"MOSFET" - металл оксиды ярымүткәргеч кыр эффект транзисторының кыскартылышы. Бу өч материалдан ясалган җайланма: металл, оксид (SiO2 яки SiN) һәм ярымүткәргеч. MOSFET - ярымүткәргеч кырындагы иң төп җайланмаларның берсе. IC дизайнындамы, такта дәрәҗәсендәге схема кушымталарындамы, ул бик киң. MOSFETның төп параметрларына ID, IDM, VGSS, V (BR) DSS, RDS (on), VGS (th) һ.б. керә, сез моны беләсезме? OLUKEY компаниясе, винсок Тайваньның уртадан югары, урта һәм түбән көчәнешлеMOSFETагент сервис провайдеры, сезгә MOSFETның төрле параметрларын җентекләп аңлату өчен 20 елга якын тәҗрибәсе булган төп команда бар!
MOSFET параметрларының мәгънәсен тасвирлау
1. Экстремаль параметрлар:
ID: максималь дренаж чыганагы. Бу кыр эффекты транзисторы гадәти эшләгәндә дренаж белән чыганак арасында үтәргә рөхсәт ителгән максималь токны аңлата. Кыр эффект транзисторының эш токы ID-тан артмаска тиеш. Бу параметр тоташу температурасы күтәрелү белән кими.
IDM: Максималь импульслы дренаж чыганагы. Бу параметр киселеш температурасы күтәрелү белән кимиячәк, тәэсиргә каршы торуны чагылдыра һәм импульс вакыты белән бәйле. Әгәр дә бу параметр бик кечкенә булса, система OCP тесты вакытында ток белән өзелү куркынычы астында булырга мөмкин.
ПД: Максималь көч таралды. Бу кыр эффекты транзисторының эшләвен бозмыйча рөхсәт ителгән максималь дренаж чыганагы көчен таратуны аңлата. Кулланылганда, FET-ның реаль куллану PDSMныкыннан ким булырга һәм билгеле бер маржаны калдырырга тиеш. Бу параметр гадәттә температураның күтәрелүе белән кими
VDSS: көчәнешкә каршы максималь дренаж чыганагы. Дренаж чыганагы көчәнеше, агып торган дренаж токы билгеле бер температура һәм капка чыганагы кыска схемасы астында билгеле бер кыйммәткә җиткәч (кискен күтәрелә). Бу очракта дренаж чыганагы көчәнеше шулай ук кар көчәнешенең көчәнеше дип атала. VDSS уңай температура коэффициентына ия. -50 ° C, VDSS якынча 90% 25 ° C. Гадәттә нормаль производствода калдырылган пособие аркасында, MOSFETның кар көчәнешенең көчәнеше һәрвакыт номиналь бәяләнгән көчәнештән зуррак.
ОЛУКЕЙArmылы киңәшләр: Начар эш шартларында продуктның ышанычлылыгын тәэмин итү өчен, эш көчәнеше бәяләнгән бәянең 80 ~ 90% тан артмаска киңәш ителә.
VGSS: көчәнешкә каршы максималь капка чыганагы. Бу капка белән чыганак арасындагы кире ток кискен арта башлагач, VGS кыйммәтенә карый. Бу көчәнеш кыйммәтеннән артып китү капка оксиды катламының диэлектрик өзелүенә китерәчәк, бу җимергеч һәм кире кайтарылмый торган өзелү.
TJ: Максималь эш урыны температурасы. Бу гадәттә 150 ℃ яки 175 is. Deviceайланма дизайнының эш шартларында бу температурадан артмаска һәм билгеле бер маржаны калдырырга кирәк.
TSTG: саклау температурасы диапазоны
Бу ике параметр, TJ һәм TSTG, җайланманың эш һәм саклау мохите рөхсәт иткән тоташу температурасы диапазонын калибрлый. Бу температура диапазоны җайланманың минималь эш вакытына туры килә. Әгәр дә җайланма бу температура диапазонында эшләсә, аның эш вакыты бик озайтылачак.
