МОСФЕТларны арттыру һәм киметү анализы

D-FET 0 канал капкасында, канал булганда, FET үткәрә ала; E-FET 0 канал капкасында, канал булмаганда, FET үткәрә алмый. бу ике төр ФЭТның үзенчәлекләре һәм кулланулары бар. Гомумән, югары тизлектә, аз көчле схемаларда көчәйтелгән FET бик кыйммәт; һәм бу җайланма эшли, бу капка полярлыгылтаж һәм дренаж шул ук көчәнеш, схема дизайнында уңайлырак.

Күчерелгән чаралар дип атала: VGS = 0 труба киселгән хәл булганда, дөрес VGS булганда, күпчелек йөртүчеләр капкага тартыла, шулай итеп төбәктә йөртүчеләрне "көчәйтә", үткәргеч канал булдыра. n-канал көчәйтелгән MOSFET, нигездә, сулдан уң симметрия топология, ул SiO2 кино изоляциясе катламын барлыкка китерүдә P тибындагы ярымүткәргеч. Ул P тибындагы ярымүткәргечтә SiO2 пленкасының изоляцион катламын барлыкка китерә, аннары N тибындагы ике зур регионны тарата.фотолитография, һәм N тибындагы электродларны алып бара, берсе D дренаҗы өчен, С. чыганагы өчен алюминий металл катламы чыганак белән дренаж арасындагы изоляцион катламга Г. капкасы кебек капланган. VGS = 0 V булганда , дренаж белән чыганак арасында арткы диодлар белән бик күп диодлар бар, һәм D һәм S арасындагы көчәнеш D һәм S арасында ток формалаштырмыйлар, D һәм S арасындагы ток кулланылган көчәнеш белән барлыкка килми. .

Капка көчәнеше өстәлгәндә, 0 <VGS <VGS (th), капка белән субстрат арасында формалашкан конденсатор электр кыры аша, капка төбендәге P тибындагы ярымүткәргечтә полион тишекләре түбәнгә борыла, һәм тискәре ионнарның нечкә бетү катламы барлыкка килә; шул ук вакытта ул андагы олигоннарны өслек катламына күчү өчен җәлеп итәчәк, ләкин сан чикләнгән һәм дренаж һәм чыганакны тоташтыручы үткәргеч канал формалаштыру өчен җитәрлек түгел, шуңа күрә ул дренаж агымының ID формалаштыру өчен җитәрлек түгел. алга таба арттыру VGS, VGS булганда > VGS (th) (VGS (th) кабызу көчәнеше дип атала), чөнки бу вакытта капка көчәнеше чагыштырмача көчле булган, P тибындагы ярымүткәргеч өслек катламында капка төбендә күбрәк җыелган. электроннар, сез окоп, дренаж һәм элемтә чыганагын булдыра аласыз. Әгәр бу вакытта дренаж чыганагы көчәнеше кушылса, дренаж токы ID формалашырга мөмкин. капка төбендә формалашкан үткәргеч каналдагы электроннар, P тибындагы ярымүткәргеч полярлыгы булган йөртүче тишеге аркасында капма-каршы, шуңа күрә ул анти-тип катламы дип атала. VGS арта барган саен, ID артачак. ID = 0 VGS = 0V, һәм дренаж агымы VGS> VGS (th) дан соң гына була, шуңа күрә бу төр MOSFET көчәйтү MOSFET дип атала.

Дренаж токындагы VGS белән контроль бәйләнеш iD = f (VGS (th)) кәкресе белән сурәтләнергә мөмкин капка чыганагы көчәнеше белән дренаж токының контролен чагылдыра. gm зурлыгы mA / V, шуңа күрә gm транскондукция дип тә атала.