Икенчедән, система чикләүләренең зурлыгы
Кайбер электрон системалар PCB зурлыгы һәм эчке белән чикләнә биеклек, сэлемтә системасы буларак, биеклек чикләүләре аркасында модульле электр белән тәэмин итү гадәттә DFN5 * 6, DFN3 * 3 пакетын куллана; кайбер ACDC электр белән тәэмин итүдә, ультра-нечкә дизайн куллану яки кабыгы чикләнгәнлектән, биеклек чикләүләренең тамырына турыдан-туры кертелгән MOSFET аяк көченең TO220 пакетын җыю TO247 пакетын куллана алмый. Кайбер ультра-нечкә дизайн җайланма кадакларын турыдан-туры бөкли, бу дизайн җитештерү процессы катлауланачак.
Өченчедән, компаниянең җитештерү процессы
TO220ның ике төре бар: ялан металл пакет һәм тулы пластик пакет, ялан металл пакет җылылык каршылыгы кечкенә, җылылык тарату сәләте көчле, ләкин җитештерү процессында изоляция төшүен өстәргә кирәк, җитештерү процессы катлаулы һәм кыйммәт, тулы пластик пакет җылылык каршылыгы зур булса, җылылык тарату сәләте зәгыйфь, ләкин җитештерү процессы гади.
Винталарны ябу ясалма процессын киметү өчен, соңгы елларда кайбер электрон системалар электрга клиплар кулланаларMOSFETs җылылык резинкасына кысылды, шулай итеп традицион TO220 өлешенең өске өлешенең барлыкка килүе, яңа анкапсуляция формасында тишекләрне бетерү, шулай ук җайланманың биеклеген киметү өчен.
Дүртенчедән, чыгымнарны контрольдә тоту
Өстәл ана такталары һәм такталар кебек бик кыйммәткә сизгер кушымталарда, DPAK пакетларындагы MOSFETлар гадәттә мондый пакетларның бәясе аз булганга кулланыла. Шуңа күрә, MOSFET пакетын сайлаганда, компаниянең стиле һәм продукт үзенчәлекләре белән кушылып, югарыдагы факторларны исәпкә алыгыз.
Бишенчедән, күпчелек очракта BVDSS көчәнешенә каршы торуны сайлагыз, чөнки кертү vo дизайныэлектрон лтаж система чагыштырмача тотрыклы, компания кайбер материаль номерның конкрет тәэмин итүчесен сайлады, продукт бәяләнгән көчәнеш шулай ук тотрыклы.
Мәгълүматлар таблицасындагы MOSFETларның көчәнеш көчәнеше BVDSS сынау шартларын билгеләде, төрле шартларда төрле кыйммәтләр белән, һәм BVDSS уңай температура коэффициентына ия, бу факторлар комбинациясен куллануда комплекслы каралырга тиеш.
Күпчелек мәгълүмат һәм әдәбият еш искә алына: иң югары көчәнеш MOSFET VDS системасы BVDSSдан зуррак булса, хәтта импульс көчәнешенең озынлыгы берничә яки дистәләрчә нс булса да, MOSFET көче карга керәчәк. һәм шулай итеп зыян килеп чыга.
Транзисторлардан һәм IGBTлардан аермалы буларак, MOSFET көче карга каршы торырга сәләтле, һәм күп эре ярымүткәргеч компанияләр MOSFET кар көчләрен җитештерү линиясендә тулы тикшерү, 100% ачыклау, ягъни мәгълүматларда бу гарантияләнгән үлчәү, кар көчәнеше. гадәттә BVDSS 1,2 ~ 1,3 тапкыр була, һәм вакытның озынлыгы гадәттә μs, хәтта мс дәрәҗәсе, аннары берничә яки дистәләрчә нс озынлыгы, кар көчәнешенең көчәнеш импульс көчәнешеннән күпкә түбән. көче MOSFET.
Алты, VTH саклагыч көчәнеш сайлау буенча
Төрле электрон система MOSFETлар сайланган саклагыч көчәнеше бертигез түгел, AC / DC электр белән тәэмин итү гадәттә 12В саклагыч көчәнешен куллана, дәфтәрнең ана тактасы DC / DC конвертеры 5В саклагыч көчәнешен куллана, шуңа күрә система саклагыч көчәнеше буенча бүтән бусага көчәнешен сайлау өчен. VTH көче MOSFETлар.
Мәгълүматлар таблицасындагы MOSFETларның көчәнеш көчәнеше VTH шулай ук сынау шартларын билгеләде һәм төрле шартларда төрле кыйммәтләргә ия, һәм VTH тискәре температура коэффициентына ия. Төрле диск көчәнешләре VGS төрле каршылыкларга туры килә, һәм практик кулланмаларда температураны исәпкә алу мөһим
Практик кулланмаларда, MOSFET көченең тулысынча кабызылуын тәэмин итү өчен, температураның үзгәрүен исәпкә алырга кирәк, шул ук вакытта ябу процессында G-полюска кушылган ботак импульслары ялган тригигация белән башланмаска тиеш. туры яки кыска схема җитештерегез.
Пост вакыты: Август-03-2024
