WSD60N10GDN56 N-канал 100V 60A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

продуктлар

WSD60N10GDN56 N-канал 100V 60A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

кыска тасвирлау:

Партия саны :WSD60N10GDN56

BVDSS :100В

ID :60А

RDSON :8.5мΩ

Канал :N-канал

Пакет :DFN5X6-8


Продукциянең детальләре

Кушымта

Продукция тэглары

WINSOK MOSFET продуктына күзәтү

WSD60N10GDN56 MOSFET көчәнеше 100В, ток 60А, каршылык 8,5мΩ, канал N-канал, һәм пакет DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET кушымтасы өлкәләре

Электрон сигарет MOSFET, чыбыксыз зарядлау MOSFET, MOSFET моторлары, MOSFET дроннары, MOSFET медицина ярдәме, MOSFET машинасы зарядлагычлары, MOSFET контроллерлары, MOSFET санлы продуктлар, MOSFET санлы көнкүреш техникасы, MOSFET кулланучылар электроникасы.

MOSFET кушымта кырларыWINSOK MOSFET башка бренд материал номерларына туры килә

AOS MOSFET AON6226, AON6294, AON6298, AONS6292, AONS6692, AONS66923.Onsemi, FAIRCHILD MOSFET NTMFS6B14N , TPH8R8ANH.PANJIT MOSFET PJQ5478A.NIKO-SEM MOSFET P81BKA.POTENS ярымүткәргеч MOSFET PDC92X.

MOSFET параметрлары

Символ

Параметр

Рейтинг

Берәмлекләр

VDS

Дренаж чыганагы көчәнеше

100

V

VGS

Капка чыганагы көчәнеше

± 20

V

ID@TC= 25 ℃

Даими дренаж агымы

60

A

IDP

Пульслы дренаж агымы

210

A

EAS

Кар көчләре энергиясе, бер импульс

100

mJ

PD@TC= 25 ℃

Гомуми көч тарату

125

В.

TSTG

Саклау температурасы диапазоны

-55 - 150

TJ 

Эшчәнлек температурасы диапазоны

-55 - 150

 

Символ

Параметр

Шартлар

Мин.

Тип.

Макс.

Берәмлек

BVDSS 

Дренаж чыганагы өзелү көчәнеше VGS= 0В, минD= 250уА

100

---

---

V

  Статик дренаж чыганагы VGS = 10V, ID = 10A.

---

8.5

10. 0

RDS (ON)

VGS = 4.5V, ID = 10A.

---

9.5

12. 0

VGS (th)

Капка бусагасы көчәнеше VGS=VDS, МинD= 250уА

1.0

---

2.5

V

IDSS

Дренаж чыганагы агып торган ток VDS= 80В, V.GS= 0В, Т.J= 25 ℃

---

---

1

uA

IGSS

Капка-чыганак агымы VGS= ± 20В, V.DS= 0В

---

---

± 100

nA

Qg 

Гомуми капка заряды (10В) VDS= 50В, V.GS= 10В, минD= 25А

---

49.9

---

nC

Qgs 

Капка чыганагы

---

6.5

---

Qgd 

Капка-дренаж заряды

---

12.4

---

Td (on)

Тикшерү вакыты VDD= 50В, V.GS= 10В,RG= 2.2Ω, I.D= 25А

---

20.6

---

ns

Tr 

Вакыт күтәрелү

---

5

---

Td (off)

Сүндерү вакыты

---

51.8

---

Tf 

Көзге вакыт

---

9

---

Cчыгару 

Керү сыйдырышлыгы VDS= 50В, V.GS= 0В, f = 1МГц

---

2604

---

pF

Каз

Чыгыш сыйдырышлыгы

---

362

---

Crss 

Кире күчерү сыйдырышлыгы

---

6.5

---

IS 

Даими чыганак VG=VD= 0В, көч токы

---

---

60

A

ISP

Чыганак агымы

---

---

210

A

VSD

Диод Алга көчәнеш VGS= 0В, минS= 12А, Т.J= 25 ℃

---

---

1.3

V

trr 

Кире торгызу вакыты IF = 12A, dI / dt = 100A / µs, T.J= 25 ℃

---

60.4

---

nS

Qrr 

Кире торгызу өчен заряд

---

106.1

---

nC


  • Алдагы:
  • Киләсе:

  • Хәбәрегезне монда языгыз һәм безгә җибәрегез