Күптән түгел, күп клиентлар Олукейга MOSFETлар турында киңәшләшергә килгәч, сорау бирерләр, MOSFETны ничек сайларга? Бу сорауга килгәндә, Олукей аңа һәркем өчен җавап бирәчәк.
Беренчедән, безгә MOSFET принцибын аңларга кирәк. MOSFET детальләре алдагы мәкаләдә "MOS кыр эффект транзисторы нәрсә" белән җентекләп кертелгән. Әгәр дә сез аңлашылмасагыз, башта бу турыда белә аласыз. Гади генә итеп әйткәндә, MOSFET көчәнеш белән идарә ителгән ярымүткәргеч компонентларына керә, югары кертү каршылыгы, аз тавыш, аз энергия куллану, зур динамик диапазон, җиңел интеграция, икенчел өзелү юк, зур куркынычсыз эш диапазоны.
Шулай итеп, без дөресне ничек сайларга тиешMOSFET?
1. N-канал яки P-канал MOSFET кулланыргамы-юкмы икәнен ачыклагыз
Беренчедән, без башта N-канал яки P-канал MOSFET кулланыргамы-юкмы икәнен ачыкларга тиеш, аста күрсәтелгәнчә:
Aboveгарыдагы рәсемнән күренгәнчә, N-канал һәм P-канал MOSFETлар арасында ачык аермалар бар. Мәсәлән, MOSFET җиргә салынганда һәм йөк тармак көчәнешенә тоташканда, MOSFET югары көчәнешле як ачкычны барлыкка китерә. Бу вакытта N-канал MOSFET кулланылырга тиеш. Киресенчә, MOSFET автобуска тоташканда һәм йөк җиргә төшкәч, түбән яклы ачкыч кулланыла. P-канал MOSFETлар гадәттә билгеле бер топологиядә кулланыла, бу шулай ук көчәнеш саклагычлары белән бәйле.
2. Өстәмә көчәнеш һәм MOSFETның өстәмә токы
(1). MOSFET таләп иткән өстәмә көчәнешне билгеләгез
Икенчедән, без көчәнеш саклагыч өчен кирәк булган өстәмә көчәнешне яки җайланма кабул итә алган максималь көчәнешне билгеләячәкбез. MOSFETның өстәмә көчәнеше зуррак. Димәк, MOSFETVDS таләпләре сайланырга тиеш булган саен, MOSFET кабул итә алган максималь көчәнеш нигезендә төрле үлчәүләр һәм сайлау ясау аеруча мөһим. Әлбәттә, гомумән алганда, күчерелмә җиһаз 20В, FPGA электр белән тәэмин итү 20 ~ 30В, 85 ~ 220ВАК - 450 ~ 600В. WINSOK җитештергән MOSFET көчле көчәнешкә каршы торуга һәм киң кулланылышка ия, һәм күпчелек кулланучылар хуплый. Сезнең ихтыяҗларыгыз булса, зинһар, онлайн клиентларга хезмәт күрсәтегез.
(2) MOSFET таләп иткән өстәмә токны билгеләгез
Бәяләнгән көчәнеш шартлары да сайлангач, MOSFET таләп иткән бәяләнгән токны билгеләргә кирәк. Рейтинглы ток дип аталганнар, чыннан да, MOS йөге теләсә нинди шартларда түзә ала торган максималь ток. Вольт ситуациясенә охшаган, сез сайлаган MOSFET билгеле күләмдә өстәмә ток эшкәртә алачагына инаныгыз, хәтта система ток очкычларын барлыкка китергәндә дә. Ике агымдагы шарт - өзлексез үрнәкләр һәм импульс очкычлары. Даими үткәрү режимында, җайланма аша ток агымын дәвам иткәндә, MOSFET тотрыклы хәлдә. Пульс очкычы җайланма аша агып торган аз күләмле (яки иң югары ток) дигәнне аңлата. Әйләнә-тирәдәге максималь ток билгеләнгәннән соң, сез билгеле бер максималь токка каршы тора алырлык җайланманы сайларга тиеш.
