N-Channel MOSFET, N-Channel металл-оксид-ярымүткәргеч кыр-эффект транзисторы - MOSFETның мөһим төре. Түбәндә N-канал MOSFETларның җентекле аңлатмасы:
I. Төп төзелеш һәм композиция
N-канал MOSFET түбәндәге төп компонентлардан тора:
Капка:контроль терминал, чыганак белән дренаж арасындагы үткәргеч каналны контрольдә тоту өчен капка көчәнешен үзгәртеп.· ·
Чыганак:Агымдагы агым, гадәттә схеманың тискәре ягына тоташкан.· ·
Дренаж: ток агымы, гадәттә, схема йөгенә бәйләнгән.
Субстрат:Гадәттә P тибындагы ярымүткәргеч материал, MOSFETлар өчен субстрат буларак кулланыла.
Изолятор：Капка белән канал арасында урнашкан, ул гадәттә кремний газыннан (SiO2) ясала һәм изолятор булып эшли.
II. Эш принцибы
N-канал MOSFETның эш принцибы электр кыры эффектына нигезләнә, ул түбәндәгечә бара:
Киселгән статус:Капка көчәнеше (Vgs) бусага көчәнешеннән түбән булганда, капка астындагы P тибындагы субстратта N тибындагы үткәргеч канал барлыкка килми, шуңа күрә чыганак белән дренаж арасындагы өзелгән хәл бар. һәм ток агыла алмый.
Condткәрүчәнлек торышы:Капка көчәнеше (Vgs) бусага көчәнешеннән (Vt) югарырак булганда, капка астындагы P тибындагы субстраттагы тишекләр кирегә китерелә, бетү катламын барлыкка китерә. Капка көчәнешенең тагын да артуы белән электроннар P тибындагы субстрат өслегенә тартыла, N тибындагы үткәргеч канал формалаштыра. Бу вакытта чыганак белән дренаж арасында юл барлыкка килә һәм ток агып китә ала.
III. Төрләре һәм характеристикалары
N-канал MOSFETларны характеристикалары буенча төрле төрләргә бүлеп була, мәсәлән, көчәйтү-режим һәм төшү режимы. Алар арасында, көчәйтү режимы MOSFETлар капка көчәнеше нуль булганда өзелгән хәлдә, һәм үткәрү өчен уңай капка көчәнешен кулланырга кирәк; каплау көчәнеше нуль булганда, MOSFETлар төшү режимында.
N-канал MOSFETларның бик яхшы үзенчәлекләре бар:
Inputгары кертү импедансы:MOSFET капкасы һәм каналы изоляцион катлам белән изоляцияләнгән, нәтиҗәдә бик югары кертү импеденциясе барлыкка килә.
Түбән тавыш:MOSFET-ларның эше азчылык йөртүчеләрнең инъекциясен һәм кушылуын үз эченә алмаганлыктан, тавыш аз.
Түбән энергия куллану: MOSFETларның энергияне аз кулланулары бар.
Speedгары тизлекле күчү үзенчәлекләре:MOSFETларның бик тиз күчү тизлеге бар һәм алар югары ешлыклы схемалар һәм югары тизлекле санлы схемалар өчен яраклы.
IV. Куллану өлкәләре
N-канал MOSFETлар бик яхшы эшләве аркасында төрле электрон җайланмаларда киң кулланыла, мәсәлән:
Санлы схемалар:Логик капка схемаларының төп элементы буларак, ул санлы сигналларны эшкәртү һәм контрольдә тотуны тормышка ашыра.
Аналог схемалар:Күчергечләр һәм фильтрлар кебек аналог схемаларда төп компонент буларак кулланыла.
Электроника:Электр белән тәэмин итү һәм мотор саклагычлары кебек электр электрон җайланмаларын контрольдә тоту өчен кулланыла.
Башка өлкәләр:LED яктырту, автомобиль электроникасы, чыбыксыз элемтә һәм башка өлкәләр дә киң кулланыла.
Йомгаклап әйткәндә, N-канал MOSFET, мөһим ярымүткәргеч җайланмасы буларак, заманча электрон технологиядә алыштыргысыз роль уйный.
Пост вакыты: 13-2024 сентябрь
