MOSFETларның характеристикалары һәм куллану өчен саклык чаралары

Гомуми чишелеш - кире электр белән тәэмин ителешне булдырмас өчен, артка диод өстәү, ләкин диодның характеристикалары алга көчәнешнең 0,6 ~ 1В төшү ихтыяҗын билгели, бу калдыклар китереп чыгарганда югары агымнарда җитди җылылык барлыкка китерә. энергия һәм гомуми энергия нәтиҗәлелеген киметү. Тагын бер ысул - энергия нәтиҗәлелегенә ирешү өчен MOSFETның түбән каршылыгын кулланып, артка-артка MOSFET өстәү.

Әйтергә кирәк, үткәрүдән соң, MOSFET юнәлешсез, шуңа күрә басымлы үткәргечтән соң, ул чыбык белән тиң, бары тик резистив, дәүләт көчәнеше төшми, гадәттә берничә миллиохмга каршы торып туенган.вакытында миллиохм, һәм юнәлешсез, DC һәм AC көчен үтәргә мөмкинлек бирә.

II. MOSFETларның характеристикалары

1, MOSFET - көчәнеш белән идарә итүче җайланма, югары агымнарны йөртү өчен этәргеч этап кирәк түгел.

2 input inputгары кертү каршылыгы;

3, киң эш ешлыгы диапазоны, югары күчү тизлеге, аз югалту

4, AC уңайлы югары импеданс, түбән тавыш.

5 、Берничә параллель куллану, чыгу токын арттыру

Икенчедән, саклык процессында MOSFETларны куллану

1, MOSFET-ны куркынычсыз куллануны тәэмин итү өчен, линия дизайнында, торба үткәргечнең таралуы, максималь агып чыгу чыганагы көчәнеше, капка чыганагы көчәнеше һәм ток һәм башка параметр лимит бәяләреннән артмаска тиеш.

2, кулланыла торган төрле MOSFETлар, тиеш.әр сүзнең MOSFET офсетының полярлыгына туры килү өчен, схемага кирәкле икеләтә керү нигезендә.