MOSFETлар өчен гадәттә кулланыла торган схема символларының күп төрлелеге бар. Иң еш очрый торган дизайн - каналны күрсәтүче туры сызык, чыганакка һәм дренажны күрсәтүче каналга перпендикуляр ике сызык, һәм сул яктагы каналга параллель кыска сызык. Кайвакыт каналны күрсәтүче туры сызык шулай ук көчәйтү режимын аеру өчен өзелгән сызык белән алыштырыламәчет яисә тузган режим мосфеты, ул шулай ук N-канал MOSFET һәм P-канал MOSFETка бүленгән ике төрле схема символында күрсәтелгәнчә (ук юнәлеше төрле).
Көч MOSFETлары ике төп ысул белән эшли:
. һәм S. Әгәр дә G һәм S арасында уңай көчәнеш UGS кушылса, капка изоляциясе булганга капка токы агып китмәячәк, ләкин капкадагы уңай көчәнеш тишекләрне астындагы P өлкәсеннән ераклаштырачак, һәм азчылык йөртүче электроннары P өлкәсе өслегенә тартылу UGS билгеле көчәнеш UT-тан зуррак булганда, капка астындагы P өлкәсе өслегендәге электрон концентрациясе тишек концентрациясеннән артып китәчәк, шулай итеп P тибындагы ярымүткәргеч антипаттерн катламы N тибындагы ярымүткәргеч булыр. ; бу антипаттерн катламы чыганак белән дренаж арасында N тибындагы канал формалаштыра, шулай итеп PN тоташуы юкка чыга, чыганак һәм дренаж үткәргеч, һәм дренаж токы таныклыгы дренаж аша ага. UT кабызу көчәнеше яки бусага көчәнеше дип атала, һәм UGS UT-тан арткан саен, үткәрү мөмкинлеге шулкадәр зур, һәм ID зуррак. UGS UT-тан зуррак булса, үткәрүчәнлек көчлерәк, ID зуррак.
(2) D, S плюс тискәре көчәнеш булганда (чыганак уңай, дренаж тискәре), PN тоташуы алга таба икеләтә, эчке кире диодка эквивалент (тиз җавап характеристикасы юк), ягъниMOSFET кире блоклау мөмкинлеге юк, кире үткәрү компонентлары итеп карарга мөмкин.
Byәр сүзнеңMOSFET Эш принцибын күрергә мөмкин, аны үткәрү үткәргечтә катнашкан бер поляритлы йөртүче генә, шулай ук бер поляр транзистор дип тә атала. MOSFET саклагыч еш кына электр тәэминаты IC һәм MOSFET параметрларына нигезләнә, тиешле схеманы сайлау өчен, MOSFET гадәттә күчү өчен кулланыла. Электр белән тәэмин итү челтәре. MOSFET ярдәмендә күчү электр тәэминаты проектлаганда, күпчелек кеше каршылыкны, максималь көчәнешне һәм максималь токны MOSFET дип саный. Ләкин, кешеләр бу факторларны бик еш карыйлар, шуңа күрә схема дөрес эшли алсын, ләкин бу яхшы дизайн чишелеше түгел. Төгәлрәк дизайн өчен MOSFET шулай ук үзенең параметр мәгълүматын карарга тиеш. Билгеле MOSFET өчен аның йөртү схемасы, саклагычның иң югары токы һ.б. MOSFETның күчү эшенә тәэсир итәчәк.
Пост вакыты: 17-2024 май
