MOSFET җылылык җитештерүнең мөһим сәбәпләрен анализлау

N тибы, P тибындагы MOSFET эш принцибы бер үк, MOSFET нигездә дренаж токының чыгу ягын уңышлы контрольдә тоту өчен капка көчәнешенең кертү ягына өстәлә, MOSFET көчәнеш белән идарә итүче җайланма, көчәнеш кушылган җайланманың характеристикаларын контрольдә тоту өчен капкага, зарядны саклау эффекты аркасында килеп чыккан төп ток аркасында күчү вакытын ясау триодыннан аермалы буларак, кушымталарны күчерүдә, MOSFET кушымталарын күчерүдә,MOSFET's күчү тизлеге триодныкыннан тизрәк.

Күчергеч электр тәэминатында, гадәттә кулланыла торган MOSFET ачык дренаж схемасында, дренаж йөккә тоташтырылган, ачык дренаж, ачык дренаж чылбыры, йөк көчәнешнең никадәр югары булуына тоташкан, кабызырга, сүндерергә мөмкин токны йөкләү - идеаль аналог күчерү җайланмасы, ул MOSFET принцибы, күчү җайланмалары, MOSFET күберәк схемалар формасында күчү.

Электр белән тәэмин итү кушымталарын күчү ягыннан бу кушымта кирәк MOSFETs вакыт-вакыт үткәрү, сүндерү өчен, мәсәлән, төп чиләк конвертерында гадәттә кулланыла торган DC-DC электр тәэминаты ике MOSFETка таяна, күчү функциясен башкару өчен, бу ачкычлар индуктивлык кәтүгендә энергияне саклау, энергияне йөккә җибәрү, еш сайлау йөзләрчә кГц яки хәтта 1 МГцдан да күбрәк, чөнки ешлык никадәр югары булса, магнит компонентлары кечерәк. Нормаль эш вакытында MOSFET үткәргечкә тиң, мәсәлән, югары көчле MOSFETлар, кечкенә көчәнешле MOSFETлар, схемалар, электр белән тәэмин итү - MOS үткәрүнең минималь югалтуы.

MOSFET PDF параметрлары, MOSFET җитештерүчеләре дәүләт импедансын билгеләү өчен RDS (ON) параметрын уңышлы кабул иттеләр, кушымталарны күчерү өчен RDS (ON) - иң мөһим җайланма характеристикасы; мәгълүматлар таблицасы RDS (ОН) билгели, капка (яки саклагыч) көчәнеш VGS һәм валюта аша агып торган ток бәйләнешле, адекват капка дискы өчен RDS (ON) чагыштырмача статик параметр; Conductткәргечтә булган MOSFETлар җылылык тудырырга омтылалар, ә тоташ температураның әкренләп артуы RDS (ON) артуга китерергә мөмкин;MOSFET мәгълүматлар таблицасында җылылык импеданс параметры күрсәтелә, ул MOSFET пакетының ярымүткәргеч тоташуының җылылыкны таркату сәләте дип билгеләнә, һәм RθJC бары тик җылылык импедансы дип билгеләнә.

1, ешлык бик югары, кайвакыт тавышны артык эзләү, турыдан-туры югары ешлыкка китерәчәк, югалтуда MOSFET арта, җылылык зуррак булса, тиешле җылылык тарату дизайны, югары ток, номиналь эшне эшләмәгез. MOSFETның хәзерге кыйммәте, ирешә алыр өчен яхшы җылылык тарату кирәклеге; ID максималь токтан азрак, җитди җылылык булырга мөмкин, адекват ярдәмче җылыткыч кирәк.

2, MOSFET сайлау хаталары һәм электр хөкемендәге хаталар, MOSFET эчке каршылык тулысынча каралмый, MOSFET җылыту проблемаларын эшләгәндә турыдан-туры күчү импедансының артуына китерәчәк.

3, схема дизайны проблемалары аркасында, җылылык китереп чыгара, MOSFET сызыклы эш шартларында эшли, MOSFET җылытуга турыдан-туры сәбәп булган күчә, мәсәлән, N-MOS күчү, G- дәрәҗә көчәнеше берничә V белән тәэмин итүдән югарырак булырга тиеш, тулысынча үткәрә алыр өчен, P-MOS төрле; тулысынча ачык булмаганда, көчәнеш төшүе бик зур, бу энергия куллануга китерәчәк, эквивалент DC импедансы зуррак, көчәнеш төшүе дә артачак, U * Мин дә артырмын, югалту җылылыкка китерәчәк.