Сез MOSFET эволюциясе турында беләсезме?

I. Башлангыч төшенчәләр һәм эзләнүләр

Концепция тәкъдим ителде:MOSFET уйлап табуы 1830-нчы елларга кадәр, немец Лилиенфельд тарафыннан кыр эффекты транзисторы төшенчәсен кертеп була. Ләкин, бу чордагы омтылышлар практик MOSFETны тормышка ашыра алмады.

Беренчел өйрәнү:Соңыннан, Шоу Теки (Шокли) кыңгырау лабораториясе һәм башкалар шулай ук ​​кыр эффект трубаларын уйлап табуны өйрәнергә тырыштылар, ләкин шул ук уңышка ирешә алмады. Ләкин, аларның тикшеренүләре MOSFETның соңрак үсеше өчен нигез салды.

II. MOSFETларның тууы һәм башлангыч үсеше

Төп ачыш:1960-нчы елда Канг һәм Аталла кремний диоксиды (SiO2) белән биполяр транзисторларның эшләвен яхшырту процессында очраклы рәвештә MOS кыр эффект транзисторын (кыскача MOS транзисторы) уйлап таптылар. Бу уйлап табу MOSFETларның интеграль челтәр җитештерү индустриясенә рәсми керүен күрсәтте.

Спектакльне арттыру:Ярымүткәргеч процесс технологиясе үсеше белән, MOSFETларның эше яхшыруны дәвам итә. Мәсәлән, югары көчәнешле MOS эш көчәнеше 1000Вка җитә ала, түбән каршылыклы MOSның каршылык бәясе 1 охм, һәм эш ешлыгы DCдан берничә мегагертка кадәр.

III. MOSFETларны киң куллану һәм технологик яңалык

Киң кулланылган:MOSFETлар төрле электрон җайланмаларда киң кулланыла, мәсәлән, микропроцессорлар, истәлекләр, логик схемалар һ.б. Хәзерге электрон җайланмаларда MOSFETлар алыштыргысыз компонентларның берсе.

Технологик яңалык:Higherгары эш ешлыклары һәм югары көч дәрәҗәләре таләпләрен канәгатьләндерү өчен, IR беренче көч MOSFET эшләде. Соңыннан, күп яңа электр җайланмалары кертелде, мәсәлән, IGBT, GTO, IPM һ.б., һәм алар бәйләнешле өлкәләрдә киң кулланылды.

Материаль яңалык:Технологиянең алга китүе белән, MOSFETлар ясау өчен яңа материаллар өйрәнелә; мәсәлән, кремний карбид (SiC) материаллары өстен физик үзлекләре аркасында игътибар һәм тикшеренүләр ала башлый. SiC материаллары гадәти Si материаллары белән чагыштырганда югары җылылык үткәрүчәнлегенә һәм тыелган киңлеккә ия, алар югары ток тыгызлыгы, югары кебек яхшы сыйфатларын билгелиләр. ватылу кыры көче, һәм югары эш температурасы.

Дүртенчедән, MOSFETның заманча технологиясе һәм үсеш юнәлеше

Ике капка транзисторлары:MOSFETларның эшләвен тагын да яхшырту өчен икеле капка транзисторлары ясарга тырышалар. Ике капка MOS транзисторлары бер капка белән чагыштырганда яхшырак кысылуга ия, ләкин аларның кысылуы әле дә чикләнгән.

Кыска окоп эффекты:MOSFETлар өчен мөһим үсеш юнәлеше - кыска канал эффекты проблемасын чишү. Кыска канал эффекты җайланманың эшләвен тагын да яхшырту белән чикләнәчәк, шуңа күрә бу проблеманы чыганак һәм дренаж өлкәләренең тоташу тирәнлеген киметеп, чыганакны алыштырып, PN узышларын металл ярымүткәргеч контактлары белән алыштырырга кирәк.