Ярымүткәргеч өлкәсендә иң төп җайланмаларның берсе буларак, MOSFETлар IC дизайнында да, такта дәрәҗәсендәге схемаларда да киң кулланыла. Хәзерге вакытта, аеруча югары көчле ярымүткәргечләр өлкәсендә, MOSFETларның төрле структуралары да алыштыргысыз роль уйный. ӨченMOSFETs, аның структурасы гади һәм катлаулы, бер гади, структурасында гади, комплекс аның тирәнтен кулланылышына нигезләнгән. Көндә,MOSFET җылылык шулай ук бик еш очрый торган хәл булып санала, без сәбәпләрне кайдан белергә тиеш, һәм нинди ысулларны чишеп була? Алга таба бергәләшеп аңлыйк.
I. СәбәпләреMOSFET җылыту
1, схема дизайны проблемасы. Бу MOSFETны күчү халәтендә түгел, ә онлайн режимда эшләргә рөхсәт итү. Бу MOSFETның кызу сәбәпләренең берсе. Әгәр дә N-MOS күчү эшләсә, G дәрәҗәсендәге көчәнеш тулысынча эшләсен өчен электр тәэминатыннан берничә V югарырак булырга тиеш, һәм P-MOS өчен киресенчә. Тулы ачылмаган һәм көчәнеш төшүе бик зур, нәтиҗәдә энергия куллану, эквивалент DC импедансы чагыштырмача зур, көчәнеш төшүе арта, шуңа күрә U * I дә арта, югалту җылылык дигәнне аңлата.
2, ешлык бик югары. Нигездә, кайвакыт күләм өчен артык күп, нәтиҗәдә ешлык арта, артуда MOSFET югалтулары, бу шулай ук MOSFET җылытуга китерә.
3, ток бик югары. ID максималь токтан ким булганда, ул шулай ук MOSFETның җылынуына китерәчәк.
4, MOSFET моделен сайлау дөрес түгел. MOSFETның эчке каршылыгы тулысынча каралмый, нәтиҗәдә күчү импеденциясе арта.二 、
MOSFETның каты җылылык җитештерү өчен чишелеш
1, MOSFETның җылыткыч линиясе буенча яхшы эш эшләгез.
2, җитәрлек ярдәмче җылыткычлар өстәргә.
3, heatылыткыч ябыштыргычны ябыштырыгыз.
Пост вакыты: май-19-2024
