Кечкенә көчәнеш MOSFET сайлау - бик мөһим өлешMOSFETсайлау яхшы түгел, бөтен схеманың эффективлыгына һәм бәясенә йогынты ясарга мөмкин, ләкин шулай ук инженерларга күп проблемалар китерәчәк, ничек MOSFETны дөрес сайларга?
N-каналны яки P-каналны сайлау Дизайн өчен дөрес җайланманы сайлауда беренче адым - N-канал яки P-канал MOSFET куллану-кулланмау турында карар кабул итү. MOSFET җиргә салынган һәм йөк магистраль көчәнешенә тоташтырылган. Түбән көчәнешле сүндергечтә, N-канал MOSFET җайланманы сүндерергә яки кабызырга кирәк булган көчәнешне исәпкә алып кулланылырга тиеш.
MOSFET автобуска тоташканда һәм йөк җиргә төшкәч, югары көчәнеш ягы ачкыч кулланылырга тиеш. P-канал MOSFETлар гадәттә бу топологиядә кулланыла, кабат көчәнеш саклагычлары өчен. Хәзерге рейтингны билгеләгез. MOSFETның хәзерге рейтингын сайлагыз. Схема структурасына карап, бу агымдагы рейтинг барлык шартларда да түзә ала торган максималь ток булырга тиеш.
Вольт көчәнешенә охшаган, дизайнер сайланганны тәэмин итәргә тиешMOSFETсистема агым токларын барлыкка китергәндә дә бу агымдагы рейтингка каршы тора ала. Ике агымдагы очрак - өзлексез режим һәм импульс очкычлары. Даими үткәрү режимында, ток җайланма аша өзлексез үткәндә, MOSFET тотрыклы хәлдә.
Пульс очкычлары - җайланма аша зур селкенүләр (яки ток очлары) булганда. Бу шартларда максималь ток билгеләнгәннән соң, бу максималь токка каршы тора алырлык җайланманы турыдан-туры сайлау гына тора. Rылылык таләпләрен билгеләү MOSFET сайлау шулай ук системаның җылылык таләпләрен исәпләүне таләп итә. Дизайнер ике төрле сценарийны карарга тиеш, иң начар очрак һәм чын очрак. Иң начар очракны исәпләү кулланырга киңәш ителә, чөнки ул куркынычсызлыкның зур күләмен тәэмин итә һәм системаның эшләмәвен тәэмин итә. MOSFET мәгълүмат битендә белергә тиешле кайбер үлчәүләр дә бар; пакет җайланмасы һәм әйләнә-тирә ярымүткәргеч тоташуы, максималь температура кебек җылылык каршылыгы кебек. Эшчәнлекне күчү турында карар кабул итү, MOSFET-ны сайлауда соңгы адым - күчүчәнлек турында карар кабул итүMOSFET.
Күчерү эшенә тәэсир итүче бик күп параметрлар бар, ләкин иң мөһиме - капка / дренаж, капка / чыганак, һәм дренаж / чыганак сыйдырышлыгы. Бу сыйдырышлык җайланмада күчү югалтуларын тудыра, чөнки алар һәр күчү вакытында зарядланырга тиеш. MOSFETның күчү тизлеге кими һәм җайланманың эффективлыгы кими. Күчерү вакытында җайланманың гомуми югалтуларын исәпләү өчен, дизайнер кабызу югалтуларын (Эон) һәм сүндерү югалтуларын исәпләргә тиеш.
VGS кыйммәте кечкенә булганда, электроннарны үзләштерү сәләте көчле түгел, агып чыга - әле үткәргеч канал тәкъдим итмәгән чыганак, vGS арта, P субстратының тышкы өслек катламына сеңгәндә, vGS a җиткәч. билгеле бер кыйммәт, P субстрат күренеше янындагы капкадагы бу электроннар N тибындагы нечкә катламны тәшкил итә, һәм ике N + зонасы тоташканда vGS билгеле бер кыйммәткә җиткәч, P субстрат күренеше янындагы капкадагы бу электроннар а тәшкил итәчәк. Н тибындагы нечкә катлам, һәм ике N + өлкәсенә тоташкан, дренажда - чыганак N тибындагы үткәргеч каналны, аның үткәргеч тибын һәм P субстратының капма-каршысын, анти-тип катламын тәшкил итә. vGS зуррак, ярымүткәргеч күренешнең электр кыры көчлерәк булуы, P субстратының тышкы ягына электроннарның үзләштерүе, үткәргеч канал калынрак булса, каналның каршылыгы түбәнрәк. Ягъни, VGS <VT-та N-канал MOSFET үткәргеч канал булдыра алмый, труба өзелгән хәлдә. VGS ≥ VT булганда, канал составы булганда гына. Канал барлыкка килгәннән соң, дренаж чыганагы арасында алга көчәнеш vDS кушып, дренаж токы барлыкка килә.
Ләкин Vgs артуын дәвам итә, әйтик, IRFPS40N60KVgs = 100V Vds = 0 һәм Vds = 400V булганда, ике шарт, труба функциясе нинди эффект китерә, янса, процессның эчке механизмы Vgs арту ничек кимиячәк? Rds (кабызу) күчү югалтуларын киметә, ләкин шул ук вакытта Qg-ны арттырачак, шулай итеп кабызу югалту зуррак була, MOSFET GS көчәнешенең эффективлыгына Vgg-Cgs зарядка һәм күтәрелү Vth хезмәт көчәнешенә килеп җитте. , MOSFET үткәргеч башлау; MOSFET DS агымының артуы, DS сыйдырышлыгы һәм агызуы аркасында интервалда Миллиер сыйдырышлыгы, GS сыйдырышлыгы зарядлау күп тәэсир итми; Qg = Cgs * Vgs, ләкин зарядка артуны дәвам итәчәк.
MOSFETның DS көчәнеше Vgs белән бер көчәнешкә төшә, Миллиер сыйдырышлыгы зур арта, тышкы саклагыч көчәнеше Миллиер сыйдырышлыгын зарядлаудан туктый, GS сыйдырышлыгы көчәнеше үзгәрешсез кала, Милли сыйдырышлыктагы көчәнеш арта, көчәнеш DS сыйдырышлыгы кимүен дәвам итә; MOSFETның DS көчәнеше туендырылган үткәргечтә көчәнешкә кадәр кими, Миллиер сыйдырышлыгы кечерәя бара MOSFETның DS көчәнеше туендыру үткәрү көчәнешенә төшә, Миллиер сыйдырышлыгы кечерәя һәм тышкы сыйдырышлык белән GS сыйдырышлыгы белән бергә корыла. көчәнеш, һәм GS сыйдырышлыгында көчәнеш күтәрелә; көчәнеш үлчәү каналлары - эчке 3D01, 4D01, һәм Nissan 3SK сериясе.
G-полюс (капка) билгеләү: мультиметрның диод җиһазларын кулланыгыз. Әгәр уңай һәм тискәре көчәнеш төшүе арасындагы аяк һәм калган ике аяк 2Втан зуррак булса, ягъни "1" дисплей булса, бу аяк Г. капкасы, аннары каләмне ике аякның калган өлешен үлчәү өчен алыштырыгыз, көчәнеш төшүе ул вакытта кечкенә, кара каләм D-полюска (дренаж), кызыл каләм S-полюска (чыганак) тоташтырылган.
Пост вакыты: 26-2024 апрель
