МОСФЕТ, металл оксиды ярымүткәргеч кыр эффекты транзисторы өчен кыска, өч терминаллы ярымүткәргеч җайланма, ул ток агымын контрольдә тоту өчен электр кыры эффектын куллана. Түбәндә MOSFET турында төп күзәтү:
1. Аңлатма һәм классификация
- Аңлатма: MOSFET - ярымүткәргеч җайланма, капка көчәнешен үзгәртеп, дренаж һәм чыганак арасындагы үткәргеч каналны контрольдә тота. Капка чыганактан изоляцияләнә һәм изоляцион материал катламы (гадәттә кремний диоксиды) белән агызыла, шуңа күрә ул шулай ук изоляцияләнгән капка кыры эффект транзисторы буларак та билгеле.
- Классификация: MOSFETлар үткәргеч канал төренә һәм капка көчәнешенең эффектына карап классификацияләнәләр:
- N-канал һәм P-канал MOSFETлар: үткәргеч канал төренә карап.
- Көчләндерү режимы һәм төшү режимы MOSFETлар: капка көчәнешенең үткәргеч каналга тәэсиренә нигезләнеп. Шуңа күрә, MOSFETлар дүрт төргә бүленәләр: N-каналны арттыру режимы, N-каналның бетү режимы, P-каналны көчәйтү режимы, һәм P-каналның бетү режимы.
2. Структурасы һәм эш принцибы
- Структурасы: MOSFET өч төп компоненттан тора: капка (G), дренаж (D), һәм чыганак (S). Icиңел үткәргеч ярымүткәргеч субстратында, ярымүткәргеч эшкәртү техникасы ярдәмендә югары допедлы чыганак һәм дренаж өлкәләре барлыкка килә. Бу регионнар изоляцион катлам белән аерылган, ул капка электроды белән капланган.
- Эш принцибы: N-каналны арттыру-MOSFET режимын мисал итеп алсак, капка көчәнеше нуль булганда, дренаж белән чыганак арасында үткәргеч канал юк, шуңа күрә ток агып чыга алмый. Капка көчәнеше билгеле бер бусагага артканда ("кабызу көчәнеше" яки "бусага көчәнеше" дип атала), капка астындагы изоляцион катлам субстраттан электроннарны инверсия катламы (N тибындагы нечкә катлам) формалаштыра; үткәргеч канал булдыру. Бу токны дренаж белән чыганак арасында агызырга мөмкинлек бирә. Бу үткәргеч каналның киңлеге, димәк, дренаж токы капка көчәнешенең зурлыгы белән билгеләнә.
3. Төп характеристика
- Inгары кертү импедансы: капка чыганактан изоляцияләнгән һәм изоляцион катлам белән агызылганлыктан, MOSFET кертү импеденциясе бик югары, аны югары импедис схемалары өчен яраклы итә.
- Түбән тавыш: MOSFETлар эш вакытында чагыштырмача түбән тавыш чыгаралар, аларны каты тавыш таләпләре булган схемалар өчен идеаль итәләр.
- Яхшы җылылык тотрыклылыгы: MOSFETлар җылылык тотрыклылыгына ия һәм төрле температураларда эффектив эшли ала.
- Түбән энергия куллану: MOSFETлар кабызылганда да, тышта да бик аз көч кулланалар, аларны аз энергияле схемалар өчен яраклы итәләр.
- Switchгары күчү тизлеге: көчәнеш белән идарә итүче җайланмалар булганга, MOSFETлар тиз күчү тизлеген тәкъдим итә, аларны югары ешлыклы схемалар өчен идеаль итә.
4. Куллану өлкәләре
MOSFETлар төрле электрон схемаларда киң кулланыла, аеруча интеграль схемаларда, электр электроникасында, элемтә җайланмаларында, компьютерларда. Алар көчәйтү схемаларында, күчергеч схемаларда, көчәнеш көйләү схемаларында һәм башкаларда төп компонентлар булып хезмәт итәләр, сигнал көчәйтү, күчү контроле, көчәнешне тотрыклыландыру кебек функцияләрне булдыралар.
Йомгаклап әйткәндә, MOSFET - уникаль структурасы һәм искиткеч җитештерүчәнлеге булган мөһим ярымүткәргеч җайланма. Ул күп өлкәләрдә электрон схемаларда мөһим роль уйный.
Пост вакыты: 22-2024 сентябрь
