MOSFET анти-кире схема - йөк чылбырының кире электр полярлыгы аркасында бозылмасын өчен кулланыла торган саклау чарасы. Электр белән тәэмин итү полярлыгы дөрес булганда, схема нормаль эшли; Электр белән тәэмин итү полярлыгы кире кайткач, схема автоматик рәвештә өзелә, шулай итеп йөкне зыяннан саклый. Түбәндә MOSFET анти-кире схемага җентекләп анализ ясала:
Беренчедән, MOSFET анти-кире схеманың төп принцибы
MOSFET анти-кире схема, MOSFETның күчү үзенчәлекләрен кулланып, капка (G) көчәнешен контрольдә тотып, схеманы кабызу һәм сүндерү. Электр белән тәэмин итү полярлыгы дөрес булганда, капка көчәнеше MOSFET үткәрү халәтенә китерә, ток гадәттә агып китә ала; Электр белән тәэмин итү полярлыгы кире кайткач, капка көчәнеше MOSFET үткәргеч ясый алмый, шулай итеп схеманы өзә.
Икенчедән, MOSFET анти-кире схеманың конкрет реализациясе
1. N-канал MOSFET анти-кире схема
N-канал MOSFETлар гадәттә анти-кире схемаларны тормышка ашыру өчен кулланыла. Схемада N-канал MOSFET чыганагы (S) йөкнең тискәре терминалына тоташтырылган, дренаж (D) электр тәэминатының уңай терминалына, һәм капка (G) тоташтырылган. Резистор аша яки контроль схема белән идарә итүче тискәре терминал.
Алга тоташу: электр белән тәэмин итүнең уңай терминалы D белән, ә тискәре терминал С белән тоташтырылган Бу вакытта резистор MOSFET өчен капка чыганагы көчәнешен (VGS) тәэмин итә, һәм VGS бусагадан зуррак булганда. MOSFET көчәнеше (Vth), MOSFET үткәрә, һәм ток электр белән тәэмин итүнең уңай терминалыннан MOSFET аша йөккә агыла.
Кире борылганда: электр белән тәэмин итүнең уңай терминалы S белән, ә тискәре терминал D белән тоташтырылган. Бу вакытта MOSFET өзелгән хәлдә һәм йөкне зыяннан саклау өчен схема өзелгән, чөнки капка көчәнеше MOSFET үткәрү өчен җитәрлек VGS формалаштыра алмый (VGS 0 яки Vth-тан кимрәк булырга мөмкин).
2. Ярдәмче компонентларның роле
Резистор: MOSFET өчен капка чыганагы көчәнешен тәэмин итү һәм капка токын чикләү өчен кулланыла.
Вольт көйләүчесе: капка чыганагы көчәнешенең артык зур булмавы һәм MOSFETны өзү өчен кулланылган өстәмә компонент.
Паразитик диод: MOSFET эчендә паразитик диод (тән диоды) бар, ләкин аның эффекты, гадәттә, кире конструкцияләрдә зарарлы эффектны булдырмас өчен, схема дизайны белән санга сукмыйлар.
Өченчедән, MOSFET анти-кире схеманың өстенлекләре
Түбән югалту: Каршылык MOSFET кечкенә, каршылык көчәнеше кими, шуңа күрә чылбыр югалту аз.
Relгары ышанычлылык: кирегә каршы функция гади схема дизайны аша тормышка ашырылырга мөмкин, һәм MOSFET үзе ышанычлылыкның югары дәрәҗәсенә ия.
Эчлек: төрле MOSFET модельләре һәм схема дизайннары төрле кушымта таләпләренә туры китереп сайланырга мөмкин.
Саклык
MOSFET анти-кире схема дизайнында, сез MOSFETларны куллану таләпләренә туры килүен тәэмин итәргә тиеш, шул исәптән көчәнеш, ток, күчү тизлеге һәм башка параметрлар.
Схема эшенә тискәре йогынты ясамас өчен, схеманың башка компонентларының йогынтысын карарга кирәк, мәсәлән, паразитик сыйдырышлык, паразитик индуктивлык һ.б.
Практик кушымталарда, схеманың тотрыклылыгын һәм ышанычлылыгын тәэмин итү өчен, тиешле сынау һәм тикшерү дә таләп ителә.
Йомгаклап әйткәндә, MOSFET анти-кире схема - гади, ышанычлы һәм аз югалтулы электр белән тәэмин итү схемасы, ул кире энергия поляритлыгын булдыруны таләп иткән төрле кушымталарда киң кулланыла.
Пост вакыты: 13-2024 сентябрь
