I. MOSFET төшенчәсе
Вольт белән идарә итүче, югары токлы җайланмалар буларак, MOSFETs Схемаларда, аеруча электр системаларында бик күп кушымталар бар. MOSFET тән диодлары, шулай ук паразитик диодлар, интеграль схемаларның литографиясендә табылмый, ләкин аерым MOSFET җайланмаларында очрый, алар югары агымнар белән идарә иткәндә һәм индуктив йөкләр булганда кире саклауны һәм агымдагы дәвамны тәэмин итә.
Бу диод булганлыктан, MOSFET җайланмасы схемада күчә торганын күреп булмый, зарядлау тәмамланган корылма схемасы кебек, көч чыгарыла һәм батарея тышка кире кайта, бу гадәттә кирәкмәгән нәтиҗә.
Гомуми чишелеш - кире электр белән тәэмин ителешне булдырмас өчен, артка диод өстәү, ләкин диодның характеристикалары алга көчәнешнең 0,6 ~ 1В төшү ихтыяҗын билгели, бу калдыклар китереп чыгарганда югары агымнарда җитди җылылык барлыкка китерә. энергия һәм гомуми энергия нәтиҗәлелеген киметү. Тагын бер ысул - энергия нәтиҗәлелегенә ирешү өчен MOSFETның түбән каршылыгын кулланып, артка-артка MOSFET өстәү.
Әйтергә кирәк, үткәрүдән соң, MOSFET юнәлешсез, шуңа күрә басымлы үткәргечтән соң, ул чыбык белән тиң, бары тик резистив, дәүләт көчәнеше төшми, гадәттә берничә миллиохмга каршы торып туенган.вакытында миллиохм, һәм юнәлешсез, DC һәм AC көчен үтәргә мөмкинлек бирә.
II. MOSFETларның характеристикалары
1, MOSFET - көчәнеш белән идарә итүче җайланма, югары агымнарны йөртү өчен этәргеч этап кирәк түгел.
2 input inputгары кертү каршылыгы;
3, киң эш ешлыгы диапазоны, югары күчү тизлеге, аз югалту
4, AC уңайлы югары импеданс, түбән тавыш.
5 、Берничә параллель куллану, чыгу токын арттыру
Икенчедән, саклык процессында MOSFETларны куллану
1, MOSFET-ны куркынычсыз куллануны тәэмин итү өчен, линия дизайнында, торба үткәргечнең таралуы, максималь агып чыгу чыганагы көчәнеше, капка чыганагы көчәнеше һәм ток һәм башка параметр лимит бәяләреннән артмаска тиеш.
2, кулланыла торган төрле MOSFETлар, тиеш.әр сүзнең MOSFET офсетының полярлыгына туры килү өчен, схемага кирәкле икеләтә керү нигезендә.
3. MOSFET урнаштырганда, җылыту элементына якын булмас өчен, урнаштыру позициясенә игътибар итегез. Арматура тибрәнүен булдырмас өчен, кабыгы кысылырга тиеш; кадакны бөкләү 5 мм зурлыгыннан зуррак булырга тиеш, кадакның бөкләнүе һәм агып китүе өчен.
4, бик югары кертү импедансы аркасында, MOSFETлар ташу һәм саклау вакытында пиннан кыскартылырга тиеш, һәм капкадан тышкы потенциаль ватылу өчен металл калкан белән төрелгән булырга тиеш.
5. Изоляцияләнгән капка MOSFET-ны эреткәндә, чыганак-дренаж капкасы тәртибен үтәгез, һәм сүндергеч белән эретеп ябыштырыгыз.
MOSFETларның куркынычсыз кулланылышын тәэмин итү өчен, сез MOSFETларның характеристикаларын һәм процессны кулланганда сакланырга тиешле чараларны тулысынча аңларга тиеш, югарыдагы кыскача мәгълүмат сезгә ярдәм итәр дип ышанам.
Пост вакыты: 15-2024 май
