MOSFET югары кертү каршылыгы, түбән тавыш, җылылык тотрыклылыгы, электрон схемалардагы интеграль өстенлекләр һәм зур энергия агымы аркасында, зур көчәнеш электр белән тәэмин итү чылбыры киң кулланыла; дөрес куллану, MOSFET пинны ачыклау, поляритлык бик мөһим, шул ук транзистор белән, MOSFET пинны оста ачыкларга кирәк, поляритлык иң элек аның структурасын һәм төп принципларын аңларга тиеш.MOSFETпинның G капкасы бар, D агызыгыз һәм S чыганагы өч электр дәрәҗәсе, ике капкалы трубаның дүрт электр дәрәҗәсе булса.
MOSFETларны тоташуга бүлеп булаMOSFETsһәм төзелеш буенча изоляцияләнгән катлам капкасы MOSFETлар, алардан изоляцияләнгән катлам капкасы MOSFETлар көчәйтү һәм бетүгә бүленә; MOSFETs чишелеше pn узышын аңлата, изоляцияләнгән катлам капкасы MOSFETs изоляцияләнгән катлам капкасы капка һәм чыганак катламын аңлата, уртада агызу. Кремний диоксиды кабель кабыгы, алар арасында үткәргеч бәйләнеш юк. Conductткәргеч канал характеристикалары буенча, MOSFET чишелеше һәм MOSFET изоляцияләнгән катлам челтәре электронга һәмтишек тибындагы канал,ул - MOSFET үткәргеч куркынычсыз канал. ике төрле ирекле электрон. MOSFET көчәнеш белән идарә ителгән кристалл транзисторга керә, капка һәм үткәргеч эш куәтенең каналын үзгәртү өчен эш көчәнеше сменасы уртасы чыганагы буенча. Триод флук-манипуляцияләнгән кристалл триоды дип классификацияләнә, һәм коллектор тоташу токының зурлыгы агым сменасы буенча үзгәрә.
Еллар дәвамында ОЛУКЕЙ исән калу ышанычына, "сыйфатлы беренче, хезмәт күрсәтү" максатына һәм илдә һәм чит илдә күп югары технологияле предприятияләргә ия булып, яхшы эш мөнәсәбәтләрен җайга салу өчен төп завод, күп еллык профессиональ тәҗрибәсе белән. тарату, яхшы кредит, искиткеч хезмәт, һәм ышаныч һәм ярдәмнең киң ассортиментына керү.
Пост вакыты: Июль-03-2024
