СайлауMOSFETбик мөһим, начар сайлау бөтен схеманың энергиясен куллануга тәэсир итә ала, төрле MOSFET компонентларының нюансларын һәм төрле күчергеч схемалардагы параметрларны үзләштерә, инженерларга күп проблемалардан качарга булыша ала, түбәндәгеләр Гуанхуа Вейе тәкъдимнәре. MOSFETларны сайлау өчен.
Беренчедән, P-канал һәм N-канал
Беренче адым - N-канал яки P-канал MOSFET куллануны ачыклау. Электр кушымталарында, MOSFET җир, һәм йөк магистраль көчәнешенә тоташканда ,.MOSFETаз көчәнешле як ачкычны тәшкил итә. Түбән көчәнешле күчүдә N-канал MOSFETлар гадәттә кулланыла, бу җайланманы сүндерергә яки кабызырга кирәк булган көчәнешне исәпкә ала. MOSFET автобуска һәм йөкләнгән җиргә тоташканда, югары көчәнеш ягы күчергеч кулланыла. P-канал MOSFETлар гадәттә көчәнеш саклагычлары аркасында кулланыла. Кушымта өчен кирәкле компонентларны сайлау өчен, җайланма йөртү өчен кирәк булган көчәнешне һәм дизайнда тормышка ашыруның җиңеллеген билгеләргә кирәк. Киләсе адым - кирәкле көчәнеш дәрәҗәсен, яки компонент күтәрә алган максималь көчәнешне билгеләү. Вольт рейтингы никадәр югары булса, җайланманың бәясе дә шулкадәр югары. Практикада көчәнеш рейтингы магистраль яки автобус көчәнешеннән зуррак булырга тиеш. Бу MOSFET уңышсыз калмасын өчен җитәрлек саклауны тәэмин итәчәк. MOSFET сайлау өчен, дренаждан чыганакка, ягъни максималь VDS каршы тора алырлык максималь көчәнешне билгеләргә кирәк, шуңа күрә MOSFET каршы тора алган максималь көчәнеш температура белән үзгәрүен белергә кирәк. Дизайнерлар көчәнеш диапазонын бөтен эш температурасы диапазонында сынап карарга тиеш. Рейтингланган көчәнеш, бу чылбырның өзелмәсен өчен, бу диапазонны каплар өчен җитәрлек маржа булырга тиеш. Моннан тыш, бүтән куркынычсызлык факторларын индуктив көчәнеш үткәргеч дип санарга кирәк.
Икенчедән, хәзерге рейтингны билгеләгез
MOSFETның хәзерге рейтингы схема структурасына бәйле. Хәзерге рейтинг - йөк барлык шартларда түзә ала торган максималь ток. Вольт корпусына охшаган, дизайнер сайланган MOSFETның бу бәяләнгән токны йөртә алуына инанырга тиеш, хәтта система ток токын чыгарса да. Ике агымдагы сценарий - өзлексез режим һәм импульс. Ток җайланма аша өзлексез үткәндә, MOSFET өзлексез үткәрү режимында тотрыклы хәлдә. Пульс очкычлары җайланма аша агып торган күп санлы (яки ток очкычлары) дигәнне аңлата, бу очракта, максималь ток билгеләнгәннән соң, бу максималь токка каршы тора алырлык җайланманы турыдан-туры сайлау гына.
Рейтингланган токны сайлаганнан соң, үткәрү югалту да исәпләнә. Аерым очракларда,MOSFETүткәргеч процесс вакытында булган электр югалтулары, үткәрү югалтулары дип аталган идеаль компонентлар түгел. "Яна" булганда, MOSFET үзгәрүчән резистор булып эшли, ул җайланманың RDS (ON) белән билгеләнә һәм температура белән сизелерлек үзгәрә. Deviceайланманың көчен югалту Iload2 x RDS (ON) белән исәпләнергә мөмкин, һәм каршылык температура белән үзгәргәнгә, энергия югалту пропорциональ рәвештә үзгәрә. MOSFET өчен кулланылган көчәнеш VGS никадәр югары булса, RDS түбәнрәк (ОН); киресенчә, RDS (ОН) югарырак. Система дизайнеры өчен, монда система көчәнешенә карап сәүдә нәтиҗәләре уйный. Күчмә конструкцияләр өчен түбән көчәнешләр җиңелрәк (һәм ешрак), сәнәгать конструкцияләре өчен югары көчәнешләр кулланырга мөмкин. Игътибар итегез, RDS (ON) каршылыгы ток белән бераз күтәрелә.
Технология компонент характеристикасына бик зур йогынты ясый, һәм кайбер технологияләр максималь VDSны арттырганда RDS (ON) артуга китерәләр. Мондый технологияләр өчен, VDS һәм RDS (ON) төшерелергә тиеш булса, вафер зурлыгын арттыру таләп ителә, шулай итеп аның белән бара торган пакет күләме һәм үсеш бәясе арта. Тармакта вафин зурлыгын контрольдә тотарга омтылган берничә технология бар, аларның иң мөһиме - окоп һәм корылма баланс технологияләре. Траншея технологиясендә тирән окоп ваферга салынган, гадәттә түбән көчәнеш өчен сакланган, каршылыклы RDS (ON) киметү өчен.
III. Heatылылык тарату таләпләрен билгеләгез
Киләсе адым - системаның җылылык таләпләрен исәпләү. Ике төрле сценарийны карарга кирәк, иң начар очрак һәм реаль очрак. TPV иң начар сценарий нәтиҗәләрен исәпләргә тәкъдим итә, чөнки бу исәпләү куркынычсызлыкның зур күләмен тәэмин итә һәм системаның эшләмәвен тәэмин итә.
IV. Эшчәнлекне күчү
Ниһаять, MOSFETның күчү эше. Күчерү эшенә тәэсир итүче бик күп параметрлар бар, мөһимләре капка / дренаж, капка / чыганак һәм дренаж / чыганак сыйдырышлыгы. Бу сыйдырышлыклар компонентта күчү югалтуларын формалаштыралар, алар күчерелгән саен зарядка кирәк. Нәтиҗәдә, MOSFETның күчү тизлеге кими һәм җайланманың эффективлыгы кими. Күчерү вакытында җайланмадагы гомуми югалтуларны исәпләү өчен, дизайнерны кабызу вакытында (Eon) һәм сүндерү вакытында (Eoff) югалтуларны исәпләргә кирәк. Бу түбәндәге тигезләмә белән күрсәтелергә мөмкин: Psw = (Eon + Eoff) x күчү ешлыгы. Gateәм капка корылмасы (Qgd) күчүчәнлеккә иң зур йогынты ясый.
Пост вакыты: 22-2024 апрель
