WSD30150DN56 N-канал 30V 150A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

продуктлар

WSD30150DN56 N-канал 30V 150A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

кыска тасвирлау:

Партия саны :WSD30150DN56

BVDSS :30В

ID :150А

RDSON :1.8мΩ 

Канал :N-канал

Пакет :DFN5X6-8


Продукциянең детальләре

Кушымта

Продукция тэглары

WINSOK MOSFET продуктына күзәтү

WSD30150DN56 MOSFET көчәнеше 30В, ток 150А, каршылык 1,8 мΩ, канал N-канал, һәм пакет DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET кушымтасы өлкәләре

E-тәмәке MOSFET, чыбыксыз зарядлау MOSFET, дроннар MOSFET, медицина ярдәме MOSFET, машина зарядлагычлары MOSFET, контроллерлар MOSFET, санлы продуктлар MOSFET, кечкенә көнкүреш техникасы MOSFET, кулланучылар электроникасы MOSFET.

WINSOK MOSFET башка бренд материал номерларына туры килә

AOS MOSFET AON6512, AONS3234.

Онсеми, ФАИРЧИЛД МОСФЕТ FDMC81DCCM.

NXP MOSFET PSMN1R7-3YL.

TOSHIBA MOSFET TPH1R43NL.

PANJIT MOSFET PJQ5428.

NIKO-SEM MOSFET PKC26BB, PKE24BB.

POTENS ярымүткәргеч MOSFET PDC392X.

MOSFET параметрлары

Символ

Параметр

Рейтинг

Берәмлекләр

VDS

Дренаж чыганагы көчәнеше

30

V

VGS

Капка-Суrкөчәнеш

±20

V

ID@TC= 25

Даими дренаж агымы, V.GS@ 10В1,7

150

A

ID@TC= 100

Даими дренаж агымы, V.GS@ 10В1,7

83

A

IDM

Пульслы дренаж агымы2

200

A

EAS

Бердәнбер пульс кар көчләре энергиясе3

125

mJ

IAS

Кар көчлеге

50

A

PD@TC= 25

Гомуми көч тарату4

62.5

W

TSTG

Саклау температурасы диапазоны

-55 - 150

TJ

Эшчәнлек температурасы диапазоны

-55 - 150

 

Символ

Параметр

Шартлар

Мин.

Тип.

Макс.

Берәмлек

BVDSS

Дренаж чыганагы өзелү көчәнеше VGS= 0В, минD= 250уА

30

---

---

V

BVDSS / △ TJ

BVDSSТемпература коэффициенты 25, МинD= 1МА

---

0.02

---

V/

RDS (ON)

Статик дренаж чыганагы2 VGS= 10В, минD= 20А

---

1.8

2.4 mΩ
VGS= 4.5В, I.D= 15А  

2.4

3.2

VGS (th)

Капка бусагасы көчәнеше VGS=VDS, МинD= 250уА

1.4

1.7

2.5

V

VGS (th)

VGS (th)Температура коэффициенты

---

-6.1

---

mV /

IDSS

Дренаж чыганагы агып торган ток VDS= 24В, V.GS= 0В, Т.J= 25

---

---

1

uA

VDS= 24В, V.GS= 0В, Т.J= 55

---

---

5

IGSS

Капка-чыганак агымы VGS=±20В, В.DS= 0В

---

---

±100

nA

gfs

Алга транскондукция VDS= 5В, минD= 10А

---

27

---

S

Rg

Капка каршылыгы VDS= 0V, V.GS= 0В, f = 1МГц

---

0.8

1.5

Ω

Qg

Гомуми капка заряды (4.5В) VDS= 15В, V.GS= 4.5В, I.D= 30А

---

26

---

nC

Qgs

Капка чыганагы

---

9.5

---

Qgd

Капка-дренаж заряды

---

11.4

---

Td (on)

Тикшерү вакыты VDD= 15В, V.ГЕН= 10В, Р.G=6Ω, МинD= 1А, РЛ = 15Ω.

---

20

---

ns

Tr

Вакыт күтәрелү

---

12

---

Td (off)

Сүндерү вакыты

---

69

---

Tf

Көзге вакыт

---

29

---

Cчыгару

Керү сыйдырышлыгы VDS= 15В, V.GS= 0В, f = 1МГц 2560 3200

3850

pF

Каз

Чыгыш сыйдырышлыгы

560

680

800

Crss

Кире күчерү сыйдырышлыгы

260

320

420


  • Алдагы:
  • Киләсе:

  • Хәбәрегезне монда языгыз һәм безгә җибәрегез