Өстәмә токны сайлаганнан соң, үткәрү куллануы да каралырга тиеш. Факттагы очракларда MOSFET фактик җайланма түгел, чөнки кинетик энергия җылылык үткәрү процессында кулланыла, ул үткәрү югалту дип атала. MOSFET "кабызылганда", ул үзгәрүчән резистор кебек эш итә, ул җайланманың RDS (ON) белән билгеләнә һәм үлчәү белән сизелерлек үзгәрә. Машинаның энергия куллануы Iload2 × RDS (ON) белән исәпләнергә мөмкин. Кире каршылык үлчәү белән үзгәргәнгә, энергия куллану да тиешенчә үзгәрәчәк. MOSFET өчен кулланылган көчәнеш VGS никадәр югары булса, RDS (ON) кечерәк булыр; киресенчә, RDS (ON) югарырак булачак. Игътибар итегез, RDS (ON) каршылыгы ток белән бераз кими. RDS (ON) резисторы өчен электр параметрларының һәр төркеменең үзгәрүен җитештерүченең продукт сайлау таблицасында табарга мөмкин.
3. Система таләп иткән суыту таләпләрен билгеләгез
Киләсе шарт - система таләп иткән җылылык тарату таләпләре. Бу очракта ике охшаш ситуация каралырга тиеш, алар арасында иң начар очрак һәм реаль хәл.
MOSFET җылылык таратуга килгәндә,Олукииң начар сценарийны чишүгә өстенлек бирә, чөнки билгеле бер эффект системаның эшләмәвен тәэмин итү өчен зуррак страховка маржасын таләп итә. MOSFET мәгълүматлар таблицасына игътибар кирәк булган кайбер үлчәү мәгълүматлары бар; deviceайланманың тоташу температурасы максималь шарт үлчәвенә һәм җылылык каршылыгы һәм энергия тарату продуктына тигез (тоташу температурасы = максималь шартны үлчәү + [җылылык каршылыгы × көченең таралуы]). Системаның максималь көчен тарату билгеле формула буенча чишелергә мөмкин, ул билгеләмә буенча I2 × RDS (ON) белән бертигез. Без инде җайланма аша узачак һәм төрле үлчәүләр астында RDS (ON) саный ала торган максималь токны исәпләдек. Моннан тыш, схема тактасының җылылык таралуы һәм аның MOSFETы турында кайгыртырга кирәк.
Кардан өзелү - ярым үткәргеч компоненттагы кире көчәнеш максималь кыйммәттән артып китә һәм компоненттагы токны арттыручы көчле магнит кырын барлыкка китерә. Чип зурлыгының артуы җил җимерелүен булдырмый һәм ахыр чиктә машинаның тотрыклылыгын яхшыртачак. Шуңа күрә зуррак пакет сайлау кардан эффектив булырга мөмкин.
4. MOSFETның күчүчәнлеген билгеләгез
Соңгы хөкем шарты - MOSFETның күчү эше. MOSFETның күчү эшенә тәэсир итүче бик күп факторлар бар. Иң мөһиме - электрод-дренажның өч параметры, электрод чыганагы һәм дренаж чыганагы. Конденсатор кабызылган саен зарядлана, димәк, конденсаторда югалтулар күчү. Шуңа күрә, MOSFETның күчү тизлеге кимиячәк, шулай итеп җайланманың эффективлыгына тәэсир итә. Шуңа күрә, MOSFET-ны сайлау процессында, шулай ук, күчү процессында җайланманың гомуми югалтуын хөкем итәргә һәм исәпләргә кирәк. Эшне югалту вакытында (Эон) һәм сүндерү процессындагы югалтуны исәпләргә кирәк. (Eoff). MOSFET күчергечнең гомуми көче түбәндәге тигезләмә белән күрсәтелергә мөмкин: Psw = (Eon + Eoff) × күчү ешлыгы. Капка корылмасы (Qgd) эшкә күчү иң зур йогынты ясый.
Йомгаклау өчен, тиешле MOSFET сайлау өчен, тиешле карар дүрт аспекттан ясалырга тиеш: N-канал MOSFET яки P-канал MOSFETның өстәмә көчәнеше һәм өстәмә токы, җайланма системасының җылылык тарату таләпләре һәм күчү эше. MOSFET.
Бүгенге көндә дөрес MOSFETны ничек сайлау турында. Бу сезгә ярдәм итәр дип ышанам.
Пост вакыты: 12-2023 декабрь
