Сез MOSFETның өч баганасын беләсезме?

MOSFET (металл-оксид-ярымүткәргеч кыр-эффект транзисторы) өч баганага ия:

Капка:G, MOSFET капкасы биполяр транзистор нигезенә тигез һәм MOSFET үткәрү һәм кисүне контрольдә тоту өчен кулланыла. MOSFETларда капка көчәнеше (Vgs) чыганак белән дренаж арасында үткәргеч каналның барлыкка килүен, шулай ук ​​үткәргеч каналның киңлеген һәм үткәрүчәнлеген билгели. Капка металл, полисиликон һ.б. кебек материаллардан эшләнгән, һәм капка эченә яки тышка агым кермәсен өчен, изоляцион катлам (гадәттә кремний диоксиды) белән әйләндереп алынган.

Чыганак:S, MOSFET чыганагы биполяр транзистор эмитентына тиң һәм ток агып торган урында. N-канал MOSFETларда чыганак гадәттә электр белән тәэмин итүнең тискәре терминалына (яки җиренә) тоташтырыла, ә P-канал MOSFETларда чыганак электр белән тәэмин итүнең уңай терминалына тоташтырылган. Чыганак - үткәргеч каналны формалаштыручы төп өлешләрнең берсе, капка көчәнеше җитәрлек булганда электроннарны (N-канал) яки тишекләрне (P-канал) җибәрә.

Дренаж:D, MOSFET дренаҗы биполяр транзистор коллекторына тиң һәм ток керә торган урында. Дренаж гадәттә йөккә тоташкан һәм схемада ток чыганагы булып эшли. MOSFET-та дренаж үткәргеч каналның икенче очында, һәм капка көчәнеше чыганак белән дренаж арасында үткәргеч канал формалашуны контрольдә тотканда, ток чыганактан үткәргеч канал аша дренажга агып китә ала.

Кыскасы, MOSFET капкасы контрольдә һәм сүндерү өчен кулланыла, чыганак ток чыккан урында, дренаж - ток керә торган урында. Бергәләп, бу өч полюс MOSFETның эш торышын һәм эшләвен билгели. .