Гадәттә кулланыла торган югары көчле MOSFETларның эш принцибы белән таныштыру

Бүген еш кулланыла торган югары көчMOSFETаның эш принцибын кыскача кертү. Аның үз эшен ничек тормышка ашырганын карагыз.

 

Металл-оксид-ярымүткәргеч, ягъни металл-оксид-ярымүткәргеч, төгәл, бу исем MOSFET структурасын интеграль схемада тасвирлый, ягъни: ярымүткәргеч җайланманың билгеле бер структурасында, кремний диоксиды һәм металл белән кушылган, формалашу капка.

 

MOSFET чыганагы һәм дренажы каршылыклы, икесе дә P тибындагы капкада формалашкан N тибындагы зоналар. Күпчелек очракта, ике өлкә бер үк, көйләүнең ике очлары җайланманың эшенә тәэсир итмәсә дә, мондый җайланма симметрияле санала.

 

Классификация: каналның материал төре һәм һәр N-каналның һәм P-каналның изоляцияләнгән капка төре буенча; үткәрү режимы буенча: MOSFET бетүгә һәм көчәйтүгә бүленә, шуңа күрә MOSFET N-каналның бетүенә һәм көчәйтелүенә бүленә; П-каналның бетүе һәм дүрт төп категорияне арттыру.

MOSFET эш принцибы - структур үзенчәлекләреMOSFETүткәргечтә катнашкан бер поляритлы йөртүче (полис) үткәрә, бер поляр транзистор. Meткәрү механизмы аз көчле MOSFET белән бертигез, ләкин структурасы зур аермага ия, аз көчле MOSFET - горизонталь үткәргеч җайланма, күпчелек MOSFET вертикаль үткәргеч структурасы, шулай ук ​​VMOSFET дип аталган, MOSFETны яхшырта. җайланма көчәнеше һәм ток чыдамлыгы. Төп үзенчәлек - металл капка белән канал арасында кремний изоляциясе катламы бар, һәм шуның өчен югары каршылыклы, труба n диффузия зонасының ике югары концентрациясендә үткәрә, n тибындагы үткәргеч канал формалаштыра. n-каналны арттыру MOSFETлар капкага алга таба икеләтеп кулланылырга тиеш, һәм капка чыганагы көчәнеше M-MOSFET n-каналының үткәргеч каналының бусага көчәнешеннән зуррак булганда гына кулланылырга тиеш. n-каналның бетү тибы MOSFETлар - n-канал MOSFETлар, аларда капка көчәнеше кулланылмаган каналлар үткәрелә (капка чыганагы көчәнеше нуль).

 

MOSFET эксплуатациясе принцибы - "индуктив корылма" формалашкан үткәргеч каналның торышын үзгәртү өчен, аннары дренаж агымын контрольдә тоту максатына ирешү өчен, "индуктив корылма" күләмен контрольдә тоту. Трубалар җитештергәндә, күп санлы уңай ионнар барлыкка килгәндә катламны изоляцияләү процессы аша, шуңа күрә интерфейсның икенче ягында тискәре корылма булырга мөмкин, бу тискәре зарядкалар Nдагы пычракларның югары үтеп керүенә китерә ала. үткәргеч канал формалашуга бәйләнгән төбәк, хәтта VGS = 0 да зур агым ток таныклыгы бар. капка көчәнеше үзгәргәндә, каналда китерелгән корылма күләме дә үзгәртелә, һәм үткәргеч канал киңлеге һәм каналның тарлыгы үзгәрә, шулай итеп капка көчәнеше белән агып торган ток ID. агымдагы таныклык капка көчәнеше белән үзгәрә.

 

Хәзер куллануMOSFETкешеләрнең тормыш сыйфатын яхшырту белән беррәттән, кешеләрнең укуын, эш нәтиҗәлелеген яхшыртты. Бездә аны гади аңлау аша рациональләштерелгән аңлау бар. Ул корал буларак кына кулланылмый, аның характеристикаларын, эш принцибын яхшырак аңлау, бу безгә бик күңелле булачак.