R1-R6 резисторлары, C1-C3 электролитик конденсаторлар, конденсатор C4, PNP триоды VD1, D1-D2 диодлары, арадаш эстафета K1, көчәнеш чагыштыручысы, икеле база интеграль чип NE556, һәм MOSFET Q1, MOSFET тоту схемасы. сигнал кертү ролен үти торган NE556 икешәр база интеграль чипның No. 6 пины белән, һәм R1 резисторының бер очын бер үк вакытта тоташтырылган NE556 икеле база интеграль чипның 6 пинына тоташтырылган, сигнал кертү буларак кулланыла, Резисторның бер очын NE556 икеләтә интеграль чипның 14 очына, Р2 резисторының бер очын, R4 резисторның бер очын, PNP транзистор VD1 эмитерын, MOSFET Q1 дренажын һәм DC тоташтырылган. Электр белән тәэмин итү, һәм Р1 резисторның бүтән очлары ике тапкыр база интеграль чипның 1 пинына, ике тапкыр база интеграль чип NE556, C1 конденсаторның уңай электролитик сыйдырышлыгы һәм арадаш эстафетага тоташтырылган. К1 гадәттә ябык контакт K1-1, К1 арада эстафетаның икенче очында гадәттә ябык контакт K1-1, электролитик конденсаторның тискәре полюсы һәм C3 конденсаторның бер очын электр белән тәэмин итү җиренә тоташтыралар, C3 конденсаторның икенче очын. икеләтә вакыт базасы интеграль чипның 3 пинына тоташтырылган, NE556 икеле база интеграль чипның 4 пины электролитик конденсаторның уңай полюсына һәм бер үк вакытта R2 резисторның икенче очына тоташтырылган, һәм Электролитик конденсаторның тискәре полюсы электр белән тәэмин итү җиренә тоташтырылган, һәм C2 электролитик конденсаторның тискәре полюсы электр белән тәэмин итү җиренә тоташтырылган. С2 тискәре полюсы электр белән тәэмин итү җиренә тоташтырылган, икеле база интеграль чипның 5 пины R3 резисторның бер очына тоташтырылган, R3 резисторның икенче очын көчәнеш чагыштыргычының уңай фаза кертүенә тоташтырылган. , көчәнеш чагыштыргычының тискәре фаза кертүе D1 диодының уңай полюсына һәм бер үк вакытта R4 резисторының икенче очына тоташтырылган, D1 диодының тискәре полюсы электр белән тәэмин итү җиренә тоташтырылган, һәм чыгу. көчәнеш чагыштыручысы R5 резистор ахырына, R5 резисторның икенче очын PNP триплексына тоташтырылган. Вольт чагыштыргычының чыгышы R5 резисторның бер очына, Р5 резисторының икенче очын PNP транзистор VD1 нигезенә тоташтыралар, PNP транзистор VD1 коллекторы диодның уңай баганасына тоташтырылган. D2, диодның тискәре полюсы R6 резистор ахырына, C4 конденсатор ахырына, һәм бер үк вакытта MOSFET капкасына, Р6 резисторның икенче очына, икенче очына тоташтырылган. конденсатор C4, һәм К1 арадаш эстафетаның икенче очлары барысы да электр белән тәэмин итү җиренә тоташтырылган, һәм К1 арадаш эстафетаның икенче очын чыганак чыганагына тоташтыралар.MOSFET.
MOSFET тоту схемасы, А түбән триггер сигналын биргәндә, бу вакытта икеле база интеграль чип NE556 җыелмасы, ике тапкыр база интеграль чип NE556 пин 5 чыгару югары дәрәҗә, көчәнеш чагыштыргычының уңай фаза кертүенә югары дәрәҗә, тискәре Белешмә көчәнешне тәэмин итү өчен R4 резисторы һәм D1 диод көчәнеш чагыштыргычының фазалы кертүе, бу вакытта көчәнеш чагыштыручысы югары дәрәҗә, VD1 триоды үткәрү өчен югары дәрәҗә, VD1 триоды коллекторыннан агым. конденсатор C4 D2 диоды аша зарядка ясый, һәм шул ук вакытта MOSFET Q1 үткәрә, бу вакытта, K1 арадаш эстафетаның кәтүге үзләштерелә, һәм K1 арада эстафета гадәттә ябылган K 1-1 контакт өзелә, һәм арада. Эстафета K1 гадәттә ябык контакт K 1-1 өзелгән, ике тапкыр база интеграль чипның 1 һәм 2 футына электр энергиясе белән тәэмин итү NE556 тәэмин итү көчәнешен тәэмин итү көчәнешен 1 һәм 2 пиндагы көчәнеш сакланганчы тәэмин итә. вакыт базасы интеграль чип NE556 тәэмин итү көчәнешенең 2/3 өлешенә корылган, ике тапкыр база интеграль чип NE556 автоматик рәвештә яңадан торгызыла, һәм NE556 икеләтә интеграль чипның 5 пины автоматик рәвештә түбән дәрәҗәгә кайтарыла, һәм алдагы схемалар эшләми, бу вакытта C4 конденсаторы MOSFET Q1 үткәрүчәнлеген саклап калу өчен җибәрелә, C4 сыйдырышлыгы беткәнче һәм арадаш эстафета K1 кәтүк чыгарылышы, K1 арада эстафета гадәттә ябылган K 11 ябык, монда ябык арадаш эстафета аша K1 гадәттә ябык контакт K 1-1 икеле база интеграль чип NE556 1 фут һәм 2 фут көчәнеш чыгарылачак, киләсе тапкыр икеле база интеграль чип NE556 пин 6 түбән тәэмин итү өчен. Ике вакыт базасы интеграль чип ясау өчен сигнал сигналын әзерләү өчен.