2. Статик параметрлар
MOSFET тест шартлары гадәттә 2,5В, 4.5В, һәм 10В.
V (BR) DSS: Дренаж чыганагы өзелү көчәнеше. Бу VGS капка чыганагы көчәнеше 0 булганда кыр эффекты транзисторы каршы тора ала торган максималь дренаж чыганагы көчәнешен аңлата. Бу чикләү параметры, һәм кыр эффекты транзисторында кулланылган эш көчәнеше V (BR) ким булырга тиеш. DSS. Аның уңай температурасы бар. Шуңа күрә, түбән температура шартларында бу параметрның кыйммәте куркынычсызлыкны исәпкә алырга тиеш.
△ V (BR) DSS / △ Tj: Дренаж чыганагы өзелү көчәнешенең температура коэффициенты, гадәттә 0,1В / ℃
RDS (кабызу): VGS (гадәттә 10В), тоташу температурасы һәм дренаж токының кайбер шартларында, MOSFET кабызылганда дренаж белән чыганак арасында максималь каршылык. Бу MOSFET кабызылганда кулланылган көчен билгеләүче бик мөһим параметр. Бу параметр гадәттә тоташу температурасы арта. Шуңа күрә, бу параметрның иң югары эш температурасында кыйммәтне югалту һәм көчәнеш төшүен исәпләү өчен кулланырга кирәк.
VGS (th): кабызу көчәнеше (бусага көчәнеше). Тышкы капка белән идарә итү көчәнеше VGS VGS (th) тан артканда, дренаж һәм чыганак өлкәләренең өслек инверсия катламнары бәйләнгән канал ясыйлар. Кушымталарда, дренаж кыска схемасы шартларында ID 1 мАга тигез булганда капка көчәнеше еш кабызу көчәнеше дип атала. Бу параметр, гадәттә, тоташу температурасы күтәрелү белән кими
IDSS: туендырылган дренаж чыганагы, VGS = 0 һәм VDS капка көчәнеше билгеле бер кыйммәт булганда дренаж чыганагы. Гадәттә микроамп дәрәҗәсендә
IGSS: капка-чыганак саклагыч ток яки кире ток. MOSFET кертү импедансы бик зур булганлыктан, IGSS гадәттә наноамп дәрәҗәсендә.
3. Динамик параметрлар
gfs: транскондукция. Бу дренаж чыганагы үзгәрүенең капка чыганагы көчәнешенең үзгәрүенә карый. Бу капка чыганагы көчәнешенең дренаж токын контрольдә тоту сәләте. Gfs һәм VGS арасындагы тапшыру бәйләнеше өчен диаграммага карагыз.
Сг: Гомуми капка зарядка сыйдырышлыгы. MOSFET - көчәнеш тибындагы йөртү җайланмасы. Машина йөртү процессы - капка көчәнешен урнаштыру процессы. Бу капка чыганагы белән капка дренажы арасындагы сыйдырышлыкны зарядка ясап ирешелә. Бу аспект түбәндә җентекләп тикшереләчәк.
Qgs: Капка чыганагы зарядлау сыйфаты
Qgd: капка-дренаж корылмасы (Миллер эффектын исәпкә алып). MOSFET - көчәнеш тибындагы йөртү җайланмасы. Машина йөртү процессы - капка көчәнешен урнаштыру процессы. Бу капка чыганагы белән капка дренажы арасындагы сыйдырышлыкны зарядка ясап ирешелә.
Td (кабызу): үткәрү тоткарлану вакыты. Керү көчәнеше 10% ка күтәрелгәннән, VDS амплитудасының 90% ка төшкәнче
Тр: күтәрелү вакыты, чыгу көчәнешенең VDS вакыты аның амплитудасының 90% тан 10% ка кадәр төшү вакыты
Td (сүндерү): сүндерүне тоткарлау вакыты, кертү көчәнеше 90% ка төшкән вакыттан VDS сүндерү көчәнешенең 10% ка кадәр күтәрелгән вакыт.
