Зур пакет MOSFET йөртүче схемасы

Беренчедән, MOSFET тибы һәм структурасы, MOSFET - FET (икенчесе - JFET), көчәйтелгән яки бетү төренә, P-канал яки N-каналга барлыгы дүрт төрдә җитештерелергә мөмкин, ләкин көчәйтелгән N-ның чын кулланылышы. - канал MOSFETлар һәм көчәйтелгән P-канал MOSFETлар, гадәттә NMOSFET, яки PMOSFET шулай дип аталган NMOSFET, яки PMOSFET бу икесенә карый төрләре. Бу ике төр көчәйтелгән MOSFET өчен NMOSFETлар ешрак каршылыклары һәм җитештерү җиңеллеге аркасында кулланыла. Шуңа күрә, NMOSFETлар, гадәттә, электр белән тәэмин итүне һәм мотор йөртүче кушымталарын күчерүдә кулланыла, һәм түбәндәге кереш шулай ук ​​NMOSFETларга игътибар итә. паразитик сыйдырышлык өч кадак арасында барMOSFET, бу кирәк түгел, киресенчә, җитештерү процессының чикләнүләре аркасында. Паразитик сыйдырышлыкның булуы шофер схемасын проектлау яки сайлау бераз кыенлаштыра. Дренаж белән чыганак арасында паразитик диод бар. Бу тән диоды дип атала һәм моторлар кебек индуктив йөкләрне йөртүдә мөһим. Әйткәндәй, тән диоды аерым MOSFETларда гына була һәм гадәттә IC чип эчендә юк.

ХәзерMOSFETаз көчәнешле кушымталар белән идарә итегез, 5В электр белән тәэмин итүне кулланганда, бу юлы традицион тотем полюс структурасын куллансагыз, транзистор аркасында якынча 0,7В көчәнеш төшүе булырга мөмкин, нәтиҗәдә көчәнеш капкасына төп факт өстәлде. 4.3 V. Бу вакытта без MOSFETның 4,5В номиналь капка көчәнешен сайлыйбыз, кайбер куркынычлар бар. Шул ук проблема 3В яки башка аз көчәнешле электр белән тәэмин итү очракларында кулланыла. Ике көчәнеш кайбер контроль схемаларда кулланыла, анда логик бүлек гадәти 5В яки 3.3В санлы көчәнеш куллана, электр бүлеге 12В яки хәтта югарырак куллана. Ике көчәнеш уртак җир ярдәмендә тоташтырылган. Бу түбән көчәнеш ягына MOSFETны югары көчәнеш ягында эффектив контрольдә тотарга мөмкинлек бирүче схеманы куллану таләбен куя, шул ук вакытта югары көчәнеш ягында MOSFET 1 һәм 2 дә күрсәтелгән проблемалар белән очрашачак.

Өч очракта да тотем баганасы структурасы чыгару таләпләренә җавап бирә алмый, һәм MOSFET драйверларының күпчелеге капка көчәнешен чикләү структурасын кертми кебек. Керү көчәнеше тотрыклы кыйммәт түгел, ул вакыт яки башка факторлар белән үзгәрә. Бу үзгәрү PWM схемасы белән MOSFET белән тәэмин ителгән саклагыч көчәнешенең тотрыксыз булуына китерә. MOSFETны югары капка көчәнешләреннән саклап калу өчен, күп MOSFETлар эчендәге көчәнеш амплитудасын чикләү өчен урнаштырылган көчәнеш көйләүчеләре бар. Бу очракта, саклагыч көчәнеше көчәнеш көйләүчесенә караганда күбрәк тәэмин ителсә, ул бер үк вакытта зур статик энергия куллануга китерәчәк, капка көчәнешен киметү өчен резистор көчәнеш бүлү принцибын куллансагыз, чагыштырмача югары булыр. кертү көчәнеше ,.MOSFETяхшы эшли, капка көчәнеше тулы үткәрүдән азрак китереп чыгарганда кертү көчәнеше кими, шуның белән энергия куллануны арттыра.

Монда NMOSFET драйверлар схемасы гади анализ ясау өчен чагыштырмача киң таралган: Vl һәм Vh - түбән һәм югары дәрәҗәдәге электр белән тәэмин итү, ике көчәнеш бер үк булырга мөмкин, ләкин Vl Vh-тан артмаска тиеш. Q1 һәм Q2 инверсия тотем полюсын формалаштыралар, изоляцияне тормышка ашыру өчен кулланалар, һәм шул ук вакытта Q3 һәм Q4 ике йөртүче трубасы бер үк үткәрү булмавын тәэмин итү өчен. R2 һәм R3 PWM көчәнешен тәэмин итәләр R2 һәм R3 PWM көчәнеш справкасын тәэмин итәләр, бу сылтаманы үзгәртеп, сез PWM сигнал дулкын формасында схеманы эшләргә рөхсәт итә аласыз. Q3 һәм Q4 саклагыч токын тәэмин итү өчен кулланыла, вакытында, Q3 һәм Q4 Vh һәм GND белән чагыштырганда Vce көчәнешнең минимумы гына, бу көчәнеш төшүе гадәттә 0,3В яки аннан да түбәнрәк, күпкә түбән 0.7V Vce R5 һәм R6 - кире кайтару резисторлары, R5 һәм R6 капкасы өчен кулланылган капка көчәнешен үрнәк алу өчен кулланыла торган кире резисторлар, аннары Q5 аша Q1 аша Q1 һәм Q1 нигезләренә көчле тискәре җавап бирү өчен. Q2, шулай итеп капка көчәнешен чикләнгән кыйммәткә чиклиләр. Бу кыйммәт R5 һәм R6 белән көйләнергә мөмкин. Ниһаять, R1 төп токның Q3 һәм Q4 белән чикләнүен тәэмин итә, һәм R4 капка токының MOSFETларга чикләнүен тәэмин итә, бу Q3Q4 Бозының чикләнеше. Кирәк булса, тизләнеш конденсаторы R4 өстендә параллель рәвештә тоташырга мөмкин.