MOSFET ачыклау агымы MOSFETлар, ярымүткәргеч өлкәсендә иң төп җайланмаларның берсе буларак, төрле продукт конструкцияләрендә һәм такта дәрәҗәсендәге схемаларда киң кулланыла. Бигрәк тә югары көчле ярымүткәргечләр өлкәсендә төрле структураларның MOSFETлары алыштыргысыз роль уйный. Әлбәттә, югары куллану дәрәҗәсеMOSFETs кайбер кечкенә проблемаларга китерде. MOSFET агып чыгу проблемаларының берсе, төрле урыннарның төрле чишелешләре бар, шуңа күрә без сезнең белешмә өчен берничә эффектив проблемаларны чишү ысулларын оештырдык.
Voor de detectie van MOSFET onderscheiden vier belangrijke аспектен:MOSFET lekkage, kortsluitfouten, ontkoppeling, versterking. Моннан тыш, MOSFET леккаж ворварден, без белангрижксте ондерзоек куннен үләбез:
1, бронь ван де верстанд вервейдерд, мультиметрлы зварт пеннен зал ниет верандерен, алс дже бевег де леккаж верстанд на метр бар гелеиделижк теруг наин эен хоге верстанды, данMOSFET lekkage; zal niet veranderen - бу проблема;
2.
3.
4, 100KΩ-200KΩ вербонден белән очрашты, дренаж капкасы белән очрашты, вольволгенс де роде каләм белән брон ван де MOSFET S, зварте каләме һәм дренаж ван де МОСФЕТ, варде ван де метрпаль маркировкасы бетте. алгемин зал 0 зижн, иң момент - электрикитит нигезендә ван дезе, МОСФЕТ капкасы баттериж опладен, электр капкасында ватан результаты, геледингс верм электрический ведомство бронза энц державасы пассажир, мультиметрлы бассейн зодаты, ике яклы гротер де гезичшшек, онтладен кенмеркен белән тулган.
Пост вакыты: 25-2024 май
