Дөрес MOSFET сайлау, билгеле кушымта таләпләренә туры килүен тәэмин итү өчен, берничә параметрны карарга тиеш. Менә MOSFET сайлау өчен төп адымнар һәм уйланулар:
1. Типны билгеләгез
- N-канал яки P-канал: N-канал яки P-канал MOSFET арасыннан сайлап алыгыз. Гадәттә, N-канал MOSFETлар түбән якка күчү өчен кулланыла, ә P-канал MOSFETлар югары якка күчү өчен кулланыла.
2. Вольт рейтингы
- Дренаж чыганагының максималь көчәнеше (VDS): максималь дренаж чыганагының көчәнешен билгеләгез. Бу кыйммәт куркынычсызлык өчен җитәрлек маржа белән схемадагы көчәнеш стрессыннан артырга тиеш.
- Максималь капка чыганагы көчәнеше (VGS): MOSFET йөртү схемасының көчәнеш таләпләренә туры килүен һәм капка чыганагы көчәнеш чикләреннән артмавын тәэмин итегез.
3. Агымдагы мөмкинлек
- бәяләнгән ток (ID): схемада көтелгән максималь токтан зуррак яки тигез булган бәяләнгән ток белән MOSFET сайлагыз. MOSFET бу шартларда максималь ток белән эш итә алсын өчен импульсның иң югары токын карагыз.
4. Каршылык (RDS (on))
- Каршылык: Каршылык - MOSFET үткәргәндә каршылык. Түбән RDS (кабызылган) MOSFET сайлау энергия югалтуын киметә һәм нәтиҗәлелеген күтәрә.
5. Эшчәнлекне күчү
- Күчерү тизлеге: күчү ешлыгын (FS) һәм MOSFETның күтәрелү / төшү вакытын карагыз. Highгары ешлыклы кушымталар өчен тиз күчү үзенчәлекләре булган MOSFET сайлагыз.
- Потенциал: Капка-дренаж, капка чыганагы, дренаж чыганагы сыйдырышлыгы күчү тизлегенә һәм эффективлыгына тәэсир итә, шуңа күрә аларны сайлау вакытында карарга кирәк.
6. Пакет һәм җылылык белән идарә итү
- Пакет төре: PCB киңлегенә, җылылык таләпләренә һәм җитештерү процессына нигезләнеп тиешле пакет төрен сайлагыз. Пакетның зурлыгы һәм җылылык эшләнеше MOSFET монтажлау һәм суыту эффективлыгына тәэсир итәчәк.
- rылылык таләпләре: Системаның җылылык ихтыяҗларын анализлагыз, аеруча начар шартларда. Бу шартларда гадәттә эшли ала торган MOSFETны сайлагыз, артык кызу аркасында система эшләмәсен өчен.
7. Температура диапазоны
- MOSFETның эш температурасы диапазоны системаның экологик таләпләренә туры килүен тәэмин итегез.
8. Махсус заявкалар
- Түбән көчәнешле кушымталар: 5В яки 3В электр тәэминаты кулланган кушымталар өчен MOSFET капкасы көчәнеш чикләренә игътибар итегез.
- Киң көчәнеш кушымталары: урнаштырылган Зенер диоды булган MOSFET капка көчәнешенең селкенүен чикләү өчен таләп ителергә мөмкин.
- Ике көчәнеш кушымталары: югары ягыннан MOSFETны түбән ягыннан эффектив контрольдә тоту өчен махсус схема конструкцияләре кирәк булырга мөмкин.
9. Ышаныч һәм сыйфат
- theитештерүче абруен, сыйфатын ышандыру, компонентның озак вакытлы тотрыклылыгы турында уйлагыз. Highгары ышанычлы кушымталар өчен автомобиль дәрәҗәсе яки башка сертификатланган MOSFETлар кирәк булырга мөмкин.
10. Бәясе һәм мөмкинлеге
- MOSFET бәясен һәм тәэмин итүченең әйдәп бару вакытын һәм тәэмин итү тотрыклылыгын исәпкә алыгыз, компонент эшнең дә, бюджет таләпләренә дә туры килүен тәэмин итегез.
Сайлау адымнары турында кыскача мәгълүмат:
- N-канал яки P-канал MOSFET кирәклеген ачыклагыз.
- Дренаж чыганагы көчәнешен (VDS) һәм капка чыганагы көчәнешен (VGS) урнаштырыгыз.
- Иң югары ток белән эш итә алган бәяләнгән ток (ID) булган MOSFETны сайлагыз.
- Яхшыртылган эффективлык өчен түбән RDS (кабызылган) MOSFET сайлагыз.
- MOSFETның күчү тизлеген һәм сыйдырышлыкның эшкә тәэсирен карагыз.
- Космоска, җылылык ихтыяҗларына һәм PCB дизайнына нигезләнеп тиешле пакет төрен сайлагыз.
- Эш температурасы диапазоны система таләпләренә туры килүен тәэмин итегез.
- көчәнеш чикләүләре һәм схема дизайны кебек махсус ихтыяҗларны исәпкә алыгыз.
- theитештерүченең ышанычлылыгын һәм сыйфатын бәяләгез.
- Кыйммәт һәм тәэмин итү чылбырының тотрыклылыгы факторы.
MOSFET сайлаганда, җайланманың мәгълүматлар таблицасына мөрәҗәгать итү, барлык конструкция шартларына туры килүен тикшерү өчен җентекле анализ һәм исәпләүләр үткәрү тәкъдим ителә. Симуляцияләр һәм тестлар ясау шулай ук сезнең сайлау дөреслеген тикшерү өчен мөһим адым.
Пост вакыты: 28-2024 сентябрь
