълүматлар таблицасы; пакетланган җайланманың ярымүткәргеч тоташуы һәм әйләнә-тирә мохит арасындагы җылылык каршылыгы, максималь температура кебек. Deviceайланманың тоташу температурасы максималь тирә температурага һәм җылылык каршылыгы һәм энергия тарату продуктына тигез (тоташу температурасы = максималь тирә температура + [җылылык каршылыгы x көченең таралуы]). Бу тигезләмәдән системаның максималь көче таралырга мөмкин, бу билгеләмә буенча I2 x RDS (ON).
Дизайнер җайланма аша узачак максималь токны билгеләгәнгә, RDS (ON) төрле температура өчен исәпләнә ала. Шунысын да әйтергә кирәк, гади җылылык модельләре белән эш иткәндә, дизайнер ярымүткәргеч тоташу / җайланма һәм тирә-як мохитнең җылылык сыйдырышлыгын да исәпкә алырга тиеш; Ягъни, басылган схема тактасы һәм пакет шунда ук җылынмаска тиеш.
Гадәттә, PMOSFET, паразитик диод булачак, диодның функциясе чыганак-дренажның кире тоташуына юл куймау, PMOS өчен NMOS өстенлеге - аның көчәнеше 0 булырга мөмкин, һәм көчәнеш аермасы DS көчәнеше күп түгел, ә NMOS шартлы рәвештә VGS бусагасыннан зуррак булырга тиеш, бу контроль көчәнешнең кирәкле көчәнештән котылгысыз булуына китерәчәк, һәм кирәксез проблемалар килеп чыгачак. PMOS контроль ачкыч итеп сайланган, түбәндәге ике кушымта бар: беренче кушымта, көчәнешне сайлау өчен PMOS, V8V булганда, көчәнеш барысы да V8V белән тәэмин ителә, PMOS сүндереләчәк, VBAT VSINга көчәнеш бирми, һәм V8V аз булганда, VSIN 8V белән эш итә. PMOS кабызуны тәэмин итү өчен капка көчәнешен тотрыклы тарткан R120, резисторга игътибар итегез, алда тасвирланган биек капка импедансы белән бәйле дәүләт куркынычы.
D9 һәм D10 функцияләре көчәнешнең резерв резервын булдырмау, һәм D9 калдырырга мөмкин. Әйтергә кирәк, схеманың DS чыннан да кирегә әйләнде, шуңа күрә күчергеч трубасы функциясенә кушылган диод үткәрү ярдәмендә ирешеп булмый, бу практик кушымталарда күрсәтелергә тиеш. Бу чылбырда, PGC контроль сигналы V4.2 P_GPRSга көч бирәме-юкмы икәнен контрольдә тота. Бу схема, чыганак һәм дренаж терминаллары кирегә тоташмаган, R110 һәм R113 R110 контроль капка токы зур булмаган мәгънәдә бар, R113 контроль капка нормальлеге, R113 югары күтәрелү, PMOS кебек, шулай ук контроль сигналга тарту рәвешендә күренергә мөмкин, MCU эчке кадаклар һәм тарту, ягъни PMOS сүндермәгәндә ачык дренаж чыгышы, бу вакытта, Ул булачак тарту өчен тышкы көчәнеш кирәк, шуңа күрә R113 резисторы ике роль уйный. r110 кечерәк булырга мөмкин, 100 охм булырга мөмкин.
Кечкенә пакет MOSFETларның уникаль роле бар.
Пост вакыты: 27-2024 апрель
