Металл-оксид-ярымүткәргеч структурасы кристалл транзисторның гадәттә билгелеMOSFET, монда MOSFETлар P тибындагы MOSFETларга һәм N тибындагы MOSFETларга бүленәләр. MOSFETлардан торган интеграль схемалар шулай ук MOSFET интеграль схемалар дип атала, һәм PMOSFETлардан торган тыгыз бәйләнгән MOSFET интеграль схемалар һәмNMOSFETs CMOSFET интеграль схемалар дип атала.
P тибындагы субстраттан һәм югары концентрация кыйммәтләре булган ике n таралучы мәйданнан торган MOSFET n-канал дип аталаMOSFET, һәм n тибындагы үткәргеч канал аркасында үткәргеч үткәргеч канал, труба үткәргәндә югары концентрация кыйммәтләре булган ике n тарату юлында n таралу юллары аркасында килеп чыга. n-канал калынлашкан MOSFET-ларда үткәргеч канал аркасында n-канал бар, уңай юнәлешле капка капкада мөмкин кадәр күтәрелгәндә һәм капка чыганагы эше бусага көчәнешеннән арткан эш көчәнешен таләп иткәндә генә. n-каналның бетү MOSFETлары - капка көчәнешенә әзер булмаганнар (капка чыганагы эше нульнең эш көчәнешен таләп итә). N-канал яктылыгы бетү MOSFET - n-канал MOSFET, анда үткәргеч канал капка көчәнеше (капка чыганагы эш көчәнеше ноль) әзер булмаганда барлыкка килә.
NMOSFET интеграль схемалар - N-канал MOSFET электр белән тәэмин итү схемасы, NMOSFET интеграль схемалар, керү каршылыгы бик югары, күпчелек электр агымының үзләштерүен үзләштерергә тиеш түгел, һәм шулай итеп CMOSFET һәм NMOSFET интеграль схемалар тоташмыйча тоташтырылган. Энергия агымы йөкләмәсен исәпкә алыгыз. 9В күбрәк. CMOSFET интеграль схемалар бары тик NMOSFET интеграль схемалар белән NMOSFET интеграль схемалар белән тоташырга мөмкин булган NMOSFET интеграль схемалар белән бер үк күчергеч электр белән тәэмин итү схемасын кулланырга тиеш. Ләкин, NMOSFET -тан CMOSFET-ка шунда ук тоташты, чөнки NMOSFET чыгару чыдамлыгы CMOSFET интеграль схема ачкычлы тарту каршылыгыннан кимрәк, шуңа күрә потенциаль аерманы тарту резисторын кулланырга тырышыгыз, R резисторының кыйммәте гадәттә 2 - 100КΩ.
N-канал төзелеше калынлашкан MOSFETларны
Аз допинг концентрациясе кыйммәте булган P тибындагы кремний субстратта, допинг концентрациясе югары булган ике N өлкәсе ясала, һәм алюминий металлдан ике электрод дренаж д һәм чыганак чыганагы булып хезмәт итәләр.
Аннары ярымүткәргеч компонент өслегендә кремний изоляцион трубаның бик нечкә катламын маскалаганда, дренажда - дренаж чыганагы һәм башка алюминий электрод чыганагы арасында изоляцион труба, капка g кебек.
Субстратта шулай ук N-канал калын MOSFETтан торган В электроды чыгарыла. MOSFET чыганагы һәм субстрат гадәттә бергә тоташтырылган, заводтагы торбаның күпчелек өлеше аңа күптән тоташкан, капкасы һәм башка электродлар корпус арасында изоляцияләнгән.
Пост вакыты: 26-2024 май
