Ике төрле MOSFET, N-канал һәм P-канал бар. Энергия системаларында,MOSFETsэлектр ачкычлары дип санарга мөмкин. N-канал MOSFET коммутаторы капка белән чыганак арасында уңай көчәнеш өстәлгәндә үткәрелә. Conductingткәргеч үткәргәндә, ток дренаждан чыганакка күчә. Дренаж белән чыганак арасында RDS (ON) дип аталган чыганак арасында эчке каршылык бар.
MOSFET электр системасының төп компоненты буларак, Гуанхуа Вейе сезгә параметрлар буенча дөрес сайлау ясарга куша?
I. Канал сайлау
Сезнең дизайныгыз өчен дөрес җайланма сайлауда беренче адым - N-канал яки P-канал MOSFET кулланыргамы-юкмы икәнен ачыклау. Электр кушымталарында MOSFET җиргә салынган һәм йөк магистраль көчәнешкә тоташтырылган, MOSFET аз көчәнешле як ачкыч ясаганда. N-канал MOSFETлар түбән көчәнешле янгын сүндерүдә кулланылырга тиеш, чөнки җайланманы сүндерү яки кабызу өчен кирәк булган көчәнешне исәпкә алу. MOSFET автобуска тоташканда һәм җир белән тоташканда югары көчәнешле күчү кулланылырга тиеш.
II. Вольт һәм токны сайлау
Бәяләнгән көчәнеш никадәр югары булса, җайланманың бәясе дә шулкадәр югары. Практик тәҗрибә буенча, бәяләнгән көчәнеш магистраль көчәнешеннән яки автобус көчәнешеннән зуррак булырга тиеш. Шул вакытта гына ул MOSFET уңышсызлыгыннан җитәрлек яклау бирә ала. MOSFET сайлаганда, дренаждан чыганакка кадәр максималь көчәнешне билгеләргә кирәк.
Даими үткәрү режимындаMOSFETток җайланма аша өзлексез үткәндә тотрыклы хәлдә. Пульс очкычлары җайланма аша зур дулкыннар (яки иң югары агымнар) булганда. Бу шартларда максималь ток билгеләнгәннән соң, максималь токка каршы тора алырлык җайланманы сайлагыз.
Өченчедән, үткәрү югалту
Каршылык температура белән үзгәргәнгә, көч югалту пропорциональ рәвештә үзгәрәчәк. Көчле дизайн өчен түбән көчәнеш куллану еш очрый, сәнәгать дизайны өчен югары көчәнеш кулланырга мөмкин.
Система җылылык таләпләре
Системаны суыту таләпләренә килгәндә, Crown Worldwide сезгә ике төрле сценарий барлыгын искә төшерә, алар иң начар очрак һәм реаль хәл. Иң начар очракны исәпләгез, чөнки бу нәтиҗә куркынычсызлыкның зур күләмен тәэмин итә һәм системаның эшләмәвенә гарантия бирә ала.
.Әр сүзнеңMOSFETаз энергия куллану, тотрыклы эш итү һәм радиациягә каршы тору аркасында интеграль схемаларда триодны әкренләп алыштыра. Ләкин ул әле бик нечкә, һәм аларның күбесендә урнаштырылган саклау диодлары булса да, сак булмаса, алар зарарланырга мөмкин. Шуңа күрә кушымтада да сак булырга кирәк.
Пост вакыты: 27-2024 апрель