Tf: Көзге вакыт, чыгу көчәнеше VDS аның амплитудасының 10% тан 90% ка күтәрелү вакыты
Кисү: кертү сыйдырышлыгы, дренаж һәм чыганакны кыска схема, һәм капка белән чыганак арасындагы сыйдырышлыкны AC сигналы белән үлчәгез. Ciss = CGD + CGS (CDS кыска схемасы). Бу җайланманың кабызылу һәм сүндерелүенә турыдан-туры тәэсир итә.
Ossгалту: Чыгыш сыйдырышлыгы, капка һәм чыганак кыска схема, һәм дренаж белән чыганак арасындагы сыйдырышлыкны AC сигналы белән үлчәгез. Каз = CDS + CGD
Crss: Кире тапшыру сыйдырышлыгы. Groundиргә тоташкан чыганак белән, дренаж һәм капка арасындагы үлчәнгән сыйдырышлык Crss = CGD. Ачкычлар өчен мөһим параметрларның берсе - күтәрелү һәм төшү вакыты. Crss = CGD
Интерелектрод сыйдырышлыгы һәм MOSFET индуктив сыйдырышлыгы күпчелек җитештерүчеләр кертү сыйдырышлыгына, чыгару сыйдырышлыгына һәм кире сыйдырышлыкка бүленә. Искәртелгән кыйммәтләр тотрыклы дренаж-чыганак көчәнеше өчен. Бу сыйдырышлык дренаж чыганагы көчәнеше үзгәргәндә үзгәрә, һәм сыйдырышлыкның бәясе чикләнгән эффектка ия. Керү сыйдырышлыгы кыйммәте драйвер схемасы таләп иткән корылманың якынча күрсәткечен бирә, ә капка зарядлау мәгълүматы файдалы. Бу капкадан чыганак көчәнешенә ирешү өчен капка зарядка ясарга тиеш энергия күләмен күрсәтә.
4. Кар яву характеристик параметрлары
Кар көчәнешенең характеристик параметры MOSFETның сүндерелгән хәлдә артык көчәнешкә каршы тору сәләтен күрсәтә. Әгәр көчәнеш дренаж чыганагы чик көчәнешеннән артса, җайланма кар көчлегендә булачак.
EAS: Бер импульслы кар көчләрен өзү энергиясе. Бу лимит параметры, MOSFET каршы тора алган максималь кар көчлеген күрсәтә.
IAR: кар көчлеге
Колак: Кар көчлеген кабатлау
5. Vivo диод параметрларында
IS: Даими максималь ирекле ток (чыганактан)
ISM: импульсның максималь ирекле токы (чыганактан)
VSD: алга көчәнеш төшүе
Trr: кире торгызу вакыты
Qrr: Кире корылманы торгызу
Тон: Алга үткәрү вакыты. (Нигездә әһәмиятсез)
MOSFET кабызу вакыты һәм сүндерү вакытын билгеләү
Заявка бирү процессында түбәндәге үзенчәлекләрне еш карарга кирәк:
1. V (BR) DSSның уңай температура коэффициенты характеристикалары. Биполяр җайланмалардан аерылып торган бу характеристика, гадәти эш температурасы күтәрелү белән аларны ышанычлырак итә. Ләкин шулай ук түбән температурада салкын башланганда аның ышанычлылыгына игътибар итәргә кирәк.
2. V (GS) тискәре температура коэффициенты характеристикалары. Чишелеш температурасы күтәрелү белән капка бусагасы потенциалы билгеле бер дәрәҗәдә кимиячәк. Кайбер нурланыш шулай ук бу блок потенциалын киметәчәк, хәтта 0 потенциалдан да түбән. Бу үзенчәлек инженерлардан бу очракларда MOSFETларның комачаулавына һәм ялган тригиграциясенә игътибар итүне таләп итә, аеруча аз блок потенциалы булган MOSFET кушымталары өчен. Бу характеристика аркасында, кайвакыт капка йөртүченең көчәнештән тыш потенциалын тискәре бәягә (N-тип, P-тибына һ.б.) проектларга кирәк.
