Күчерелгән MOSFETларның характеристикалары

КөчMOSFET "MOSFET" - Энгельс "Металл оксиды ярымүткәргеч кыр эффекты транзисторы" афортингында. Гебруйкт вермоген эиндтрап аппараты, метааль материя, слутель ишеге, SiN һәм SiO2 ярымглеидермератериален gemaakt van drie grondstoffen. Om het duidelijk te zeggen, macht MOSFET betekent dat het een grote werkende stroom kan чыгару, ве маниеренда зижн ингедеелд, ван верлиснивау варины вербердерде тибындагы вердердед тибындагы ливерт кандет хетвера кнд вальденс канд хетт велгерс хетт клеверд холд кендетт велгерд хетт велгерд хетт велгерд хетт велгерд хетт велгерд хетт велгерд хетт велгерд хетт вердеальд хендер кнд ведеский вед. N-канал тибы en П-канал тибы.

Күч MOSFETның алгемин гебруйкт тавышлы шакеленде воедингсиркитлары өстендә сүзе. Алгемин киезен өстендәMOSFET-fabrikanten de RDS параметры (ON) om de aan-uitkarakteristieke impedantie te definiëren; RDS (ON) - ORING FET-toepassingen тавышлы критиек аппаратлары. Мәгълүмати белешмәлек RDS (ON) билгеләүче ван де капка, VGS, вермогенсшакела влоеты, RDS (ON) статистикасы гегевенспараметры волдоенде капка дискы.

MOSFET-fabrikant een shakelende тавышлы вил онтвиккелен минимал онтверпс спецификасы белән очрашты, бу uitschakelkarakteristieke impedantie een булырга тиеш. Bij het ontwerp van een voeding moet elke shakelende voeding vaak meerdere ORingMOSFET's параллель латен werken en moeten meerdere аппаратланган сүз гебруйкт ом де бүлмә на де беластинг лейден. MOSFET-ның пәрдәле геваллен моетенында RDS (ON) сериал шакелен зодаты (ON) ределижк кан сүзе герудецерд.

Naast RDS (ON), ван MOSFET сайлап алу процессында, MOSFET параметрлары zijn ook zeer kritisch voor de voeding ontwerpers. Мәгълүмати белешмәлектә SOA-grafiek пәрдәле геваллен моетен онтверперлары бар, корреляцион тусен дренаж бүлмәсе һәм дренаж-брон бедрижфсспаннинг бешрижфт. SOA de voedingsspanning en stroom waarbij de MOSFET veilig kan werken.

Йөкләү шартларының югарыдагы төрләре өчен, зуррак эш көчәнешен бәяләгәннән (яки үлчәп), аннары 20% белән 30% маржасын калдырганнан соң, сез MOSFETның кирәкле бәяләнгән агымдагы VDS кыйммәтен күрсәтә аласыз. Монда әйтергә кирәк, бәяне яхшырак һәм йомшак характеристика итәр өчен, агымдагы контроль цикл составын япканда, AC ток серияле ток диодларын һәм индуктивлык кәтүген сайлый аласыз, индуктив ток кинетик энергиясен саклап калу өчен. MOSFET. бәяләнгән ток ачык, токны чыгарырга мөмкин. Ләкин монда ике параметрны исәпкә алырга кирәк: берсе - өзлексез эшләгәндә токның кыйммәте һәм бер импульс ток очкычының иң югары бәясе (Spike and Surge), бу ике параметр, сез бәяләнгән бәяне күпме сайларга икәнлеген хәл итү өчен. хәзерге кыйммәт.