Капка сыйдырышлыгы, каршылык һәм MOSFETларның башка параметрлары

I. Капка сыйдырышлыгы

Капка сыйдырышлыгы, нигездә, кертү сыйдырышлыгын (Ciss), чыгару сыйдырышлыгын (Косс) һәм кире күчерү сыйдырышлыгын үз эченә ала (Crss, шулай ук ​​Миллер сыйдырышлыгы).

Керү сыйдырышлыгы (Ciss):

Аңлатма: Керү сыйдырышлыгы - капка белән чыганак һәм дренаж арасындагы гомуми сыйдырышлык, һәм параллель рәвештә тоташтырылган капка дренаж сыйдырышлыгы (Cgd), ягъни Ciss = Cgs + Cgd.

Функция: кертү сыйдырышлыгы MOSFETның күчү тизлегенә тәэсир итә. Керү сыйдырышлыгы бусага көчәнешенә корылганда, җайланма кабызылырга мөмкин; билгеле бер кыйммәткә җибәрелгән, җайланма сүндерелергә мөмкин. Шуңа күрә, йөртү схемасы һәм Ciss җайланманың кабызылуына һәм сүндерелүенә турыдан-туры тәэсир итә.

Чыгыш сыйдырышлыгы (каз):

Аңлатма: Чыгыш сыйдырышлыгы - дренаж белән чыганак арасындагы гомуми сыйдырышлык, һәм параллель рәвештә дренаж чыганагы сыйдырышлыгы (Cds) һәм капка-дренаж сыйдырышлыгы (Cgd), ягъни Coss = Cds + Cgd.

Роль: Йомшак күчү кушымталарында каз бик мөһим, чөнки ул схемада резонанс тудырырга мөмкин.

Кире тапшыру сыйдырышлыгы (Crss):

Аңлатма: Кире күчерү сыйдырышлыгы капка дренаж сыйдырышлыгына тигез (Cgd) һәм еш кына Миллер сыйдырышлыгы дип атала.

Роль: Кире күчерү сыйдырышлыгы - коммутаторның күтәрелү һәм төшү вакыты өчен мөһим параметр, һәм ул сүндерүне тоткарлау вакытына да тәэсир итә. Дренаж чыганагы көчәнеше арту белән сыйдырышлык бәясе кими.

II. Каршылык (Rds (on))

Аңлатма: Каршылык - конкрет шартларда (мәсәлән, агып торган ток, капка көчәнеше, температура) MOSFET чыганагы һәм дренаж арасындагы каршылык.

Йогынты ясаучы факторлар: Каршылык тотрыклы кыйммәт түгел, ул температура тәэсир итә, температура никадәр югары булса, Rds зуррак. Моннан тыш, көчәнешкә каршы торучы көчәнеш никадәр югары булса, MOSFETның эчке структурасы калынрак, тиешле каршылык шулкадәр югары.

Мөһимлеге: Күчергеч электр тәэминаты яки драйвер схемасы проектлаганда, MOSFET-ның каршылыгын исәпкә алырга кирәк, чөнки MOSFET аша агып торган ток бу каршылыкта энергия кулланачак, һәм кулланылган энергиянең бу өлеше- каршылык югалту. Түбән каршылыклы MOSFET сайлау каршылык югалтуын киметергә мөмкин.

Өченчедән, башка мөһим параметрлар

Капка сыйдырышлыгына һәм каршылыкка өстәп, MOSFETның кайбер мөһим параметрлары бар:

V (BR) DSS (Дренаж чыганагы өзелү көчәнеше):Дренаж чыганагы көчәнеше, дренаж аша агып торган ток билгеле бер температурада билгеле бәягә җитә һәм капка чыганагы кыскартыла. Бу кыйммәт өстендә труба бозылырга мөмкин.

VGS (th) (Бусага көчәнеше):Чыганак белән дренаж арасында үткәргеч канал барлыкка килү өчен капка көчәнеше кирәк. Стандарт N-канал MOSFETлар өчен VT якынча 3 - 6В.

ID (максималь өзлексез дренаж агымы):Чип белән максималь бәяләнгән тоташу температурасында рөхсәт ителә торган максималь өзлексез ток.

IDM (максималь пульслы дренаж агымы):Deviceайланма эшли алган импульслы ток дәрәҗәсен чагылдыра, импульслы ток өзлексез ток токыннан күпкә югарырак.

ПД (максималь көч тарату):җайланма максималь энергия куллануны таркатырга мөмкин.

Йомгаклап әйткәндә, капка сыйдырышлыгы, каршылык һәм MOSFETның башка параметрлары аның эшләве һәм кулланылышы өчен бик мөһим, һәм махсус куллану сценарийлары һәм таләпләре буенча сайланырга һәм эшләнергә тиеш.