IGBT (изоляцияләнгән капка ике яклы транзистор) һәм MOSFET (металл-оксид-ярымүткәргеч кыр-эффект транзисторы) - электр электроникасында киң кулланылган ике уртак ярымүткәргеч җайланма. Икесе дә төрле кушымталарда мөһим компонентлар булса да, алар берничә яктан аерылып торалар. Түбәндә IGBT һәм MOSFET арасындагы төп аермалар:
1. Эш принцибы
- IGBT: IGBT BJT (Bipolar Junction Transistor) һәм MOSFET характеристикаларын берләштерә, аны гибрид җайланма итә. Ул MOSFET капка көчәнеше аша BJT нигезен контрольдә тота, ул үз чиратында BJT үткәрүен һәм өзелүен контрольдә тота. IGBT үткәрү һәм кисү процесслары чагыштырмача катлаулы булса да, түбән үткәргеч көчәнеш югалтуларын һәм югары көчәнеш толерантлыгын күрсәтә.
- MOSFET: MOSFET - кыр-эффект транзисторы, ул ярымүткәргечтә токны капка көчәнеше аша контрольдә тота. Капка көчәнеше чыганак көчәнешеннән артканда, ток үткәрергә мөмкинлек бирүче үткәргеч катлам барлыкка килә. Киресенчә, капка көчәнеше бусагадан түбән булганда, үткәргеч катлам юкка чыга, һәм ток агып чыга алмый. MOSFET эше чагыштырмача гади, тиз күчү тизлеге белән.
2. Куллану өлкәләре
- IGBT: volгары көчәнешнең толерантлыгы, түбән үткәргеч көчәнешнең югалуы һәм тиз күчүчәнлеге аркасында, IGBT инвертер, двигательләр, эретеп ябыштыру машиналары, өзелмәс электр тәэминаты (UPS) кебек югары көчле, аз югалту кушымталары өчен аеруча яраклы. . Бу кушымталарда IGBT югары көчәнешле һәм югары токлы күчү эшләрен эффектив идарә итә.
- MOSFET: MOSFET, тиз җавап, югары керү каршылыгы, тотрыклы күчүчәнлеге һәм аз бәясе белән, аз көчле, тиз күчергеч кушымталарда киң кулланыла, мәсәлән, электр энергиясе белән тәэмин итү, яктырту, аудио көчәйткечләр, логик схемалар. . MOSFET аз көчле һәм аз көчәнешле кушымталарда бик яхшы эшли.
3. Спектакль характеристикалары
- IGBT: IGBT югары көчәнешле, югары токлы кушымталарда өстенлек бирә, түбән үткәрү югалтулары белән зур көч белән эш итә алу мөмкинлеге аркасында, ләкин MOSFETлар белән чагыштырганда әкренрәк күчү тизлеге бар.
- MOSFET: MOSFETлар тизрәк күчү тизлеге, аз көчәнешле кушымталарның югары эффективлыгы һәм югары күчү ешлыкларында түбән энергия югалтулары белән аерылып торалар.
4. Алмашлык
IGBT һәм MOSFET төрле максатларда эшләнгән һәм гадәттә алыштырыла алмый. Кайсы җайланманы куллануны сайлау конкрет кушымтага, эш таләпләренә һәм бәя бәяләренә бәйле.
Йомгаклау
IGBT һәм MOSFET эш принцибы, куллану өлкәләре, эш үзенчәлекләре ягыннан аерылып торалар. Бу аермаларны аңлау электр электроникасы конструкцияләре өчен тиешле җайланма сайларга ярдәм итә, оптималь эшне һәм чыгым нәтиҗәлелеген тәэмин итә.
Пост вакыты: 21-2024 сентябрь