Бу кушымтаның схема структурасы гади һәм роман, ике вакыт базасы интеграль чип NE556 пин 1 һәм тәэмин итү көчәнешенең 2/3 өлешенә зарядланган вакытта, икеле база интеграль чип NE556 автоматик рәвештә яңадан урнаштырыла ала, икеле база интеграль чип NE556 пин 5 автоматик рәвештә түбән дәрәҗәгә кайта, алдагы схемалар эшләмәсен өчен, C4 конденсаторын автоматик рәвештә туктатыр өчен, һәм MOSFET Q1 үткәргеч белән сакланган C4 конденсатор корылмасын туктатканнан соң, бу кушымта өзлексез саклый ала.MOSFETQ1 үткәргеч 3 секунд.
Бу үз эченә R1-R6 резисторлары, C1-C3 электролитик конденсаторлар, C4 конденсатор, PNP транзистор VD1, диодлар D1-D2, арадаш эстафета K1, көчәнеш чагыштыручысы, икеле база интеграль чип NE556 һәм MOSFET Q1, икешәр вакыт базасы интегралланган 6 пин. чип NE556 сигнал кертү рәвешендә кулланыла, һәм R1 резисторының бер очын икеле база интеграль чипның 14 пинына тоташтыралар, резистор R2, икеле база интеграль чип NE556 14 һәм икеләтә вакытның 14 пины. база интеграль чип NE556, һәм R2 резисторы NE556 икеләтә вакыт базасы интеграль чипның 14 пинына тоташтырылган. Ике тапкыр база интеграль чипның 14 пины NE556, Р2 резисторның бер оч, Р4 резисторның бер оч, PNP транзистор
Нинди эш принцибы?
А түбән триггер сигналын биргәндә, ике тапкыр база интеграль чип NE556 җыелмасы, ике тапкыр база интеграль чип NE556 пин 5 чыгару югары дәрәҗә, көчәнеш чагыштыручының уңай фаза кертүенә югары дәрәҗә, тискәре фаз кертү белешмә көчәнешне тәэмин итү өчен R4 резисторы һәм D1 диод көчәнеш чагыштыручысы, бу юлы көчәнеш чагыштыручысы югары дәрәҗә, VD1 транзисторының югары дәрәҗәсе, ток VD1 транзистор коллекторыннан D2 диоды аша агыла. конденсатор C4 зарядлау, бу вакытта, арадаш эстафета K1 индуктивлык кәтүге, арада эстафета K1 кәтүк сорау. VD1 транзистор коллекторыннан агым C2 конденсаторына D2 диоды аша корылган, һәм шул ук вакытта,MOSFETQ1 үткәрә, бу вакытта, K1 арадаш эстафета кәтүге сорала, һәм K1 арада ябылган Эстафета K 1-1 өзелә, һәм K1 арада эстафетадан соң K 1-1 контакт өзелә, көч өзелә. Электр энергиясе чыганагы белән тәэмин ителгән көчәнеш NE556 икешәр вакыт базасы интеграль чипның 1 һәм 2 футына кадәр тәэмин ителә, NE556 икеләтә интеграль чипның 1 һәм 2 пиндагы көчәнеш 2/3 зарядланганчы саклана. тәэмин итү көчәнеше, ике тапкыр база интеграль чип NE556 автоматик рәвештә яңадан торгызыла, һәм NE556 икеләтә интеграль чипның 5 пины автоматик рәвештә түбән дәрәҗәгә кайтарыла, һәм киләсе схемалар эшләми, һәм бу вакытта, конденсатор C4 MOSFET Q1 үткәрүне саклап калу өчен, C4 конденсатор агызу ахырына кадәр җибәрелә, һәм K1 арадаш эстафета кәтүге чыгарыла, һәм K1 арада эстафета гадәттә ябылган K 1-1 контактыннан өзелә. Эстафета K1 гадәттә ябык контакт К 1-1 ябык, бу юлы ябык арадаш эстафета аша K1 гадәттә ябык контакт K 1-1 ике тапкыр база интеграль чип NE556 көчәнеш чыгарылышында 1 фут һәм 2 фут булачак, киләсе тапкыр икеләтә база интеграль чип NE556 пин 6 түбән куярга триггер сигналын тәэмин итү өчен, ике тапкыр база интеграль чип NE556 җыелмасына әзерләнү өчен.
Пост вакыты: 19-2024 апрель