3. VDSon / RDSo уңай температура коэффициенты үзенчәлекләре. VDSon / RDSon характеристикасы температураның күтәрелүе белән бераз арта, MOSFETларны параллель рәвештә кулланырга мөмкинлек бирә. Ике яклы җайланмалар бу яктан киресенчә, шуңа күрә аларны параллель куллану шактый катлаулана. ID арткан саен RDSon бераз артачак. Бу характеристика һәм RDSon өслегенең уңай температурасы характеристикалары MOSFETка биполяр җайланмалар кебек икенчел өзелүдән сакларга мөмкинлек бирә. Ләкин, бу үзенчәлекнең эффекты бик чикле булуын әйтергә кирәк. Параллель, этәргеч яки башка кушымталарда кулланылганда, сез бу функциянең үз-үзен көйләүгә тулысынча таяна алмыйсыз. Кайбер төп чаралар әле дә кирәк. Бу характеристика шулай ук югары температурада үткәрү югалтуларының зурайганын аңлата. Шуңа күрә, югалтуларны исәпләгәндә параметрларны сайлауга аерым игътибар бирелергә тиеш.
4. ID-ның тискәре температура коэффициент характеристикалары, MOSFET параметрларын һәм аның төп характеристикаларын аңлау тоташу температурасы күтәрелү белән сизелерлек кимиячәк. Бу характеристика дизайн вакытында югары температурада аның ID параметрларын карарга кирәк итә.
5. Кар көчәнешенең тискәре температура коэффициенты характеристикалары IER / EAS. Чишелеш температурасы артканнан соң, MOSFET зуррак V (BR) DSS булса да, EAS сизелерлек кимиячәген әйтергә кирәк. Ягъни, аның югары температура шартларында кар көчләренә каршы тору сәләте гадәти температураларга караганда күпкә көчсезрәк.
6. MOSFETтагы паразитик диодның үткәрү мөмкинлеге һәм кире торгызу эше гади диодлардан яхшырак түгел. Дизайндагы циклда төп агым ташучы буларак кулланылыр дип көтелмәгән. Блоклау диодлары организмдагы паразитик диодларны юкка чыгару өчен еш серияле тоташтырыла, һәм электр электр йөртүчесе формалаштыру өчен өстәмә параллель диодлар кулланыла. Ләкин, кыска вакытлы үткәрү яки синхрон ректификация кебек кайбер кечкенә агым таләпләре булганда, аны ташучы дип санарга мөмкин.
7. Дренаж потенциалының тиз күтәрелүе капка саклагычының ялган-этәргеченә китерергә мөмкин, шуңа күрә бу мөмкинлекне зур dVDS / dt кушымталарында (югары ешлыктагы тиз күчү схемалары) карарга кирәк.
-
MOSFET турында төп аңлау
-
MOSFETның эш принцибын аңлау һәм ...
-
MOSFET драйверы турында
-
MOSFET һәм транзисторларның параллель теориясе
-
Параметр анализы һәм MOSFETларны үлчәү
-
Изоляцияләнгән катлам капкасы MOSFETларны тану
-
МОСФЕТларны арттыру һәм киметү анализы
-
2N2222 Транзистор: Еның күпкырлы эш аты ...
-
Эффективлык сәбәпләрен анализлау ...
-
MOSFET оригиналь төп белем һәм куллану
-
Кечкенә агым MOSFET холдинг схемасы тукымасы ...
-
Бер өлештә MOSFETны аңлау
-
Литий батареяны зарядлау җиңел, WIN ...
-
MOSFETларның төп үзенчәлекләре нинди?
-
Зур пакет MOSFET йөртүче схемасы
-
Powerгары көчле MOSFETны ничек билгеләргә?
