MOSFETлар ничек эшли?

1, MOSFETкереш сүз

FieldEffect транзистор кыскарту (FET)) исеме MOSFET. җылылык үткәрүдә катнашу өчен аз санлы йөртүчеләр тарафыннан, шулай ук ​​күп полюслы транзистор. Ул көчәнешне үзләштерү ярым ярымүткәргеч механизмына карый. Чыгышка каршы тору югары (10 ^ 8 ~ 10 ^ 9Ω), аз тавыш, аз энергия куллану, статик диапазон, интеграцияләү җиңел, икенче өзелү күренеше юк, диңгезнең страховкалау бурычы һәм башка өстенлекләр хәзер үзгәрде. көчле хезмәттәшләрнең биполяр транзисторы һәм көч тоташу транзисторы.

 

2, MOSFET үзенчәлекләре

1, MOSFET - көчәнеш белән идарә итү җайланмасы, ул VGS (капка чыганагы көчәнеше) контроль ID (дренаж DC) аша;

2, MOSFET'sчыгу DC полюсы кечкенә, шуңа күрә чыгу каршылыгы зур.

3, бу җылылык үткәрү өчен аз санлы йөртүчеләрнең кулланылышы, шуңа күрә аның тотрыклылыгы яхшырак;

4, ул электр киметү коэффициентының кыскарту юлыннан тора, триод кыскарту коэффициентының кыскарту юлыннан кечерәк;

5, MOSFET нурланышка каршы сәләт;

6, таралган тавыш кисәкчәләре аркасында килеп чыккан олигон дисперсиясенең ялгыш активлыгы булмаганлыктан, тавыш түбән.

 

3 、 MOSFET бирем принцибы

MOSFET'sбер җөмләдә эш принцибы - "дренаж - капка өчен канал аша агылган ID белән капка көчәнеше мастер ID-ның кире ягы белән барлыкка килгән pn кушылмасы арасындагы канал" чыганагы, төгәл итеп әйткәндә, ID киңлектә агыла. юлның, ягъни каналның кисемтәләр өлкәсе, pn чишелешенең кире яклы үзгәреше, тузган катлам тудыра, үзгәрүчәнлекне контрольдә тотуның сәбәбе. VGS = 0 туенмаган диңгездә, күчү катламының киңәюе бик зур булмаганлыктан, дренаж чыганагы арасында VDS магнит кыры кушылуы буенча, чыганак диңгезендәге кайбер электроннар читкә алып китәләр. дренаж, ягъни, дренаждан чыганакка кадәр DC ID эшчәнлеге бар. Капкадан дренажга кадәр киңәйтелгән уртача катлам каналның бөтен тәнен блоклау төре, ID тулы итә. Бу форманы чиста дип атарга. Күчерү катламын символлаштыру, электр көче түгел, бөтен киртәләр каналына.

 

Күчмә катламда электроннарның һәм тишекләрнең ирекле хәрәкәте булмаганлыктан, аның идеаль формада изоляцион үзлекләре бар, һәм гомуми ток агымы авыр. Ләкин аннары дренаж арасындагы электр кыры - чыганак, асылда, ике күчмә катлам контакт дренаж һәм аскы өлеш янындагы капка баганасы, чөнки дрифт электр кыры югары тизлекле электроннарны күчү катламы аша тарта. Дрифт кырының интенсивлыгы ID сәхнәсенең тулылыгын даими диярлек.

 

Схема көчәйтелгән P-канал MOSFET һәм көчәйтелгән N-канал MOSFET комбинациясен куллана. Керү аз булганда, P-канал MOSFET үткәрә һәм чыгу электр белән тәэмин итүнең уңай терминалына тоташтырыла. Керү югары булганда, N-канал MOSFET үткәрә һәм чыгу электр белән тәэмин итү җиренә тоташтырыла. Бу схемада P-канал MOSFET һәм N-канал MOSFET һәрвакыт каршы дәүләтләрдә эшлиләр, аларның фаза керемнәре һәм нәтиҗәләре кирегә.