Тиз зарядлау технологиясе, заманча электрон җиһазның төп өлеше буларак, тиз үсә һәм үсә.Тиз зарядлау базары ярдәмендә смартфоннар һәм электр машиналары кебек тармаклар тиз һәм эффектив зарядлау чишелешләрен таләп итә.Тиз зарядлау технологиясендә инновация зарядлау тизлеген яхшыртуга гына түгел, куркынычсызлыкка да басым ясый.Киләчәккә күз салсак, тиз зарядлау технологиясе чыбыксыз корылма һәм эффектив батарея технологиясе белән берләштереләчәк, сыйфатлы сикерүгә ирешү һәм кулланучыларга уңайлырак һәм экологик яктан зарядлы тәҗрибә туплау.Технология үсеше һәм базарның киңәюе белән тиз корылма индустриясе тиз үсешне дәвам итәр дип көтелә.
Куллану турында сөйләшкәндәMOSFETтиз зарядлау технологиясендә берничә баш авыртуы бар.
Беренчедән, чөнки тиз зарядка зур ток таләп итәMOSFETбик җылыныр, һәм бу җылылыкны ничек эшкәртү зур проблемага әйләнә.Аннары, эффективлык проблемалары да бар.Тиз күчү вакытында MOSFET энергиянең бер өлешен җиңел югалта, бу зарядлау эффективлыгына тәэсир итә.Моннан тыш, тиз корылма җиһазлары мөмкин кадәр кечкенә булырга өметләнә, ләкин моның өчен MOSFET кечкенә булырга һәм җылылык проблемаларын чишәргә кирәк.MOSFET тиз күчә, ул башка электрон җиһазларга комачаулый ала, бу да проблема.Ниһаять, тиз корылма мохите MOSFETларның көчәнешенә һәм токына каршы тору өчен югары таләпләргә ия, бу аларның эшләве өчен сынау.Бу мохиттә озак эшләү аларның хезмәт тормышына һәм ышанычлылыгына тәэсир итә ала.Кыскасы, MOSFET тиз зарядка өчен бик мөһим булса да, ул күп проблемалар белән очраша.
WINSOKMOSFET сезгә югарыдагы проблемаларны чишәргә булыша ала.Тиз зарядлауда WINSOK MOSFETның төп кушымта модельләре:
| Кисәк номеры | Конфигурация | Тип | VDS | ID (A) | VGS (th) (v) | RDS (ON) (mΩ) | Сис | Пакет | |||
| @ 10В | |||||||||||
| (V) | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Тип. | Макс. | (pF) | ||||
| Ялгыз | N-Ch | 30 | 50 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 6.7 | 8.5 | 1200 | DFN3X3-8 | |
| Ялгыз | П-Ч | -30 | -40 | -1.3 | -1.8 | -2.3 | 11 | 14 | 1380 | DFN3X3-8 | |
| Ялгыз | N-Ch | 60 | 18 | 1 | 2 | 3 | 7 | 9 | 3760 | SOP-8 | |
| Ялгыз | N-Ch | 100 | 16 | 1.4 | 1.7 | 2.5 | 8.9 | 11 | 4000 | SOP-8 | |
| Ялгыз | П-Ч | -30 | -8.2 | -1.5 | -2 | -2.5 | 16 | 20 | 2050 | SOP-8 | |
| Ялгыз | П-Ч | -30 | -13 | -1.2 | -2 | -2.5 | 9.6 | 15 | 1550 | SOP-8 | |
| N + P. | N-Ch | 30 | 7 | 1 | 1.5 | 2.5 | 18 | 28 | 550 | SOP-8 | |
| П-Ч | -30 | -6 | -1 | -1.5 | -2.5 | 30 | 38 | 645 | |||
| Ялгыз | N-Ch | 100 | 85 | 2 | 3 | 4 | 10 | 13 | 2100 | TO-220 | |
Aboveгарыдагы WINSOK MOSFETка туры килгән башка бренд материал номерлары:
WINSOK MOSFET WSD3050DNның тиешле материал номерлары: AOS AON7318, AON7418, AON7428, AON7440, AON7520, AON7528, AON7544, AON7542.Onsemi, FAIRCHILD NTTFS4939N, NTTFS4C08N.8ISN 4R303NL.PANJIT PJQ4408P.NIKO- SEM PE5G6EA.
WINSOK MOSFET WSD30L40DNның тиешле материал номерлары: AOS AON7405, AONR21357, AON7403, AONR21305C.ST Микроэлектроника STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-SEM P1203EEA, PE507BA.
WINSOK MOSFET WSP6020-ның тиешле материал номерлары: AOS AO4262E, AO4264E, AO4268. Онсеми, FAIRCHILD FDS86450.PANJIT PJL9436.NIKO-SEM P0706BV.Потенс ярымүткәргеч PDS6904-5.
WINSOK MOSFET WSP16N10-ның тиешле материал номерлары: AOS AO4290, AO4290A, AO4294, AO4296.VISHAY Si4190ADY. Потенциаль ярымүткәргеч PDS0960.DINTEK Электроника DTM1012.
WINSOK MOSFET WSP4435-ның тиешле материаль номерлары: AOS AO4335, AO4403, AO4405, AO4411, AO4419, AO4435, AO4449, AO4459, AO4803, AO4803A, AO4807, AO4813.OnSemi лектроника STS10P3LLH6, STS5P3LLH6 , STS6P3LLH6, STS9P3LLH6.ТОШИБА TPC8089-H.PANJIT PJL9411.
WINSOK MOSFET WSP4407-ның тиешле материал номерлары: AOS AO4407, AO4407A, AOSP21321, AOSP21307. Онсеми, ФАИРЧИЛД FDS6673BZ.VISHAY Si4825DDY.ST Микроэлектроника STS10P3LLH6, STS6 HIBA TPC8125.PANJIT PJL94153.Sinopower SM4305PSK.NIKO-SEM PV507BA , P1003EVG.Потенс ярымүткәргеч PDS4903.DINTEK Электроника DTM4407, DTM4415, DTM4417.
WINSOK MOSFET WSP4606-ның тиешле материал номерлары: AOS AO4606, AO4630, AO4620, AO4924, AO4627, AO4629, AO4616. Г.Потенс PDS3710 ярымүткәргеч. ДИНТЕК Электроника DTM4606, DTM4606BD, DTM4606BDY.
WINSOK MOSFET WSR80N10 тиешле материал номерлары: AOS AOTF290L.Onsemi, FAIRCHILD FDP365IU.ST Микроэлектроника STP80N10F7.Nxperian PSMN9R5-100PS.INFINEON, IR IPP086N10N3 G, IPP086N10N3NNN K100A08N1. Потенциаль ярымүткәргеч PDP0966.
Пост вакыты: 28-2023 ноябрь
