MOSFETларның көчәйтелгән пакеты ничек эшли

Күчерелгән электр тәэминаты яки мотор йөртүче схемасын консапуляцияләнгән MOSFET кулланып эшләгәндә, күпчелек кеше MOS-ның каршылыгын, максималь көчәнеш һ.б., максималь ток һ.б.ны саный, һәм бу факторларны гына исәпкә алучылар бик күп. Мондый схемалар эшләргә мөмкин, ләкин алар искиткеч түгел һәм формаль продукт дизайны буларак рөхсәт ителми.

Түбәндә MOSFET нигезләренең бераз кыскача аңлатмасы һәмMOSFETшофер схемалары, мин берничә чыганакка мөрәҗәгать итәм, барысы да оригиналь түгел. Шул исәптән MOSFETлар, характеристикалар, саклагыч һәм куллану схемалары. MOSFET төрләре һәм MOSFET тоташуы - FET (бүтән JFET), көчәйтелгән яки бетү төренә, P-каналга яки N-каналга барлыгы дүрт төрдә җитештерелергә мөмкин, ләкин көчәйтелгән N-канал MOSFET һәм көчәйтелгән P куллану. - MOSFET каналы, гадәттә NMOS яки PMOS дип аталган бу ике төргә карый.

Ни өчен MOSFETларның тузган төрен кулланмаска, аның төбенә керергә киңәш ителми. Бу ике төр MOSFET көчәйтү өчен NMOS еш кулланыла, чөнки аның каршылыгы түбән һәм ясалыш җиңеллеге аркасында. Шулай итеп, электр белән тәэмин итү һәм мотор йөртүче кушымталарын күчү, гадәттә NMOS кулланыгыз. түбәндәге кереш сүз, ләкин тагын да күбрәкNMOS- нигезләнгән.

MOSFETларның өч кадак арасында паразитик сыйдырышлыгы бар, бу кирәк түгел, ләкин җитештерү процессы чикләүләре аркасында. Драйвер схемасын проектлауда яки сайлауда паразитик сыйдырышлыкның булуы ниндидер проблема булырга мөмкин, ләкин качу мөмкинлеге юк, аннары җентекләп сурәтләнә. MOSFET схемасында күргәнегезчә, дренаж белән чыганак арасында паразитик диод бар.

Бу тән диоды дип атала һәм моторлар кебек индуктив йөкләрне йөртүдә мөһим. Әйткәндәй, тән диоды индивидуальдә генә барMOSFETsһәм гадәттә интеграль челтәр чипы эчендә юк.

NMOS характеристикалары, билгеле бер кыйммәттән зуррак Vgs үткәрәчәк, чыганак җиргә төшкәндә куллану өчен яраклы (аз драйвер), 4V яки 10V капка көчәнеше булганда. PMOS характеристикалары, билгеле бер кыйммәттән азрак Vgs үткәрәчәк, чыганак VCC (югары диск) белән тоташкан очракта куллану өчен яраклы. Ләкин, PMOS югары драйвер буларак җиңел кулланылса да, NMOS гадәттә югары каршылыклы драйверларда кулланыла, зур каршылык, югары бәя һәм алмаштыру төрләре аз.

MOSFET күчү трубасын югалту, NMOS яки PMOS булсын, үткәрүдән соң каршылык бар, шуңа күрә ток бу каршылыкта энергия кулланыр, кулланылган энергиянең бу өлеше үткәрү югалту дип атала. Кечкенә каршылыклы MOSFET сайлау үткәрү югалтуын киметәчәк. Бүгенге көндә, кечкенә MOSFET-ның каршылыгы, гадәттә, дистәләгән миллиохм тирәсе, һәм берничә миллиохм да бар. MOS үткәргәндә һәм өзелгәндә тиз арада тәмамланырга тиеш түгел. MOSның ике ягында көчәнеш бар кимү процессы, һәм аның аша агып торган токның арту процессы бар. Бу вакыт эчендә MOSFET югалту көчәнеш һәм ток продукты, ул күчү югалту дип атала. Гадәттә, күчү югалту үткәрү югалтуыннан күпкә зуррак, һәм күчү ешлыгы тизрәк, югалту зуррак. Conductткәрү мизгелендә көчәнеш һәм ток продукты бик зур, зур югалтуларга китерә.

Күчерү вакытын кыскарту һәр үткәрүдә югалтуны киметә; күчү ешлыгын киметү берәмлек вакытына ачкычлар санын киметә. Бу ике ысул да күчү югалтуларын киметергә мөмкин. Conductткәрү мизгелендә көчәнеш һәм ток продукты зур, һәм килеп чыккан югалту да зур. Күчерү вакытын кыскарту һәр үткәрүдә югалтуны киметергә мөмкин; күчү ешлыгын киметү берәмлек вакытына ачкычлар санын киметергә мөмкин. Бу ике ысул да күчү югалтуларын киметергә мөмкин. Машина йөртү Биполяр транзисторлар белән чагыштырганда, GS көчәнеше билгеле бер кыйммәттән артса, пакетланган MOSFETны кабызу өчен бернинди ток кирәк түгел дип санала. Моны эшләү җиңел, ләкин безгә шулай ук ​​тизлек кирәк. Капланган MOSFET структурасы GS, GD арасында паразитик сыйдырышлык булганда күренергә мөмкин, һәм MOSFET йөртүе, асылда, сыйдырышлыкны зарядлау һәм җибәрү. Конденсаторны зарядлау ток таләп итә, чөнки конденсаторны шунда ук зарядлау кыска схема булып күренергә мөмкин, шуңа күрә мизгел ток зуррак булачак. MOSFET драйверын сайлаганда / проектлаганда беренче игътибарга лаек нәрсә - тиз арада кыска схема токының зурлыгы.

Икенче игътибарга лаек нәрсә, гадәттә, югары дәрәҗәдәге NMOS саклагычта кулланыла, вакытында капка көчәнеше чыганак көчәнешеннән зуррак булырга тиеш. Endгары очлы MOSFET үткәргеч чыганак көчәнеше һәм дренаж көчәнеше (VCC) бер үк, шуңа күрә капка көчәнеше VCC 4 V яки 10 V. караганда бер үк системада булса, VCC-тан зуррак көчәнеш алу өчен, без махсуслашырга тиеш. схемаларны арттыру. Күпчелек двигательләр интеграль корылма насосларына ия, шуны әйтергә кирәк: MOSFET йөртү өчен кыска схема токын алу өчен, сез тиешле тышкы сыйдырышлыкны сайларга тиеш. 4V яки 10V гадәттә MOSFETның дәүләт көчәнешендә кулланыла, әлбәттә, дизайн билгеле бер маржа булырга тиеш. Вольт никадәр югары булса, дәүләт тизлеге тизрәк һәм дәүләт каршылыгы түбәнрәк. Хәзерге вакытта төрле өлкәләрдә кулланыла торган кечерәк дәүләт көчәнеше булган MOSFETлар бар, ләкин 12В автомобиль электрон системаларында, гадәттә, 4V дәүләттә җитәрлек. MOSFET саклагыч схемасы һәм аны югалту.